図1は本発明の受電装置の一例を示す分解 斜視図である。図2は本発明の受電装置の他� �一例を示す分解斜視図である。図中、1は電� ��機器、2は受電装置、3は電子機器本体部、4� ��筐体、11はスパイラルコイル、12は整流器、 13は2次電池、14は電子機器本体部の電子デバ� ��ス、15は電子デバイスを搭載する回路基板� �16は複合磁性体である。また、図1はスパイ� �ルコイル11と2次電池13の間に複合磁性体16を� ��置した例、図2は電子デバイス14とスパイラ� ��コイル11の間に複合磁性体16を配置した例で ある。

 まず、本発明の受電装置は、スパイラル� ��イル、整流器、2次電池、電子デバイスを具 備している。スパイラルコイルは、銅等の金 属ワイヤを巻回したもの、金属粉ペーストを 印刷・乾燥させた平面コイルなど特に限定さ れるものではない。また、スパイラルコイル の巻回形状は、円形、楕円、四角形、多角形 など特に限定されるものではなく、巻回回数 も要求特性に応じて制御すればよい。

 また、整流器は、トランジスタ、ダイオ� ��ドなどの各種半導体素子が挙げられる。ま� ��、整流器の個数は任意であり、必要に応じ1 個または2個以上の整流器を設けるものとす� �。なお、図1においては整流器12を回路基板15 のアンテナ側に設けたがアンテナと反対の面 に設けてもよい。また、整流器はTFT等の成膜 技術で形成されたものであってもよい。

 また、2次電池13は充放電が可能なもので� ��り、平板型やボタン型等の種々の形状のも� ��を使用することができる。また、電子デバ� ��ス14は、抵抗素子、容量素子、インダクタ� �ス素子、制御素子など回路を構成するため� �各種素子を示すものである。また、回路基� �15は、樹脂フィルムやセラミックス基板等の 絶縁性基板上に、前記電子デバイスを実装し 回路を設けるための基板である。

 複合磁性体16は、絶縁層を介して少なく� �も2層以上の磁性薄帯を有するものである。2 層以上の磁性薄帯において、スパイラルコイ ル側の磁性薄帯を第1の磁性薄帯、第1の磁性� ��帯以外のものを第2以降の磁性薄帯とする。 また、第2以降の磁性薄帯は、第1の磁性薄帯� ��から順に第2の磁性薄帯、第3の磁性薄帯、� �する。このため、磁性薄帯が2層の場合はス� ��イラルコイル側から第1の磁性薄帯と第2の� �性薄帯となり、磁性薄帯が3層の場合はスパ� ��ラルコイル側から第1、第2、第3、…の磁性� ��帯となる。

 本発明において、複合磁性体を構成する� ��1の磁性薄帯の比透磁率をμd、厚さをtd(mm)、 第2以降の磁性薄帯の平均の比透磁率をμu、� �厚をtu(mm)としたときにμd・td≦60、μu・tu≧10 0であることを特徴とするものである。また� �第2以降の磁性薄帯の平均の比透磁率は第2以 降の各磁性薄帯の比透磁率を測定し平均値を 取ったものである。また、総厚tuは第2以降の 磁性薄帯の厚さをそれぞれ測定し、合計した 値である。(磁性薄帯の比透磁率×磁性薄帯の 厚さ)は磁気回路でいう磁気抵抗を示すもの� �ある。

 本発明ではμd・td≦60かつμu・tu≧100とし� ��いる。第1の磁性薄帯はスパイラルコイルに 最も近い磁性薄帯となるため、充電する際に 共振周波数に影響を与え易い。そのため、μd ・td≦60とすることにより、磁気抵抗を大き� �し磁束が第1の磁性薄帯に集中するのを防ぎ� ��1の磁性薄帯での損失を抑制し、共振性が低 下するのを防ぐことを可能とする。

 また、第2以降の磁性薄帯をμu・tu≧100と� ��ることにより磁気抵抗を小さくしシールド� ��果を向上させ、機器内部の基板等に発生す� ��渦電流を抑制し、発熱を抑えることを可能� ��する。つまり、第1の磁性薄帯のみではシー ルド効果が不十分であり発熱を抑制できず、 第2以降の磁性薄帯のみでは共振性が低下す� �。例えば、μu・tu≧100の磁性薄帯を多層化す るだけではシールド性は向上するものの共振 性が低下するのである。そのため、本発明で はスパイラルコイル側にμd・td≦60からなる� �1の磁性薄帯を設けたのである。

