Beschreibung

Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische

Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement, eine optoelektronische

Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt .

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,

beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete

Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle . Ein herkömmliches organisches

optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen

funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen . Das organische funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht (en) auf , in der/denen

elektromagnetische Strahlung erzeugt wi d, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten („Charge generating layer" , CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte (n) , auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elekt onentransportschien { en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten .

Bei einem herkömmlichen elektronischen Vorschaltgerät für eine Leuchtdiode sind auf der Leiterplatte des elektronischen Vorschaltgerätes neben den Kontakten zum Beströmen der

Leuchtdiode zwei zusätzliche Kontakte vorgesehen, an welche bereits bei der LED- und Elektronik-Bestückung der für ein ermitteltes Universalvorschaltgerat berechnete elektrische Widerstand angeschlossen wird. Somit braucht der Benutzer für den Betrieb der Leuchtdiode diese nur noch an das

Vorschaltgerät anschließen . Das elektronische Vorschaltgerät verraisst den elektrischen Widerstand und stellt entsprechend einer Um echnungsforme1 einen Strom mit einer korrelierten Stromstärke am Ausgang für die Leuchtdiode des elektronischen Vorschaltgerätes bereit .

Organische Leuchtdioden können in einer Vielzahl von

Ausgestaltungen ausgebildet werden, beispielswiese mit unterschiedlichsten Technologien, Materialien, Größen und Formen . Daraus resultiert eine Vielzahl an verschiedenen Nennströmen für die Vielzahl an organischen Leuchtdioden . Von der Vielzahl an organischen Leuchtdioden kann jede

Ausgestaltung mit einem anderen Nennstrom betrieben werden . Aufgrund der Vielzahl an Ausgestaltungen von organischen

Leuchtdioden können einzelne Ausgestaltungen beispielsweise in der LED-Technologie unübliche Betriebsströme aufweisen, beispielsweise einen Betriebsstrom von 123 mA oder ähnliches . Damit der Nennstrom bei der Vielzahl an organischen

Leuchtdioden ungefähr gleich ist, werden elektronische

Vorschaltgerate benötigt mit einstellbarer

AusgangsStromstärke bzw. Ausgangsspannung .

Zum Betreiben einer organischen Leuchtdiode wird herkömmlich das individuell einstellbare , elektronische Vorschaltgerät einer herkömmlichen, anorganischen Leuchtdiode verwendet . Ein solches elektronisches Vorschaltgerät stellt einen

elektrischen Strom in einem breiten Stromstärkebereich bereit und kann j eden beliebigen Stromstärkewert oder zumindest fein abgestufte Stromstärkewerte in diesem Bereich zulassen.

Eine organische Leuchtdiode sollte aus Anwendersicht

möglichst einfach und ohne tiefere technische Vorkenntnisse in einer Vorrichtung oder einem Bauelement verbaut werden können . Weiterhin sollte die Integration des

optoelektronischen Bauelementes in eine Vorrichtung keinen besonderen Aufwand erfordern. In einem herkömmlichen Verfahren ist es für den Benutzer von organischen Leuchtdioden erforderlich die notwendige

Nennstromstärke der organischen Leuchtdiode aus dem

Datenblatt zu entnehmen . Der Benutzer hat dann die

Nennstromstärke mittels Formel oder Tabelle in einen

Widerstandswert umzurechnen. Anschließend hat der Benutzer den WiderStandswert an Werte herkömmlich verfügbarer

Widerstände anzunähern . Zum Schluss hat der Benutzer den Widerstand an die Schnittstelle des elektronischen

Vorschaltgerätes korrekt anzuschließen . Viele Benutzer organischer Leuchtdioden möchten/können sich nicht mit dieser Vielzahl an technischen Entscheidungen auseinandersetzten bzw. möchten den erforderlichen technischen Aufwand nicht betreiben, sondern bevorzugen technisch einfache Lösungen, beispielsweise Einstecken und Betreiben (Plug & Play) . Auch wenn der Benutzer diese Entscheidungen treffen kann und diesen Aufwand betreibt, können potenziell Fehler auftreten. Beispielsweise können Berechnungen fehlerhaft sein, falsche Widerstände verwendet werden, beispielsweise falsche

Widerstände geliefert oder bestückt werden; und/oder der Widerstand falsch Kontaktiert werden. Falsche

Widerstandswerte können zu einem Betreiben der organischen Leuchtdiode mit einem falschen Strom führen . In der Regel wird der Ausgangstrom des Vorschaltgerätes nach dem

Einstellen der Stromstärke nicht nachgemessen . Dadurch kann ein falsch eingestellter Strom nicht gleich erkannt werden, wodurch die organische Leuchtdiode beschädigt werden kann.

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement , eine optoelektronische

Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , ein technisch einfacher zu betreibendes

organisches , optoelektronisches Bauelement auszubilden bzw. zu betreiben.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein

optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , das optoelektronische Bauelement aufweisend: eine flächige optisch aktive Struktur und eine elektrische

Schaltungsstruktur, wobei die flächige optisch aktive

Struktur zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist; und wobei die elektrische Schaltungsstruktur derart ausgebildet ist, das s sie einen Ausgabewert bereitstellt, wobei der Ausgabewert abhängig ist von wenigstens einem Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur ist.

In einer Ausgestaltung kann die flächige optisch aktive

Struktur eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine

Betriebsparameter abhängig sein von der elektrischen

Stromstärke und/oder Stromdichte des Betriebsstromes und/oder der Betriebsspannung der optisch aktiven Struktur.

In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine

Betriebsparameter abhängig sein von der flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur.

In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine

Betriebsparameter abhängig sein von der Spannung und/oder der Lichtfarbe.

Flächige optoelektronische Bauelemente der gleichen Bauart aber mit unterschiedlicher flächiger Abmessung sollten mit einer gleichen Stromdichte betrieben werden. Dadurch kann eine gleiche Alterung und Lebenszeit der optoelektronischen Bauelemente unterschiedlicher flächiger Abmessungen

ausgebildet werden, beispielsweise mit einem gleichen

Helligkeitseindruck aufgrund der gleichbleibenden

Leuchtdichte und/oder einem gleichen Farbort . Aufgrund der unterschiedlichen flächigen Abmessungen werden für das

Bereitstellen einer gleichen Stromdichte für die

unterschiedlichen optoelektronischen Bauelemente elektrische Ströme mit unterschiedlichen Stromstärken benötigt. Somit kann ein Betriebsparameter, beispielsweise die benötigte Stromstärke, abhängig sein von der bauelementeindividuellen flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur . Weitere Betriebsparameter eines optoelektronischen

Bauelementes können abhängig sein von prozessbedingten

Schwankungen, beispielsweise der Schichtdicke, einer lokalen Stoffkonzentrationen, der Defektdichte . Dadurch können zwei optoelektronische Bauelemente einer Bauart und gleicher flächiger Abmessung unterschiedliche elektrische

Eigenschaften, beispielsweise unterschiedliche Kapazitäten, elektrische Widerstände, Induktivitäten; und/oder

unterschiedliche optische Eigenschaften, beispielsweise Farborte und/oder Intensität absorbierbarer und/oder

emittierbarer elektromagnetischer Strahlung; aufweisen.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur einen elektrischen Widerstand aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von dem elektrischen

Widerstandswert des elektrischen Widerstandes ist .

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur einen Kondensator aufweisen, wobei der

Ausgabewert abhängig von der Kapazität des Kondensators ist.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur ein Induktivität-Bauelement aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Induktivität des

Induktivität-Bauelementes ist.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur eine Leiterstruktur aufweisen, wobei die

Leiterstruktur mehrere elektrische Leitungen aufweist derart, dass der Ausgabewert abhängig ist von dem Bit-Muster der mehreren elektrischen Leitungen, Mit anderen Worten: der Ausgabewert kann abhängig sein von der Kombination von

Verbindungen bzw. Überbrückungen und Unterbrechungen zwischen den mehreren elektrischen Leitungen .