 また、(μu・tu)/(μd・td)≧10となることが� �ましい。前述のように第1の磁性薄帯は共振� ��の向上、第2以降の磁性薄帯はシールド性の 向上に主として機能するものである。(μu・tu )/(μd・td)≧10とすると、第1の磁性薄帯と第2� �降の磁性薄帯の機能分担が明確になり、特� �が向上する。

 なお、(μu・tu)/(μd・td)比の上限は特に限� ��されるものではないが70以下が好ましい。(� �u・tu)/(μd・td)比が70を超えても効果は得られ るが、μuまたはtuを極端に大きくするか、μd� ��たはtdを極端に小さくする必要があり、製� �管理が難しくなる。

 また、複合磁性体において、第1の磁性薄 帯の面積が、第2以降の磁性薄帯の面積より� �きいことが好ましい。第2以降の磁性薄帯が� ��数枚ある場合は、その中で最も面積の大き� ��ものを第2以降の磁性薄帯の面積とする。第 1の磁性薄帯の面積>第2以降の磁性薄帯の面 積とすることにより、共振性が低下するのを 防ぐことができる。

 また、複合磁性体を構成する絶縁層は、� ��機絶縁層、有機絶縁層など特に限定される� ��のではないが、好ましくは絶縁性樹脂を用� ��た有機絶縁層である。絶縁性樹脂は接着剤� ��フィルム、ゴムなど様々な形態で使用可能� ��あり、磁性薄帯のサイズに合わせて設ける� ��とができる。

 また、絶縁層は絶縁フィルム、接着剤、� ��ム等を組合せたものでもよく、接着剤付き� ��縁フィルムなどがその一例である。また、� ��縁性樹脂としては、例えば天然ゴム、ネオ� ��レーンゴム、クロロプレンゴム、シリコー� ��ゴム、ハイパロン、その他の合成ゴム、PVC� ��脂、エチレン-酢酸ビニルコポリマー樹脂、 アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタ ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル 樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹 脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリ エチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンナ フタレート樹脂、ポリエステルエストラマー 樹脂、フッ素樹脂その他の合成樹脂を用いる ことができる。絶縁層が無く、第1と第2の磁� ��薄帯が直接的に面接触していると機能(役割 )分担する効果が十分得られない。つまり、� �1と第2の磁性薄帯が直接面接触していると一 つの磁性薄帯として機能してしまうのである 。

 また、絶縁層は各磁性薄帯の絶縁性が保� ��れば良いので最外層については絶縁層があ� ��ても無くても良いが、最外層にも絶縁層を� ��けた方が周辺部材(回路基板、2次電池、ス� �イラルコイル)との絶縁性を維持できるので� ��ましい。図3に絶縁層の一例を示した。

 図3(a)は片面に絶縁層として接着剤層と絶 縁フィルムを設けた例、図3(b)は両面に絶縁� �として接着剤層と絶縁フィルムを設けた例� �ある。図中、5は絶縁フィルム、6は接着剤層 、7は磁性薄帯である。この磁性薄帯と絶縁� �との積層体を多層化することにより本実施� �用の複合磁性体となる。

 また、複合磁性体の絶縁層が磁性粉末を� ��有した樹脂から成ることが好ましい。絶縁� ��に磁性粉末を含有させることによりシール� ��効果が上がり発熱を抑制できる。磁性粉末� ��しては、フェライト粉、センダスト粉、ア� ��ルファス粉などが挙げられる。

 また、前記複合磁性体において、前記第1 の磁性薄帯と第2以降の磁性薄帯の距離が30μm 以上であることが好ましい。第1の磁性薄帯� �第2以降の磁性薄帯の距離とは第1の磁性薄帯 と第2の磁性薄帯の層間絶縁する絶縁層の厚� �となる。このため、絶縁層の好ましい厚さ� �30μm以上となる。

 前述のように第1の磁性薄帯と第2の磁性� �帯が面接触していると一つの磁性薄帯とし� �機能してしまうため絶縁層を介して面接触� �防ぐ必要がある。その一方で絶縁層の厚さ� �あまり薄いと層間絶縁効果が不十分となる� �それがあるので30μm以上あった方が好ましい 。

 なお、絶縁層の厚さ(第1の磁性薄帯と第2� ��降の磁性薄帯の距離)の上限は200μm以下が好 ましい。あまり絶縁層の厚さが厚いと第1の� �性薄帯と第2以降の磁性薄帯の距離が離れす� ��、機能分担効果が十分得られなくなる。ま� ��、複合磁性体の総厚も必要以上に厚くなり� ��薄型化が困難になる。複合磁性体の総厚は0 .3mm以下であることが好ましい。