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur einen ersten Stromanschluss und wenigstens einen zweiten Stromanschluss aufweisen, wobei der erste

Stromanschluss mit dem zweiten Stromanschluss elektrisch verbunden ist . Beispielsweise kann der erste Stromanschluss als Stromeingang und der zweite Stromanschluss als

Stromausgang ausgebildet sein.

In einer Ausgestal ung kann die elektrische

Schaltungsstruktur einen Stromeingang und mehrere

Stromausgänge aufweisen, wobei die mehreren Stromausgange mit dem einen Stromeingang vor dem Ausbilden des Bit -Muster elektrisch verbunden sind. Dadurch kann beispielsweise eine elektrische Schaltungsstruktur mit einem Bit-Muster mit lediglich einem Stromeingang realisiert werden. Das Bit- Muster kann ausgebildet sein, indem bestimmte Leitungen der mehreren Leitungen Unterbrechungen zwischen dem Stromeingang und ihrem Stromausgang aufweisen. Dadurch sind die

Stromausgänge dieser Leitungen nicht mit dem Stromeingang verbunden .

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schal ungsstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Abdeckung aufweisen, wobei die Abdeckung auf der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet ist; oder wobei die elektrische Schaltungsstruktur auf der Abdeckung

ausgebildet ist . In der Ausgestaltung mit der Abdeckung auf der elektrischen Schaltungsstruktur kann die Abdeckung die elektrische Schaltungsstruktur und/oder die optische aktive Struktur vor schädlichen Stoffen schützen, beispielsweise hinsichtlich Wasser und/oder Sauerstoff , beispielsweise hinsichtlich einer Oxidation; und/oder vor mechanischen

Beschädigungen, beispielsweise Verkratzungen.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur neben der optisch aktiven Struktur

ausgebildet sein, beispielsweise im optisch inaktiven

Bereich .

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur eine weitere Abdeckung aufweisen. Die weitere Abdeckung kann vereinzelt sein hinsichtlich der

Abdeckung der optisch aktiven Struktur. Die elektrische

Schaltungsstruktur und die optisch aktive Struktur können j edoch auch eine gemeinsame Abdeckung aufweisen . In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur und die flächige optisch aktive Struktur wenigstens eine gemeinsame Elektrode aufweisen .

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur mit wenigstens einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur elektrisch verbunden sein.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur einen elektrischen Speicher aufweisen, wobei der Ausgabewert in dem elektrischen Speicher elektrisch auslesbar gespeichert ist . In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur eine Schnittstelle aufweisen, wobei die Schnittstelle einen oder mehrere Anschlüsse aufweist und wobei die Schnittstelle zum elektrischen Auslesen des

Ausgabewertes eingerichtet ist.

In einer Ausgestaltung kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer flächigen optisch aktiven Struktur, wobei die flächige optisch aktive Struktur zum Aufnehmen oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird;

Ermitteln wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur des optoelektronischen Bauelementes; und Ausbilden einer elektrischen Schaltungsstruktur unter

Berücksichtigung des ermittelten Betriebsparameters derart, dass der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eine Funktion des ermittelten Betriebsparameters ist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer ersten

Elektrode, ein Ausbilden einer organischen funktionellen

Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode, und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer

Fotodetektor ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der elektrischen

Stromstärke des Betriebsstromes der optisch aktiven Struktur . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der flächigen

Abmessung der optisch aktiven Struktur .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der Spannung

und/oder der Lichtfarbe .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines

elektrischen Widerstandes aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von dem elektrischen Widerstandswert des

elektrischen Widerstandes ist .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines

Kondensators aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Kapazität des Kondensators ist .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines

Induktivität-Bauelementes aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Induktivität des Induktivität -Bauelementes ist . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer

Leiterstruktur aufweisen, wobei die Leiterstruktur mit mehrerer elektrischen Leitungen ausgebildet wird derart , dass der Ausgabewert abhängig ist von dem Bit-Muster der mehreren elektrischen Leitungen . Mit anderen Worten: der Ausgäbewert kann abhängig sein von der Kombination von Verbindungen bzw. Überbrückungen und Unterbrechungen zwischen den mehreren elektrischen Leitungen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines ersten

Stromanschlusses und wenigstens eines zweiten

Stromanschlusses aufweisen, wobei der erste Stromanschluss mit dem zweiten Stromanschluss elektrisch verbunden wird .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines

Stromeingangs und mehrerer Stromausgänge aufweisen, wobei die mehreren Stromausgänge vor dem Ausbilden des Bit-Muster mit dem einen Stromeingang elektrisch verbunden werden . Das Bit- Muster kann ausgebildet werden, indem bei bestimmten

Leitungen der mehreren Leitungen Unterbrechungen zwischen dem Stromeingang und ihrem Stromausgang ausgebildet werden.

Dadurch sind die Stromausgänge dieser Leitungen nicht mit dem Stromeingang verbunden .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ferner ein Ausbilden einer Abdeckung aufweisen, wobei die Abdeckung auf der elektrischen

Schaltungsstruktur ausgebildet wird; oder wobei die

elektrische Schaltungsstruktur auf der Abdeckung ausgebildet wird . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur neben der optisch aktiven Struktur

ausgebildet werden .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ferner ein Ausbilden einer weiteren Abdeckung aufweisen, wobei die weitere Abdeckung über der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet wird. Die weitere Abdeckung kann vereinzelt ausgebildet hinsichtlich der Abdeckung der optisch aktiven Struktur . Die elektrische Schaltungsstruktur und die optisch aktive

Struktur können jedoch auch mit einer gemeinsamen Abdeckung ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur und die flächige optisch aktive Struktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens eine

gemeinsame Elektrode aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Scha1tungsstruktur mit wenigstens einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur elektrisch verbunden werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Strukturieren der

elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer

elektrisch isolierenden Struktur und/oder ein Ausbilden einer elektrischen Überbrückungsstruktur in der elektrischen

Schaltungsvorstruktur auf eisen .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur und/oder das Ausbilden der elektrischen Überbrückungss ruktur derart ausgebildet sein, dass die Kapazität eines Kondensators der Widerstandswert eines elektrischen Widerstandes ; die Induktivität eines Induktivität -Bauelementes ; und/oder das Bit-Muster einer Leiterstruktur ausgebildet werden hinsichtlich des

ermittelten Betriebsparameters . In einer Ausges altung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur eine Laserablation

aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsvorstruktur mit einer ersten elektrisch leitenden Struktur und wenigstens einer zweiten elektrisch leitenden Struktur ausgebildet werden, wobei die erste elektrisch leitende Struktur elektrisch isoliert von der zweiten

elektrisch leitenden Struktur ausgebildet wird.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Überbrückungsstruktur ein Ausbilden einer elektrischen

Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden Struktur aufweisen .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Verbindung ein Aufbringen eines elektrisch leitenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden Struktur aufweisen .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein Ausbilden eines

elektrisch isolierenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden

Struktur aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsvorstruktur mit einer dritten elektrisch leitenden Struktur ausgebildet werden .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein Entfernen eines Teils der dritten elektrischen leitenden Struktur aufweisen derart, dass eine vierte elektrisch leitende Struktur und eine fünfte elektrisch leitende Struktur ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die vierte elektrisch leitende Struktur elektrisch von der fünften elektrisch leitenden Struktur isoliert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels des

Entfernens des Teils der dritten elektrisch leitenden

Struktur der Strompfad durch die elektrische

Schaltungsstruktur verändert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines

elektrischen Speichers aufweisen, wobei der elektrische Speicher derart ausgebildet wird, dass der Ausgabewert in dem elektrischen Speicher elektrisch auslesbar speicherbar ist .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer

Schnittstelle aufweisen, wobei die Schnittstelle mit einem oder mehreren Anschlüssen ausgebildet wird, und wobei die Schnittstelle zum elektrischen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet wird.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet werden.

In verschiedenen Ausführungsformen wird eine

optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt , die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement gemäß oben dargestellter

Ausgestaltungen; ein elektronisches Vorschaltgerät , das zu einem Bereitstellen eines elektrischen Stromes an die flächige optisch aktive Struktur und/oder zu einem Aufnehmen eines elektrischen Stroms aus der optisch aktiven Struktur eingerichtet ist ; wobei das elektronische Vorschaltgerät einen ersten Anschluss , einen zweiten Anschluss und eine Ermittlungs -Vorrichtung aufweist, wobei die Ermittlungs- Vorrichtung mit dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss elektrisch gekoppelt ist; wobei die flächige optisch aktive Struktur mit dem ersten Anschluss elektrisch verbunden ist, und die elektrische Schaltungsstruktur mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist; wobei die

Ermittlungs-Vorrichtung zum Ermitteln des Ausgabewertes der elektrischen Schaltungsstruktur eingerichtet ist und mittels des ermittelten Ausgabewertes wenigstens einen

Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur hinsichtlich eines vorgegebenen Betriebsparameters verändert.

Mittels der elektrischen Kopplung der Ermittlungs-Vorrichtung mit dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss kann die Ermittlungs-Vorrichtung den ermittelten Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur ermitteln. Dadurch kann die Ermittlungs-Vorrichtung die mittels des funktionalen

Zusammenhangs ermittelte Information über einen auszugebenden wenigstens einen Betriebsparameter an den zweiten Anschluss weiterleiten . In einer Ausgestaltung der optoelektronischen

Bauelementevorrichtung kann der vorgegebene Betriebsparameter eine für die flächige optisch aktive Struktur spezifizierte Stromstärke und/oder Stromdichte und/oder Spannung sein, beispielsweise hinsichtlich der flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen

Figuren 1A, B schematische Ansichten eines

optoelektronischen Bauelementes gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figuren 2A, B schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ; Figuren 3A, B schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ;

Figuren 4A, B schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ; Figur 5 eine schematische Darstellung zu einem

Verfahren zum Ausbilden eines

optoelektronisches Bauelementes gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen; und Figuren 6A-E schematische Darstellungen elektrischer

Schaltungsstrukturen gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispiele .

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die

Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da

Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches

Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung (Ä-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist,

Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der

Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische

Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden, beispielsweise als ein planparalles

optoelektronisches Bauelement .

Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven

Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise transparent oder transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,

beispielsweise zur Wärraeverteilung, Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von

elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von

elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten

elektromagnetischen Strahlung verstanden werden.

Ein elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode { light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden

Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse, In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein

optoelektronisches Bauelement als eine organische Leuchtdiode {organic light emitting diode - OLED) , ein organischer

Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle

Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer

elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist.

Das optoelektronische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode, ein organischer Fotodetektor oder eine

organische Solarzelle ausgebildet sein.

Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem optisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des optisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .

Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen

Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein. Fig.1A, B zeigen schematische Ansichten eines

optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 100 weist eine elektrische Schaltungsstruktur 130 und eine flächige optisch aktive

Struktur 150 auf. Die elektrische Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive Struktur 150 können monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement 100 integriert sein, beispielsweise auf oder über einem gemeinsamen Träger oder Substrat ausgebildet sein.

Ausgestaltungen der optisch aktiven Struktur 150 des

optoelektronischen Bauelementes 100 werden ausführlicher in Fig.lB beschrieben. Ausgestaltungen der elektrischen

Schaltungsstruktur 130 des optoelektronischen Bauelementes 100 werden ausführlicher in Fig.2 bis Fig.6 beschrieben.

Fig.lB zeigt eine schematische Querschnittsansicht des optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen entlang der in Fig.lA veranschaulichten Schnittebene A-A.

Das optoelektronische Bauelement 100 weist ein hermetisch dichtes Substrat, einen aktiven Bereich 106 und eine

Verkapselungsstruktur auf.

Das hermetisch dichte Substrat kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschicht 104 aufweisen.

Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 110, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische

funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, eine Zwischenschichtstruktur 118 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 aufweisen.

Die Verkapselungsstruktur kann eine zweite Barriereschicht 108, eine schlüssige VerbindungsSchicht 122 und eine

Abdeckung 124 aufweisen.

Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein

Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff

Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,

Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat { PEN) aufweisen oder daraus gebildet sei .

Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung , beispielsweise Stahl . Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.

Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.

Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder

absorbierten elektromagnetischen S rahlung des

optoelektronischen Bauelementes 100.

Die erste Barriereschicht 104 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:

Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,

Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und

Legierungen derselben.

Die erste Barriereschicht 104 kann mittels eines der

folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten

Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses

Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer

Deposition ( PLALD) ) ; ein chemisches

Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses

Gasphasenabscheideverfahren {Plasma- less Chemical Vapor

Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren . Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere

Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD- Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.

Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere

Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere

Teilschichten der ersten Barriereschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .

Die erste Barriereschicht 104 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nra

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,

beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die erste Barriereschicht 104 kann ein oder mehrere

hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste

Barriereschicht 104 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht

ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.

Die erste Elektrode 104 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind;

ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die

beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus

halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges

Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren

Komposite . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden

Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide :

beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären

MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnÜ2 , oder Ιη2©3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln ₂ 0 ₄ ,

GalnOß , Z^In^Os oder In ₄ Sn30_2 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin

entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.

Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine

Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Die erste Elektrode 104 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,

beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.

Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.

In Fig.lB ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 116 und einer zweite organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 120 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4 , 5, 6, 7 , 8 , 9, 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 und die optional weiteren organischen funktionellen

Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder

unterschiedliches Emittermaterial aufweisen . Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen

Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 116 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine

Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine

ElektronentransportSchicht und eine

Elektroneninj ektionsschicht aufweisen.

I einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein .

Eine Lochinj ektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu (I) FBz , MoO _x , W0 _X , VO _x , ReO _x , F4-TCNQ, NDP-2 , NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-1 -yl ) -N,N* -bis (phenyl) -benzidin) ; beta- PB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD {N, N ' -Bis (3 -methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N,N* -bis (phenyl) -spiro) DMFL-TPD N, ¹ -Bis ( 3 -methylphenyl ) - , N ' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl- fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ¹ -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2 - yl-N,N' -bis -phenyl -amino) -phenyl] - 9H-fluor;

N, ' -bis (phenanthren-9-yl) -N, N ¹ -bis (phenyl) -benzidin;

2 , 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9 -spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9, 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- {N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;

2,2' ,7,7' -tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.

Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.

Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine

LochtransportSchicht ausgebildet sein . Die

LochtransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, N ' - Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ¹ -Bis (naphthalen-2 -yl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;

Spiro-NPB (N, N ¹ -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) - 9 , 9 -dimethyl- f luoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) - 9 , 9-diphenyl- fluoren) ; DPFL-

NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9 , 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, -diphenylamino) - 9, 9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9 -Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9 -Bis [4 - (N, N ' -bis-naphthalen- 2 - yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;

N, ¹ -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, -bis { 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di -phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren ; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ¹ - tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und N,

Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder

Polyethylendioxythiophen .