 また、複合磁性体を構成する磁性薄帯は� ��前述の比透磁率×厚さを満たすものであれ� �特に限定されるものではないが、好ましく� �Co系アモルファス合金、Fe系アモルファス合� ��、Fe系微細結晶合金、パーマロイが挙げら� �る。これら磁性材料は、いずれもロール急� �法(単ロールまたは双ロール)または圧延で作 製できることから平均板厚100μm以下の薄帯を 得易い。また、後述するように比透磁率の調 整も行い易い。

 また、Co系アモルファス合金またはFe系ア モルファス合金としては、次の一般式を満た すものが好ましい。

      一般式:(T _1-a M _a ) _100-b X _b  …(1)
(式中、TはCoおよびFeから選ばれる少なくとも 1種以上の元素を、MはNi、Mn、Cr、Ti、Zr、Hf、M o、V、Nb、W、Ta、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Re� ��よびSnから選ばれる少なくとも1種の元素を� ��XはB、Si、CおよびPから選ばれる少なくとも1 種の元素を示し、aおよびbは関係式:0≦a≦0.3; 10≦b≦35at%を満足する数である)が挙げられる 。また、上記(1)式においてT元素中にCoとFeの� ��方を含んでいる場合、Coが多ければCo系アモ ルファス、Feが多ければFe系アモルファスと� �するものとする。

 上記した(1)式において、T元素は磁束密度 、磁歪値、鉄損等の要求される磁気特性に応 じて組成比率を調整するものとする。M元素� �熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等の� �めに添加される元素である。M元素の添加量� ��aの値として0.3以下とすることが好ましい。 M元素の添加量があまり多すぎると相対的にT� ��素量が減少することから、アモルファス磁� ��合金薄帯の磁気特性が低下する。M元素の添 加量を示すaの値は実用的には0.01以上とする� ��とが好ましい。aの値は0.15以下とすること� �より好ましい。

 X元素はアモルファス合金を得るのに必須 の元素である。特に、B(ホウ素)は磁性合金の アモルファス化に有効な元素である。Si(けい 素)はアモルファス相の形成を助成したり、� �た結晶化温度の上昇に有効な元素である。X� ��素の含有量があまり過多であると透磁率の� ��下や脆さが生じ、逆に過少であるとアモル� ��ァス化が困難になる。このようなことから� ��X元素の含有量は10~35at%の範囲とすることが� ��ましい。X元素の含有量は15~25at%の範囲とす� ��ことがさらに好ましい。

 また、Fe系微結晶磁性合金としては、次� �一般式(2)を満たすものが好ましい。

   一般式:Fe _{100-c-d-e-f-g-h} A _c D _d E _e Si _f B _g Z _h  …(2)
(式中、AはCuおよびAuから選ばれる少なくとも 1種の元素を、DはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo� ��W、Ni、Coおよび希土類元素から選ばれる少� �くとも1種の元素を、EはMn、Al、Ga、Ge、In、Sn および白金族元素から選ばれる少なくとも1� �の元素を、ZはC、NおよびPから選ばれる少な� ��とも1種の元素を示し、c、d、e、f、gおよびh は0.01≦c≦8at%、0.01≦d≦10at%、0≦e≦10at%、10� �f≦25at%、3≦g≦12at%、15≦f+g+h≦35at%を満足す� ��数である)で実質的に表される組成を有する Fe基合金からなり、かつ面積比で組織の20%以� ��が粒径50nm以下の微結晶粒から成る合金が挙 げられる。

 上記した(2)式において、A元素は耐食性を 高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損や 透磁率等の磁気特性を改善する元素である。 A元素の含有量があまり少ないと結晶粒の粗� �化抑制効果等を十分に得ることができず、� �にあまり多すぎると磁気特性が劣化する。� �って、A元素の含有量は0.01~8at%の範囲とする� ��とが好ましい。D元素は結晶粒径の均一化や 磁歪の低減等に有効な元素である。D元素の� �有量は0.01~10at%の範囲とすることが好ましい� ��

 E元素は軟磁気特性や耐食性の改善に有効 な元素である。E元素の含有量は10at%以下とす ることが好ましい。SiおよびBは薄帯製造時に おける合金のアモルファス化を助成する元素 である。Siの含有量は10~25at%の範囲、Bの含有� ��は3~12at%の範囲とすることが好ましい。なお 、SiおよびB以外のアモルファス化助成元素と してZ元素を含んでいてもよい。その場合、Si 、BおよびZ元素の合計含有量は15~35at%の範囲� �することが好ましい。微結晶構造は、特に� �径が5~30nmの結晶粒を合金中に面積比で50~90%� �範囲で存在させた形態とすることが好まし� �。

 磁性薄帯として用いるアモルファス磁性� ��金薄帯は、例えばロール急冷法(溶湯急冷法 )により作製される。具体的には、所定の組� �比に調整した合金素材を溶融状態から急冷� �ることにより作製される。微結晶磁性合金� �帯は、例えば液体急冷法によりアモルファ� �合金薄帯を作製した後、その結晶化温度に� �して-50~+120℃の範囲の温度で1分~5時間の熱処 埋を行い、微結晶粒を析出させる方法により 得ることができる。あるいは、液体急冷法の 急冷速度を制御して微結晶粒を直接析出させ る方法によっても、微結晶磁性合金薄帯を得 ることができる。

 ロール急冷法を用いる場合、溶湯の射出� ��度やロールの回転速度を調製することによ� ��薄帯の厚さを調製できる。また、パーマロ� ��については所定の組成の合金溶湯から板材� ��作製し、その後、圧延を行うことにより薄� ��を製造することができる。

 また、比透磁率の調製には熱処理や分割が� ��果的である。例えば、Co ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯(20μm厚)の場� ��、急冷状態では135kHzでの比透磁率は3000程度 であるが、350℃×30分熱処理することで10000に 、440℃×60分熱処理することで50000にすること ができる。また、例えば440℃×60分熱処理し� �ものを分割することで1000~50000で変化させる� ��とができる。ここでは、同一材料での透磁� ��と熱処理、分割について示したが、材料の� ��なる磁性体を組み合わせてもよく、例えば� ��イ素鋼板では1500、50Niパーマロイで3000、80Ni パーマロイで15000、Fe系アモルファスで5000程� ��の透磁率は調整可能である。

 本発明の非接触型受電装置は2層以上の磁 性薄帯を有する複合磁性体を前記2次電池と� �記スパイラルコイルの間、および前記電子� �バイスと前記スパイラルコイルの間の少な� �とも1箇所に配置されている。前記2次電池と スパイラルコイルの間、および前記電子デバ イスと前記スパイラルコイルの間に配置とは 2次電池/複合磁性体/スパイラルコイル、電子 デバイス/複合磁性体/スパイラルコイルの位� ��関係が維持されている状態を示すものであ� ��。そのため、図1に示した2次電池/複合磁性� ��/スパイラルコイルのように各構成が直接積 層された構造に限定されるものではない。例 えば、図2のように電子デバイス/回路基板/複 合磁性体/2次電池/スパイラルコイルの順に配 置された構造は、前記電子デバイスと前記ス パイラルコイルの間に複合磁性体が配置され た構造に含まれる。つまり、回路基板等の他 の構成が間に配置された構造を除外するもの ではなく、実質的に前記電子デバイスと前記 スパイラルコイルの間に配置されているもの は本発明に含まれるものである。前記2次電� �と前記スパイラルコイルの間についても同� �である。

 以上のような非接触型受電装置は様々な� ��子機器に搭載可能である。電子機器として� ��、携帯電話、携帯型オーディオ機器、デジ� ��ルカメラ、ハンディカメラ(動画録画用カメ ラ)、コードレス電話機、ノート型パソコン(� ��ップトップ型パソコン)、携帯型ゲーム機な どが挙げられる。これら電子機器は2次電池� �より起動できるためコードレスで使用可能� �携帯型電子機器である。

 また、図4に非接触型受電装置を用いた充 電システムの一例を示した。図中、20は充電� ��ステム、1は受電装置、11は受電装置側スパ� ��ラルコイル(2次コイル)、13は2次電池、16は� �合磁性体、30は給電装置、31は給電装置側ス� ��イラルコイル(1次コイル)、32は1次コイル用� ��心である。