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine

Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen

funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 , 120 kann j eweils eine oder mehrere Emitterschichten auf eisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern .

Eine Emitterschicht kann organische Polymere , organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein .

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer

Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis {3, 5-difluoro-2 - ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [ , 4 ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

(9 , 10-Bis [Ν,Ν-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer

technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die

Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind . Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 116 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind. Auf oder über der Emitterschicht kann eine

Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .

Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ; 2,2' ,2" - ( 1 , 3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2 - (4-Biphenylyl) -5- { 4 - tert-butyIphenyl ) - 1, 3 , 4 -oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen- 1-yl ) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , 4 -triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine- 6 -yl ) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl- 1 , 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2 , 4 -triazole ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2 -y1 ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1,3, -oxadiazo-5 -yl] -9, -dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2 - (4 -tert-butyIphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis {naphthalen- 2 -yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;

Tris (2,4, 6-trimethyl-3 - (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] henanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr

50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschient kann eine

Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die

Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs ₂ C0 ₃ , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF;

2,2' ,2 ^» -(1,3, 5-Benzinetriyl} -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl } -5- (4 - tert -butylphenyl ) - 1 , 3, 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (Naphthalen-1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl-4H-l , 2 , 4 - triazole ; 1,3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo-5-yl] benzene 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2 , 4-triazole,- Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2 ^■ -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10 -di (naphthalen-2 -yl ) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine- 6 -y1) -1,3 , -oxadiazo- 5 -yl] -9 , 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- ( 4 -tert-butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] benzene; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ; 2 , 9- Bis (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ;

Tris (2,4, 6- trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4, 5- f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl -dipyrenylphosphine o ide ;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.

Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 116 , 120 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten 116, 120 kann eine

Zwischenschichtstruktur 118 ausgebildet sein.

In verschiedenen Au führungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 118 als eine Zwischenelektrode 118 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der

Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine

Zwischenelektrode 118 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 118 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 118 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 118 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 118 {Charge generation layer CGL ) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 kann eine oder mehrere

elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende

Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten truktur 118 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen.

Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, 120 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μν , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die

Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen

Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.

Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode .

Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches

Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle

bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die

Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V,

Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 108 ausgebildet sein. Die zweite Barriereschicht 108 kann auch als

Dünnschicht erkapselung (thin film encapsulation TFE )

bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 108 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 104 ausgebildet sein.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite

Barriereschicht 108 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 124, beispielsweise eine

Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner können in verschiedenen Ausf hrungsbeispielen

zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 {nicht dargestellt) oder eine interne

Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt

Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere

Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 108) in dem optoelektronischen

Bauelement 100 vorgesehen sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 108 eine schlüssige

Verbindungs chiebt 122 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mitteis der schlüssigen Verbindungsschiebt 122 kann eine Abdeckung 124 auf der zweiten Barriereschicht 108 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.

Eine schlüssige Verbindungsschicht 122 aus einem

transparenten Material kann beispielsweise Partikel

aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,

beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der

Auskoppeleffizienz führen. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiC^) , Zinkoxid

(ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid { IZO) , Galliumoxid (G 20 _x ) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 122 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die schlüssige Verbindungsschicht 122 kann eine Schichtdicke von größer als 1 /im aufweisen, beispielsweise eine

Schichtdicke von mehreren μτη. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die schlüssige VerbindungsSchicht 122 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.

Die schlüssige VerbindungsSchicht 122 kann derart

eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem

Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der

Brechungsindex der Abdeckung 12 . Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise

hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist , der

ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch

funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen VerbindungsSchicht 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht

dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μν , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτη, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen

Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 122 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 124 direkt auf der zweiten Barriereschicht 108 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 124 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.

Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter- Schicht oder Getter- Struktur,

beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .

Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet. Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann

transluzent, transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein.

Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μν ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 122 eingebettet sein.

Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 ausgebildet sein. Die Abdeckung 124 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 124 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 124, eine

Metallfolienabdeckung 124 oder eine abgedichtete

Kunststofffolien-Abdeckung 124 sein. Die Glasabdeckung 124 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömml ichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 108 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden.

Die Abdeckung 124 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 122 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.

Fig .2A, B zeigen schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes.

Eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 200 kann ein optoelektronisches Bauelement 100, gemäß einer der

Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l, und eine

elektronisches Vorschaltgerät 124 aufweisen (veranschaulicht in Fig.2A) . Die elektrische Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive Struktur 150 können monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement 100 integriert sein. In Fig .2A ist die monolithische Integration veranschaulicht mittels der gestrichelten Kontur des optoelektronischen

Bauelementes der Fig.l.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive

Struktur 150 einen gemeinsamen Träger 102 aufweisen.

In einer Ausgestaltung kann die elektrische

Schaltungsstruktur 130 auf oder über den Träger 102 und/oder auf , über oder neben der flächigen optisch aktiven Struktur 150 aufgeklebt werden, beispielsweise auflaminiert werden.

Die in Fig .1B veranschaulichte erste Elektrode 110 und zweite Elektrode 114 der optisch aktiven Struktur 150 kann mit einem ersten Anschluss 204A bzw. einem zweiten Anschluss 204B eines elektronischen Vorschaltgerätes 214 verbunden sein,

beispielsweise mit einem Stromausgang des elektronischen

Vorschaltgerätes 214. Mit dem elektronischen Vorschaltgerät 214 ist weiterhin die elektrische Schaltungsstruktur 130 mittels der Anschlüsse 206A, 206B elektrisch verbunden, beispielsweise mit einem Signaleingang des elektronischen Vorschaltgerätes 214. Die Anschlüsse 206A, 206B können Teil einer Schnittstelle sein oder eine solche bilden.

In einer Ausgestaltung können die Anschlüsse 206A, 206B mit einem elektrischen Speicher (nicht dargestellt) elektrisch verbunden sein, wobei in dem elektrischen Speicher der

Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130

elektrisch auslesbar gespeichert ist .

In einer Ausgestaltung kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet sein, beispielsweise ein Induktivität-Bauelement aufweisen. Das Induktivität-Bauelement kann beispielsweise zur Radio- Frequenz - Identifizierung (radio frequency Identification - RFID) ausgebildet sein.

Die elektrische Schaltungsstruktur 130 kann einen

elektrischen Widerstand 202 aufweisen. Der Widerstandswert des elektrischen Widerstandes 202 ist eine Funktion

wenigstens eines elektrischen Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur 150. Beispielsweise kann der Widerstandswert 210 eine Funktion 212 des Betriebsstromes 208 des optisch aktiven Bereiches sein (veranschaulicht in Fig . 2B ) . Der maximale Betriebsström (in Fig .2B veranschaulicht als Plateau 216} kann von der Bauart des elektronischen Vorschaltgerätes 214 begrenzt sein, beispielsweise weil dieses keine höheren Betriebsströme bereitstellen kann. Der funktionale

Zusammenhang 212 des Widerstandswertes 210 von dem

anzulegenden Betriebstrom 208 kann einen linearen oder nichtlinearen Verlauf aufweisen, beispielsweise einen

exponentiellen, hyperbolischen, geometrischen und/oder logarithmischen Verlauf ; und/oder eine oder mehrere

Unstetigkeiten aufweisen. Der funktionale Zusammenhang 212 kann abhängig sein von der stofflichen und/oder strukturellen Ausgestaltung der optisch aktiven Struktur 150. Weiterhin kann der funktionale Zusammenhang 212 abhängig sein von der geometrischen Abmessung der optisch aktiven Struktur 150, beispielsweise dem Betrag der Oberfläche der optisch aktiven Seite der optisch aktiven Struktur 150. Mittels des

funktionalen Zusammenhangs 212 kann die Abhängigkeit des Ausgangsstroms, der Ausgangstromdichte und/oder der

AusgangsSpannung des Vorschaltgeräts von beispielsweise dem messbaren elektrischen Widerstand der elektrischen

Schaltungsstruktur beschreiben. Eine elektrische

Schaltungsstruktur kann einen Widerstandwert 202 in dem funktionalen Zusammenhang 212 aufweisen. Mit anderen Worten: mittels des Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur, beispielsweise dem Arbeitspunkt der organischen Leuchtdiode, wird ein Punkt auf der veranschaulichten Kurve 212

festgelegt .

Der Betriebsstrom 208 kann an die flächige optisch aktive Struktur 150 mittels der Anschlüsse 204A, 204B bereitgestellt werden, wobei der Betriebsstrom 208 der flächigen optisch aktiven Struktur 150 durch die flächige optisch aktive

Struktur 150 fließt, wobei die elektrische Schaltungsstruktur

130 frei bleibt von dem Betriebsstrom 208, der zum Betreiben der optisch aktiven Struktur 150 zu der optisch aktiven

Struktur 150 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten, im Betrieb der flächigen optisch aktiven Struktur fließt der Betriebsstrom 208 nicht durch die elektrische

Schaltungsstruktur 130. Dies hat beispielsweise zur Folge, dass die flächige optisch aktive Struktur 150 unabhängig von der elektrischen Schaltungsstruktur 130 betrieben werden kann. Ferner kann der Ausgabewert vor der Inbetriebnahme der flächigen optisch aktiven Struktur 150 ausgelesen werden und der Betriebsstrom 208 beziehungsweise die Betriebsspannung gemäß des Ausgabewertes an die flächige optisch aktive

Struktur 150 bereitgestellt werden. Fig.3A, B zeigen schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispie1s eines optoelektronischen Bauelementes. Weiterhin zu den oben beschrieben Ausgestaltungen kann die elektrische Schaltungsstruktur 130 der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 einen Kondensator 302 aufweisen (veranschaulicht in Fig.3A) und/oder eine Induktivität

( Induktivität -Bauelement } , Eine Induktivität kann

beispielsweise eine Spule sein. Eine Spule kann

beispielsweise eine Leiterbahn sein, die in einer Ebene um eine Windungsachse ausgebildet ist (nicht veranschaulicht) . Ein Kondensator 302 weist ein Dielektrikum zwischen zwei elektrisch leitenden Strukturen auf (siehe auch Fig.6) .

Der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130 an den Anschlüssen 206A. 206B des elektronischen

Vorschaltgerätes 214 kann eine Funktion der Kapazität des Kondensators bzw. eine Funktion der Induktivität des

Induktivität-Bauelementes sein.

In Fig.3B ist analog zu Fig .2B der funktionale Zusammenhang 306 des von dem elektronischen Vorschaltgerät 214

bereitgestellten Betriebsstromes 208 von der Kapazität 304 des Kondensators veranschaulicht. Der funktionale

Zusammenhang 306 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .2B ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine elektrische Schaltungsstruktur mehrere der oben beschriebenen

elektrischen Bauelemente aufweisen, beispielsweise einen elektrischen Widerstand, mehrere elektrische Widerstände und/oder einen oder mehrere Kondensator (en) . Die mehreren elektrischen Bauelemente können zum Einstellen des

Ausgabewertes an die Anschlüsse 206A, 206B mehrere elektrisch in Reihe und/oder in Serie geschaltete elektrische

Bauelemente aufweisen. Der vom elektronischen

Vorschaltgerätausgegebene Strom und/oder die ausgegebene Spannung sind/ist abhängig vom Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur . Die elektrische Schaltungsstruktur ist derart ausgebildet, dass das elektronische Vorschaltgerät übermittelt bekommt , welcher Strom und/oder welche Spannung an die optisch aktive Struktur bereitgestellt werden soll . Die konkrete Ausgestaltung der elektrischen

Schaltungsstruktur kann abhängig sein von der Ausgestaltung des elektronischen Vorschaltgerates des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise ob das elektronische

Vorschaltgerät ein Bit-Muster auslesen kann. Weiterhin kann die konkrete Ausgestaltung davon abhängig sein, wie der

Betriebsstrom der optisch aktiven Struktur 150 funktional von dem Ausgabewert des elektronischen Vorschaltgerates abhängig ist , beispielsweise um unterschiedliche funktionale

Zusammenhänge für unterschiedliche elektronische

Vorschaltgeräte bereitzustellen. Diese funktionale

Abhängigkeit kann beispielsweise mittels der Ausgestaltung einer elektrischen Schaltung in dem elektronischen

Vorschaltgerät ausgebildet sein.

Fig.4A, B zeigen schematische Darstellungen eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes . Weiterhin zu den oben beschrieben Ausgestaltungen kann die elektrische Schaltungsstruktur 130 der optoelektronischen Baue1ementevorrichtung 400 eine elektrische Leiterstruktur aufweisen (veranschaulicht in Fig .4A) . Das elektronische Vorschaltgerät 214 kann zum Auslesen des Ausgabewertes der elektrischen Schaltungsstruktur 130 mit einer Leitungsstruktur mehrere Anschlüsse aufweisen (in

Fig.4A veranschaulicht als Anschlüsse 402A, 402B, 402C, 402D) . Die mehreren Anschlüsse können als separate Eingänge in dem elektronischen Vorschaltgerät vorgesehen sein .

Weiterhin können die unterschiedlichen Anschlüsse als

Kontakte für unterschiedliche Leitungen eines Kabels

ausgebildet sein, wobei das elektronische Vorschaltgerät einen Kabeleingang zum Auslesen der unterschiedlichen

Leitungen aufweist , beispielsweise eine Pin-Buchse . Weiterhin kann die Leiterstruktur derart ausgebildet sein, dass der Ausgabewert eine Funktion der elektrisch leitenden Leitungen 408A-D ist, d.h. abhängig von dem Bit-Muster 410 der unterschiedlichen Leitungen 408A-D sein. In Abhängigkeit von dem Bit-Muster 410 der elektrischen Leitungen 408

(veranschaulicht in Fig .4A mittels der Anschlüsse 404A-D und Überbrückungsmöglichkeiten 406) kann das elektronische

Vorschaltgerät 214 unterschiedliche elektrische

Betriebsparameter an den Anschlüssen 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 bereitstellen.

In Fig. B ist ein Ausführungsbeispiel eines funktionalen Zusammenhanges (analog zu der Beschreibung der Fig .2B und Fig .3B) des Betriebsstromes der optisch aktiven Struktur 150 für unterschiedliche Bit-Muster 410 der Leiterstruktur veranschaulicht. Das Bit-Muster wird mittels einer

Überbrückung 406 und/oder Unterbrechung 610 (siehe Fig.6} von elektrischen Leitungen 408A-D ausgebildet . Beispielsweise erhält das elektronische Vorschaltgerät 214 bei einer

Überbrückung eines ersten Anschlusses 402A mit dem zweiten Anschluss 402B die Information bzw. Aufforderung an die

Anschlüsse 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 einen Betriebsstrom von 100 mA bereitzustellen (in Fig .4B

hervorgehoben mittels der Einrahmung 412 ) . Die Überbrückung kann in dem Beispiel ausgebildet werden, indem die Leitungen 408A, 408B der Leiterstruktur im Bereich der Anschlüsse 404A, 404B der elektrischen Schaltungsstruktur in/auf dem

optoelektronischen Bauelement elektrisch miteinander

verbunden werden oder eine bestehende elektrische Verbindung elektrisch aufgetrennt wird (siehe auch Beschreibung der

Fig.6) .