 充電の仕組みは、まず、給電装置30の給� �装置側スパイラルコイル31に電源(図示しな� �)から交流電圧を印加し、給電装置側スパイ� ��ルコイル31に磁束を生じさせる。給電装置� �スパイラルコイル31に発生させた磁束は、給 電装置側スパイラルコイル31と非接触で配置� ��れた受電装置側スパイラルコイル11に伝達� �れる。受電装置側スパイラルコイル11では磁 束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。こ の交流電圧は整流器12で整流される。整流器1 2で整流された直流電圧は2次電池13に充電さ� �る。このように充電システム20では非接触で 電力の伝送が行われる。

 本発明の受電装置は、所定の位置に複合� ��性体を配置しているので共振性が向上し、1 次コイルと2次コイルの十分な結合と1次コイ� ��のインダクタンス変動量の抑制の最適化を� ��りながら、シールド効果を向上させること� ��できる。このため、1次コイル(給電装置側� �イル)からの磁束の伝達率が良いので充電効� ��が向上する。また、シールド効果も良好で� ��るため充電中の発熱も抑制できる。

 前述のように携帯型電子機器は薄型化、� ��型化されている。そのため、受電システム� ��電子デバイス等を実装した回路基板をコン� ��クトに収納しなければならないが、本発明� ��は充電中の発熱を抑制することにより電子� ��バイス等の回路部品への影響を防ぐことが� ��きる。本発明の受電装置であれば、複合磁� ��体と受電装置側スパイラルコイルの合計厚� ��を0.5mm以下と薄くすることも可能である。

 また、2次電池の中でもLiイオン2次電池は 容量も大きいため電子機器の駆動電源として 使用されている。しかしながら、Liイオン2次 電池は熱に弱く必要以上に加熱されると電池 内部で炭酸ガスが発生するおそれがある。本 発明のようにシールド効果を向上させて発熱 を抑制してあるので2次電池への悪影響を防� �ことができる。言い換えれば、Liイオン2次� �池のように熱に弱い2次電池を搭載した受電� ��置に好適であると言える。

 (実施例)
(充電システム)
 非接触型の充電システムとして携帯電話用� ��充電システムを用意した。給電装置はAC電� �からの電力を、制御回路を通して一定の電� �波に変換しその電磁波を送信する1次コイル� ��置き台の近傍に配置され、受電装置は携帯� ��話内のスパイラルコイルから成る2次コイル およびそのコイルが受信した電磁波を整流す る整流器を実装する回路基板および2次電池� �具備する構造である。

 なお、1次コイルは銅ワイヤを外径40mm、� �径5mmに巻回されたものである。磁性体は比� �磁率(μ1)100、厚さ(d1)0.5mm、大きさ45mm×45mmの� �のを設置した。受電システムは、銅ワイヤ� �外径30mm、内径10mmに巻回された2次コイルを� �磁性体は2次コイルを介して送電システムの� ��対側に設置され、2層以上の磁性薄帯を積層 した複合磁性体から構成される。各実施例で 使用した複合磁性体は以下の通りである。

 (実施例1)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を200℃で30分 熱処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10 μmの接着層を介して25μmのポリカーボネート� ��脂を貼り付けて第1磁性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��さ10μmの接着層を介して接着して実施例1用� ��複合磁性体を調製した。

 (実施例2)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃で60分 熱処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3m m×3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接� ��層を介して25μmのポリカーボネート樹脂を� �り付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁 性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を250℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��さ10μmの接着層を介して接着して実施例2用� ��複合磁性体を調製した。

 (実施例3)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��さ10μmの接着層を介して接着して実施例3用� ��複合磁性体を調製した。

 (実施例4)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��さ10μmの接着層を介して接着して実施例4用� ��複合磁性体を調製した。

 (実施例5)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃で60分 熱処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3m m×3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接� ��層を介して25μmのポリカーボネート樹脂を� �り付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁 性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を250℃30分熱 処理したものを25mm×25mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��さ10μmの接着層を介して接着して実施例5用� ��複合磁性体を調製した。

 (実施例6)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃で60分 熱処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3m m×3mmの小片に分割したものの片面に10μmの接� ��層を介して25μmのポリカーボネート樹脂を� �りつけ、もう片面に30μmの接着層を介して50� �mのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片� ��縦横35mm×35mmに配列した第1磁性薄帯を調製� �た。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、片面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼りつけ、もう片面に30μmの接着層を介� �て50μmのポリカーボネート樹脂を貼り付けて 第2磁性薄帯を調製した。さらに、上記第2磁� ��薄帯と前記第1磁性薄帯とを厚さ10μmの接着� ��を介して接着して実施例6用の複合磁性体を 調製した。