Mittels weiterer Überbrückungen 406 (schematisch

veranschaulicht in Fig.4A) können dem elektronischen

Vorschaltgerät weitere Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur 150 übermittelt werden. Diese können von dem

elektronischen Vorschaltgerät 214 daraufhin an den

Anschlüssen 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 bereitgestellt werden. Weitere Betriebsparameter könne beispielsweise größere oder kleiner Betriebsströme ;

unterschiedliche Betriebsspannungen 414 und/oder

unterschiedliche Wechselstromfrequenzen 416 aufweisen.

Die Einträge der in Fig.4 B veranschaulichten Bit-Muster- Matrix sind Signale, die von dem elektronischen

Vorschaltgerät 214 als Information, Anordnungen und/oder Aufforderungen weiterverarbeitet werden.

Bei einem optoelektronischen Bauelement 100 und/oder einer optisch aktiven Struktur 150 mit mehreren elektrisch

unabhängig voneinander bestrombare , lichtemittierenden

Einheiten, kann wenigstens ein Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur dem elektronischen Vorschaltgerät 214 beispielsweise signalisieren, welches Abtastverhältnis, welche Pulsweiten, welche Pulsamplituden und/oder welche Pulsfrequenzen der Strom an den Anschlüssen 206 der optisch aktiven Struktur 150 aufweisen sollen.

Eine erste lichtemittierende Einheit ist von einer zweiten lichtemittierenden Einheit unabhängig bestrombar wenn das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet und

elektrisch ansteuerbar ist, dass in einem ersten

Betriebsmodus nur die erste lichtemittierende Einheit eine erste elektromagnetische Strahlung emittiert und in einem zweiten Betriebsmodus nur die zweite lichtemittierende

Einheit eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert. Dadurch kann beispielsweise der Farbort der innerhalb einer Äbtastzeit der im ersten Betriebsmodus und im zweiten

Betriebsmodus emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden.

Weiterhin kann das Bit -Muster mit oben beschrieben

Ausgestaltungen der elektrischen Schaltungsstruktur

kombiniert sein und umgekehrt. Beispielsweise kann bei wenigstens einem Teil der mehreren elektrischen Leitungen der Leiterstruktur ein elektrischer Widerstand ausgebildet werden. Neben dem Bit-Muster kann dadurch der Spannungsab ll über die jeweiligen Leitungen zur Übermittlung einer weiteren Information bzw. Aufforderung an das elektronische

Vorschaltgerät verwendet werden. Zusätzlich oder anstatt dem elektrischen Widerstand kann eine Leitung oder können mehrere Leitungen der Leiterstruktur eine Kapazität und/oder

Induktivität aufweisen oder derart ausgebildet sein. Mit anderen Worten: mittels einer Leiterstruktur kann neben dem Bit-Muster über weitere Kanäle, beispielsweise eine Messung des Spannungsabfalls über eine Leitung, weitere Informationen von der elektrischen Schaltungsstruktur für das elektronische Vorschaltgerät bereitgestellt werden.

Fig.5 zeigt eine schematische Darstellung zu einem Verfahren zum Ausbilden eines optoelektronisches Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Verfahren 500 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes ein Ausbilden 502 einer optisch aktiven Struktur auf. Die

flächige optisch aktive Struktur kann gemäß einer der

Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l bis Fig.4

ausgebildet werden. Weiterhin kann das Verfahren 500 ein Ermitteln 504 wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur der optisch aktiven Struktur des optoelektronischen Bauelementes aufweisen. Es können jedoch auch zwei oder mehr

Betriebsparameter gleichzeitig oder nacheinander ermittelt werden.

Ein Betriebsparameter kann eine der folgenden Größen

hinsichtlich des Betriebs der optisch aktiven Struktur aufweisen: die Stromstärke des Betriebsstromes; die

Betriebsspannung, die Frequenz des Betriebsstromes bei einem Wechselbetriebsstrom der optisch aktiven Struktur; der elektrische Widerstand der optisch aktiven Struktur; eine maximal zulässige Stromstärke oder Spannung; der ursprünglich Farbort und/oder die ursprüngliche Intensität der

emittierbaren oder absorbierbaren elektromagnetischen

Strahlung; eine maximal zulässige Temperatur; eine maximale Betriebsdauer; ein Koeffizient mit dem eine Steigerung oder Abnahme des Betriebsstroms oder anderer genannter Parameter, über die Lebensdauer festgelegt wird. Optoelektronische

Bauelemente, beispielsweise organische Leuchtdioden, werden mit zunehmender Betriebsdauer dunkler. Diese Abnahme der Intensität kann man mit zusätzlichem Strom ausgeglichen werden. Beispielsweise kann das elektronische Vorschaltgerät derart ausgebildet sein, dass das elektronischen

Vorschaltgerät - nachdem ihm übermittelt wurde, wie lange die organische Leuchtdiode bereits betrieben wird - mittels des übermittelten Koeffizienten berechnen, weicher Strom nach x Stunden Betrieb einzustellen ist.

Das Ermitteln 504 wenigstens eines Betriebsparameters kann die Messung eines Spannungsabfalls, einer Impedanz, einer Kapazität, eines Stroms, der optisch aktiven Struktur

aufweisen. Weiterhin kann das Ermitteln 504 ein Ermitteln des Farbortes und/oder der Intensität der in/von der optisch aktiven Struktur emittierbaren und/oder absorbieren

elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Der ursprünglich Farbort und/oder die ursprüngliche

Intensität der emittierbaren oder absorbierbaren

elektromagnetischen Strahlung können/kann von dem

elektronischen Vorsehaltgerät verwendet werden um eine alterungsbedingte Reduktion der Intensität und/oder eine alterungsbedingte Verschiebung des Farbortes der

emittierbaren und/oder absorbierbaren elektromagnetischen Strahlung auszugleichen. Dadurch kann die emittierte und/oder absorbierte elektromagnetische Strahlung während der

Lebenszeit des optoelektronischen Bauelementes einen

konstanten Farbort und/oder eine konstante Intensität aufweisen. Das Ermitteln 504 des Betriebsparameters, das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur, das Auslesen des

Ausgabewertes in dem elektronischen Vorschaltgerät und/oder das Anpassen des Betriebsparameters des Stromes an den

Anschlüssen der optisch aktiven Strukturen kann einmalig oder mehrmalig ausgebildet sein. Das einmalige Erfolgen oben genannter Verfahren kann vor und/oder während des Verbindens der optisch aktiven Struktur mit dem elektronischen

Vorschaltgerät erfolgen. Abweichend dazu kann das mehrmalige Erfolgen wenigstens eines der genannten Verfahren während des Betriebs des optoelektronischen Bauelementes aufweisen, beispielsweise wiederholt. Beispielsweise kann dadurch alterungsbedingte Änderungen optischer und/oder elektrischer Eigenschaften der optisch aktiven Struktur mittels eines Veränderns wenigstens eines Betriebsparameters kompensiert werden.

Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 506 einer

elektrischen Schaltungsstruktur unter Berücksichtigung des ermittelten Betriebsparameters aufweisen. Die elektrische Schaltungsstruktur wird derart ausgebildet, dass der

Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eine Funktion des ermittelten Betriebsparameters ist. Der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur kann wie oben beschrieben ein elektrischer Widerstandswert, eine Kapazität, eine

Induktivität und/oder ein Bit-Muster aufweisen oder sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Ausbilden 502 der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen. Das Ausbilden der

Schaltungsvorstruktur kann beispielsweise ein Ausbilden einer Metallisierungsschicht und/oder ein Ausbilden von einer oder mehreren elektrischen Leitungen und/oder einer oder mehreren elektrischen Strukturen aufweisen. Die Schaltungsvorstruktur kann auf und/oder neben der optisch aktiven Struktur

ausgebildet werden, beispielsweise auf oder über einem optisch inaktiven Bereich oder einer optisch inaktiven Seite eines optisch aktiven Bereiches. Beispielsweise kann die Schaltungsvorstruktur auf der Abdeckung der optisch aktiven Struktur und/oder auf einer Kontaktleiste der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden, In einer Ausgestaltung wird eine Abdeckung auf oder über der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet derart, dass ein Kontaktbereich der elektrischen Schaltungsstruktur frei liegt.

Die elektrische Schaltungsvorstruktur und/oder die elektrisch Schaltungsstruktur können/kann elektrisch isoliert von der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein oder werden.

Das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur kann ein Strukturieren der elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.

Die elektrische Schaltungsvorstruktur kann mittels des

Strukturierens zur elektrischen Schaltungsstruktur werden. Das Strukturieren kann ein Aufbringen oder Entfernen eines Stoffs oder Stoffgeraisches von der elektrischen

Schaltungsvorstruktur aufweisen.

Das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur 130 kann beispielsweise ein Ausbilden einer elektrisch

isolierenden Struktur und/oder ein Ausbilden einer

elektrischen Überbrückungsstruktur in der elektrischen

Schaltungsvorstruktur aufweisen.

Das Strukturieren kann jedoch auch ein Umwandeln eines Teils der elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen,

beispielsweise ein Dotieren. Dadurch kann die elektrische

Leitfähigkeit und/oder Magnetisierbarkeit des dotierten Teils der elektrischen Schaltungsvorstruktur verändert werden.

Dadurch kann beispielsweise der Strompfad in der elektrischen Schaltungsstruktur gemäß eines vorgegeben Strompfades ausgebildet werden.

Weiterhin können das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur und/oder das Ausbilden der elektrischen Überbrückungsstruktur können derart ausgebildet sein, dass die Kapazität eines Kondensators; der Widerstandswert eines elektrischen Widerstandes; die Induktivität eines

Induktivität-Bauelementes; und/oder das Bit-Muster einer

Leiterstruktur ausgebildet werden hinsichtlich eines

ermittelten Betriebsparameters .

Weiterhin kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein ballistisches Freilegen aufweisen,

beispielsweise eine Laserablation .

Ein ballistisches Freilegen der freizulegenden Bereiche kann beispielsweise mittels Beschuss des frei zulegenden Bereiches mit Partikeln, Molekülen, Atomen, Ionen, Elektronen und/oder Photonen realisiert werden.

Ein Beschuss mit Photonen kann beispielsweise als

Laserablation mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1700 nm ausgebildet sein, beispielsweise fokussiert , beispielsweise mit einem

Fokusdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 μπι bis ungefähr 2000 μπι, beispielsweise gepulst , beispielsweise mit einer Pulsdauer in einem Bereich von ungefähr 100 fs bis ungefähr 0 , 5 ms, beispielsweise mit einer Leistung von ungefähr 50 mW bis ungefähr 1000 mW, beispielsweise mit einer

2

Leistungsdichte von ungefähr 100 kW/cm bis ungefähr 10

2

GW/cm und beispielsweise mit einer Repititionsrate in einem Bereich von ungefähr 100 Hz bis ungefähr 1000 Hz ausgebildet werden.

Beispielsweise kann dadurch ein Teil eines elektrisch

leitenden Stoffs von der elektrischen Schaltungsvorstruktur entfernt werden . Dadurch kann beispielsweise ein elektrisch isolierender Stoff freigelegt werden. Dadurch kann beispielsweise der Strompfad umgelenkt werden . Weiterhin kann dadurch beispielsweise der elektrische Widerstand ausgebildet werden, beispielsweise indem der Strompfad eingeengt wird . Weiterhin kann dadurch die Kapazität eines Kondensators ausgebildet werden. Die elektrische Schaltungsvorstruktur kann mit einer ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und wenigstens einer zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B ausgebildet sein, wobei die erste elektrisch leitende Struktur 612A elektrisch isoliert von der zweiten elektrisch leitenden S ruktur 612B ausgebildet wird. Weiterhin kann die erste elektrisch

leitende Struktur 612A mittels eines elektrischen

Bauelementes elektrisch mit der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B verbunden ausgebildet werden . Weitere Ausgestaltungen zum Ausbilden einer elektrischen

Schaltungsstruktur sind in Fig.6 und zugehöriger Beschreibung veranschaulicht .

Fig.6A-E zeigen schematische Darstellungen elektrischer

Schaltungsstrukturen gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen.

Abweichend oder ergänzend zu oben beschriebenen Ausgestaltung sind in Fig .6A-E Ausgestaltungen von elektrischen

Schaltungsstrukturen veranschaulicht und beschrieben.

Die elektrische Scha11ungsstruktur 130 kann dadurch

ausgebildet werden, dass ein Teil einer

Metallisierungsschicht entfernt wird (veranschaulicht in

Fig .6A und Fig.6B) , beispielsweise mittels einer

Laserabiation (siehe Beschreibung der Fig .5 } . In Fig .6A und Fig.6B ist der entfernte Teil einer Metallisierungsschicht mit den Pfeilen mit den Bezugszeichen 602 gekennzeichnet . Der mittels des entfernten Teils 602 von der Metallisierungsebene elektrisch vereinzelte Bereich (gekennzeichnet mit de Pfeil mit dem Bezugszeichen 604 ) kann eine elektrische

Schaltungsstruktur oder elektrische Schaltungsvorstruktur ausbilden. Der elektrisch vereinzelte Bereich 604, beispielsweise eine elektrische Leitung, kann beispielsweise eine Breite in einem Bereich von ungefähr 500 ß bis ungefähr 5 mm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis

ungefähr 2 mm.

Die elektrischen Anschlüsse 206A, 206B können beispielsweise mittels einer Klebeverbindung mit elektrisch leitfähigem Klebstoff (anisotropic conductive film bonding - ACF-bonding) mit einer flexiblen Leiterplatte (flexible printed circuit board - FlexPCB) mit dem elektronischen Vorschaltgerät elektrisch verbunden werden . Es kann, gemäß der Beschreibung oben und nachfolgend, ein elektrischer Widerstand 202 ausgebildet werden.

Beispielsweise kann der elektrisch vereinzelte Bereich eine Verjüngung im Strompfad aufweisen, sodass der elektrische Widerstand der elektrischen Schaltungsstruktur 130 und somit der Spannungsabfall über die elektrische Schaltungsstruktur 130 erhöht wird.

In Fig.6A ist ein elektrischer Widerstand 202 aus einem dünnen Metall veranschaulicht , wobei die Metallisation 604 mittels Laserabiationslinien 602 von der umgebenden

Metallisierung 618 elektrisch isoliert ist . Der elektrische Widerstand vom ersten Anschluss 206A zum zweiten Anschluss 206B identifiziert das optoelektronische Bauelement für das elektronische Vorschaltgerät . Dieses kann daraufhin die elektrische Stromversorgung automatisch hinsichtlich der optisch aktiven Struktur einstellen und einen richtigen Strom bereitstellen, um das optoelektronische Bauelement elektrisch zu verbinden und zu betreiben. Jedes optoelektronische

Bauelement kann beispielsweise eine elektrische

Schaltungsstruktur mit einem bauelementeindividuellen elektrischen Widerstand aufweisen. Weiterhin kann mittels eines Entfernens einer

Metallisierungsschicht eine Leiterstruktur mit mehreren elektrischen Leitungen 408 ausgebildet werden

(veranschaulicht in Fig . 6B) . Eine Leitung kann einen ersten Anschluss 606 und einen zweiten Anschluss 608 aufweisen. Die elektrischen Leitungen 408 sind elektrisch voneinander isoliert . Mittels eines Anlegens einer elektrischen Spannung über den ersten Anschluss 606 und den zweiten Anschluss 608 kann ein elektrischer Strom durch die elektrischen Leitungen 408 fließen.