 (実施例7)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの片面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、片面に厚� �10μmの接着層を介して25μmのポリカーボネー� ��樹脂を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。 さらに、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯� ��を、樹脂を貼りつけていない面同士を、厚� ��20μmの接着層を介して接着して実施例7用の� ��合磁性体を調製した。

 (実施例8)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに5mm× 5mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを35mm×35mmに加工したものを2枚� ��意し、それぞれ片面に10μmの接着層を介し� �25μmのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第 2、3磁性薄帯を調製した。さらに、上記第2、 3磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを、樹脂を貼� ��つけていない面同士を、厚さ10μmの接着層� �介して接着して実施例8用の複合磁性体を調� ��した。

 (実施例9)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工したものを2枚� ��意し、それぞれ片面に10μmの接着層を介し� �25μmのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第 2、3磁性薄帯を調製した。さらに、上記第2、 3磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを、樹脂を貼� ��つけていない面同士を、厚さ10μmの接着層� �介して接着して実施例9用の複合磁性体を調� ��した。

 (実施例10)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��厚さ10μmの接着層を介して接着して実施例10 用の複合磁性体を調製した。

 (実施例11)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面にセンダスト の扁平微粒子(平均粒径5μm)をシリコーン樹脂 中に分散させたペーストを前記磁性体に塗布 、硬化させ全厚さが50μmの小片を縦横35mm×35mm に配列した第1磁性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが35� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��厚さ30μmの接着層を介して接着して実施例11 用の複合磁性体を調製した。

 (実施例12)
 2次コイルに隣接する複合磁性体は、下記の ように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ms� ��0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの片面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した第1磁性 薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、片面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��樹脂を貼りつけていない面同士を、厚さ10μ mの接着層を介して接着して実施例12用の複合 磁性体を調製した。

 (比較例1)
 上記受電装置において、2次コイルに隣接す る複合磁性体は、下記のように調製した。す なわち、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20 μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第1磁性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を350℃30分熱 処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さら に、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯とを� ��厚さ10μmの接着層を介して接着して比較例1� ��の複合磁性体を調製した。

 (比較例2)
 2次コイルに隣接する磁性体は、下記のよう に調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが0.55 、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けて第1磁性薄帯を調製した。

 一方、飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20� �mのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を200℃で30分 熱処理したものを20mm×20mmに加工し、両面に10 μmの接着層を介して25μmのポリカーボネート� ��脂を貼り付けて第2磁性薄帯を調製した。さ らに、上記第2磁性薄帯と前記第1磁性薄帯と� ��、厚さ10μmの接着層を介して接着して比較� �2用の複合磁性体を調製した。

 (比較例3)
 2次コイルに隣接する磁性体は、下記のよう に調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが0.55 、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を440℃60分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、さらに3mm× 3mmの小片に分割したものの両面に10μmの接着� ��を介して25μmのポリカーボネート樹脂を貼� �付けた小片を縦横35mm×35mmに配列した単層の� ��性薄帯を調製した。

 (比較例4)
 飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を460℃30分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼り付けた単層の磁性薄帯を調製した。

 (比較例5)
 飽和磁束密度Msが0.55、平均厚さtが20μmのCo ₇₀ Fe ₅ Si ₅ B ₂₀ (原子比)のCo系アモルファス薄帯を460℃30分熱 処理したものを35mm×35mmに加工し、両面に10μm の接着層を介して25μmのポリカーボネート樹� ��を貼りつけた磁性薄帯2枚を10μmの接着層を� ��して貼り付けて形成した磁性薄帯を用いた� ��

 上記各実施例および比較例に係る非接触� ��受電装置を用いた充電システムについて、� ��用した複合磁性体の構成および充電システ� ��の共振性およびシールド性(発熱状態)を評� �して下記表1に示す結果を得た。

 なお、送電電流は1A、送電電力は1.5Wとし� ��。シールド性の評価基準として、2次コイル 、磁性デバイスの裏面にバッテリ-を配置し� �送電を1時間行った際に、温度上昇が35℃以� �になる場合にはシールド性は×と評価し、33� ��以上35℃未満の場合には△と評価し、33℃未 満になる場合は○と評価した。また、共振性 の評価基準として、1次コイルがバッテリー� �設置したRF-IDタグ信号を100%受信できた場合� �○と評価し、誤り率が5%未満であった場合を △と評価し、それ以上の誤り率であった場合 を×と評価した。

  [表1]

 上記表1に示す結果から明らかなように、 各実施例に係る受電装置は共振性およびシー ルド性が良好であった。