Mittels eines Entfernens eines Teils einer Leitung 408 ( in Fig . 6B veranschaulicht mittels des Bezugszeichen 610 ) kann die elektrische Verbindung von dem ersten Anschluss 606 zu zweitem Anschluss 608 elektrisch unterbrochen werden .

Weiterhin kann mittels eines Ausbildens einer elektrischen Überbrückung 616 können elektrisch voneinander isolierte Leitungen 408 elektrisch miteinander verbunden werden .

Dadurch kann ein Bit-Muster (siehe Beschreibung der Fig . B) als Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130 ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung können die

Leitungen 408 der Leiterstruktur einen gemeinsamen ersten Anschluss 606 aufweisen . Dadurch kann das Ausbilden des Bit- Musters vereinfacht werden.

Eine Unterbrechung einer elektrischen Leitung kann

ausgebildet werden, indem ein Teil der elektrischen Leitung im Strompfad entfernt wird, sodass kein Stromfluss erfolgen kann. Eine Unterbrechung kann j edoch auch ausgebildet werden, indem zwischen zwei Kontakten ein elektrisch isolierender

Stoff ausgebildet wird, anstelle eines elektrisch leitenden Stoffs.

Eine elektrische Schal ungsvorstruktur kann eine erste elektrisch leitende Struktur 612A und eine zweite elektrisch leitende Struktur 612B aufweisen . Die erste elektrisch leitende Struktur 612A und die zweite elektrisch leitende Struktur 612B können als elektrische Anschlüsse (206A, 206B) der elektrischen Schaltungsstruktur 130 ausgebildet sein oder diese aufweisen (veranschaulicht in Fig.6C und Fig.6D) .

Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B können weitere elektrisch leitende und/oder elektrisch isolierende Strukturen ausgebildet sein.

Das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur 130 kann ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur 620 aufweisen .

Das Ausbilden einer MetallisierungsSchicht , aus bzw. auf der die elektrischen Bauelemente der elektrischen

Schaltungsstruktur ausgebildet werden, kann mit dem Ausbilden der optisch aktiven Struktur erfolgen, beispielsweise parallel .

Diese kann beispielsweise ausgebildet werden in dem ein Teil 610 einer Metallisierungsschicht entfernt wird. Das Entfernen des Teils 610 der Metallisierungsschicht kann ein Schritt im Ausbilden der elektrischen Schaltungsvorstruktur und/oder im Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur sein.

Beispielsweise kann das Entfernen des Teils 610 der

Metallisierungsschicht beim Ausbilden der elektrischen

Schaltungsvorstruktur 620 eine allgemeine Schaltungsstruktur 130 ausgebildet werden, die für eine Vielzahl

optoelektronischer Bauelemente und/oder optisch aktiver Strukturen geeignet sind/ist . Nach dem Ermitteln wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur kann der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur fein eingestellt werden, beispielsweise indem die Größe eines elektrischen Widerstandes , eines Kondensators, einer

Induktivität und/oder das Bit-Muster eingestellt wird. Beispielsweise kann bei einem Kondensator 302 mittels eines elektrisch isolierenden Auftrennens 614 wenigstens einer der leitenden Strukturen die Kapazität des Kondensators fein eingestellt v/erden {veranschaulicht in Fig .6C) . Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B können beispielsweise eine dritte elektrisch leitende

Struktur 612C und eine vierte elektrisch leitende Struktur 612D ausgebildet sein. Die mehreren in der elektrischen

Schaltungsstruktur elektrisch voneinander isolierten

elektrisch leitenden Strukturen 612 können mittels einer Überbrückungsstruktur elektrisch miteinander verbunden werden. Dadurch können auf flexible Weise unterschiedliche elektrische Widerstände, Kondensatoren , Leiterstrukturen und/oder Induktivitäten ausgebildet werden (veranschaulicht in Fig.6D) . Das Ausbilden der Überbrückungsstrukt r 616 kann ein

Ausbilden einer elektrischen Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen . Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B kann j edoch wenigstens ein oben beschriebenes elektrisches Bauelement ausgebildet sein. Die Überbrückungsstruktur 616 kann beispielsweise derart ausgebildet werden, dass mittels der Überbrückungsstruktur der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur

eingestellt wird .

Das Ausbilden der elektrisch leitenden Verbindung kann ein Auf ringen eines elektrisch leitenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen derart, dass eine elektrische Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B ausgebildet wird (veranschaulicht in Fig.6D) . Das Ausbilden der elektrischen Scha11ungsstruktur kann ein

Ausbilden einer elektrisch isolierenden Struktur 610 zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen. Das Ausbilden einer elektrisch isolierenden Struktur 610, 614 kann

beispielsweise ein Aufbringen eines elektrisch isolierenden Stoffs, ein Freilegen eines elektrisch isolierenden Stoffs (veranschaulicht in Fig.6B-E) und/oder ein Umwandeln eines elektrisch leitenden Stoffs in einen elektrisch leitenden Stoff aufweisen, beispielsweise ein Dotieren, Oxidieren, Nitrieren.

Das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur 610, 614 kann ein Entfernen eines Teils 614 , 610 der dritten

elektrischen leitenden Struktur aufweisen derart , dass eine vierte elektrisch leitende Struktur und eine fünfte

elektrisch leitende Struktur ausgebildet werde .

Beispielsweise kann die dritte elektrisch leitende Struktur in zwei elektrisch voneinander isolierte Bereiche elektrisch vereinzelt ausgebildet werden . Mit anderen Worten : Die vierte elektrisch leitende Struktur kann elektrisch von der fünften elektrisch leitenden Struktur isoliert v/erden . Mittels des Entfernens des Teils 614 , 610 der dritten

elektrisch leitenden Struktur kann der Strompfad durch die elektrische Schaltungsstruktur 130 verändert werden

(veranschaulicht in Fig.6E) , wodurch der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eingestellt werden kann.

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement , eine optoelektronische

Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist, ein technisch einfacher zu betreibendes

organisches , optoelektronisches Bauelement auszubilden bzw. zu betreiben. Dadurch werden dem Benutzer von organischen, optoelektronischen Bauelementen mehrere Recherchen,

Berechnungen, technische Entscheidungen und Einkäufe erspart . Der Benutzer kann mittels eines einfachen Verbindens der elektrischen Schaltungsstruktur, beispielsweise von Kodier- Pins der elektrischen Schaltungsstruktur mit einem Anschluss des elektronischen Vorschaltgerätes , das System aus optoelektronischen Bauelement und elektronischem

Vorschaltgerat korrekt einstellen bzw. konfigurieren .

Weiterhin können Fehleinstellungen hinsichtlich der maximalen Stromstärke reduziert werden, wodurch Reklamationsanfragen, beispielswiese wie bei einer erhöhten Alterung der OLED oder bei einem früheren Ausfall der OLED wegen Überbestromung reduziert werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann die elektronische Schaltungsstruktur kostengünstig ausgebildet werden, beispielsweise ohne aufwendige und kostenintensive fotolithografische Verfahren ausgebildet werden. Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement selbstidentifizierend hinsichtlich des elektronischen Vorschaltgerätes ausgebildet werden. Dadurch sind keine weiteren Verfahrensschritte beim Verbinden des optoelektronischen Bauelementes mit dem elektronischen Vorschaltgerat notwendig, beispielsweise kein herkömmliches Anschließen/Anklemmen eines elektrischen

Widerstandes an zwei Klemmen an dem elektronischen

Vorschaltgerat .