以下、本発明の好ましい実施の形態につ� ��て説明する。図1は、本実施の形態にかかる プローブを有するプローブ装置1の構成の概� �を示す側面の説明図である。

 プローブ装置1には、プローブカード2と� �被検査体としてのウェハWを載置する載置台3 が設けられている。

 プローブカード2は、ウェハWの電極に接� �する複数のプローブ10を下面に支持した支持 部材としてのコンタクタ11と、プローブ10に� �しコンタクタ11の本体を通じて電気信号を授 受するプリント配線基板12を備えている。コ� ��タクタ11は、載置台3に対向するように設け� ��れ、コンタクタ11に支持されるプローブ10は 、ウェハWの電極に対応する位置に設けられ� �いる。コンタクタ11とプリント配線基板12は� ��例えば略円盤状に形成されている。プリン� ��配線基板12は、コンタクタ11の上面側に配置 されている。プリント配線基板12とコンタク� ��11は、例えば接続ピン(図示せず)によって電 気的に接続され、接続ピンは、コンタクタ11� ��上面に形成された接続端子11aに接続されて� ��る。

 プローブ10は、例えばニッケルコバルト� �どの金属の導電性材料により形成されてい� �。プローブ10は、図2に示すように、コンタ� �タ11に支持され、当該コンタクタ11の下面か� ��突出する支持部21を有している。支持部21は コンタクタ11を厚み方向に貫通し、支持部21� �上端はコンタクト11の上面に設けられた接続 端子11aに接続されている。支持部21の下端に� ��、梁部22が設けられ、梁部22は、コンタクタ 11に対して支持部21によって所定の間隔を有� �て片持ち支持されている。梁部22の自由端部 には、梁部22の直角方向下方に延伸する接触� ��23が設けられている。

 梁部22の自由端部側(図2のX方向正方向(以� ��、「外側」という。))の接触子23の側部には 、例えば外側切り込み部24が上下方向に2箇所 に形成されている。また、梁部22の固定端部� ��(図2のX方向負方向(以下、「内側」という。 ))の接触子23の側部には、例えば内側切り込� �部25が1箇所に形成されている。内側切り込� �部25は、2箇所の外側切り込み部24、24の間に� ��成され、すなわち、外側切り込み部24と内� �切り込み部25が上下方向に交互に形成されて いる。外側切り込み部24と内側切り込み部25� �、接触子23の先端部26の上方まで水平方向に� ��り込まれており、外側切り込み部24と内側� �り込み部25により接触子23が上下方向に圧縮� ��れることはない。先端部26は、例えば接触� �23の中心より内側にずれて設けられている。 そして、検査時に接触子23の先端部26が所定� �接触圧力でウェハ上の電極Pと圧接する際に� ��接触子23の側部に設けられた外側切り込み� �24と内側切り込み部25の箇所で、接触子23が� �むようになっている。なお、接触子23の側部 に外側切り込み部24及び内側切り込み部25が� �成される数、外側切り込み部24及び内側切り 込み部25の長さ等は、接触子23の材質、長さ� �接触子23にかけられる所定の接触圧力等に基 づいて設定される。

 載置台3は、左右及び上下に移動自在に構 成されており、載置したウェハWを三次元移� �させ、ウェハW上の所望の位置にプローブカ� ��ド2のプローブ10を接触させる、すなわちプ� ��ーブ10の接触子23をウェハW上の電極Pに適切� ��接触させることができる。

 以上のように構成されたプローブ装置1を 用いて、ウェハWの電子回路の電気的特性が� �査される際には、図1に示すように、ウェハW が載置台3上に載置され、載置台3によってコ� ��タクタ11側に上昇させられる。そして、ウ� �ハWの各電極Pが、対応するプローブ10の接触� ��23の先端部26に接触され、プリント配線基板 12とコンタクタ11を介して、プリント配線基� �12とウェハWとの間で電気信号が授受される� �これにより、ウェハWの電子回路の電気的特� ��が検査される。その後、載置台3上のウェハ Wが下降させられて、一連の検査が終了する� �

 次に、かかるウェハWの電気的特性の検査 の際において、本実施の形態にかかるプロー ブ10の動作について詳しく説明する。

 先ず、載置台3上のウェハWを上昇させる� �とにより、図3に示すように、プローブ10の� �触子23とウェハWの電極Pを接触させる。

 次に、接触子23と電極Pに接触圧力を増加� ��せながらオーバードライブをかけ、図4に示 すように、プローブ10の梁部22を垂直方向に� �ませて、接触子23を外側(図4のX方向正方向)� �移動させる。この際、接触圧力は所定の値� �達しておらず、接触子23はその形状を保った まま移動する。そして、接触子23の先端部26� �よって、電極Pの表面上のアルミ酸化膜が削� ��取られ、電極Pの導電部分が露出される。

 そして、接触子23と電極Pの接触圧力が所� ��の接触圧力になると、接触子23は、図5に示� ��ように、外側切り込み部24と内側切り込み� �25によって外側(図5のX方向正方向)に撓む。� �のとき、外側切り込み部24は、接触子23の外� ��の側部が伸びるように拡がり、内側切り込� ��部25は、接触子23の内側にかかる応力を吸収 するように狭まる。このような接触子23の撓� ��は、接触子23を水平方向に移動させる力が� �端部26にかかる摩擦に負ける状態であり、こ の摩擦により先端部26の移動が停止する。そ� ��て、ウェハWの電子回路の電気的特性の検査 が行われる。なお、外側切込み部24と内側切� ��み部25は、接触子23を撓ませながら先端部26� ��停止させるように形成されていてもよい。

 その後、電気的特性の検査が終了すると� ��載置台3上のウェハWを下降させる。ウェハW� ��下降開始後、暫くの間は、先端部26にかか� �接触圧力が減少するが、図6に示すように、� ��触子23の撓みを戻す作用に使われるため、� �端部26は移動しない。すなわち、接触子23の� ��みが矯正されている間、先端部26にかかる� �触圧力は低下していくが、先端部26は停止状 態を維持している。そして、さらにウェハW� �下降され、接触子23の形状が元に戻り、先端 部26にかかる摩擦が弱まってから、図7に示す ように接触子23が内側に移動する。その後、� ��ローブ10が検査前の位置に戻り、ウェハWが� ��定の位置まで下降されて、一連の検査が終� ��する。

 以上の実施の形態によれば、プローブ10� �、片持ち支持された梁部22と、梁部22の自由� ��部から直角方向下方に延伸する接触子23を� �しているので、ウェハWの電子回路の電気的� ��性の検査の際、梁部22が垂直方向に撓むこ� �によって、接触子23とウェハWの電極Pとの所� ��の接触圧力を維持することができ、プロー� ��10とウェハWとの接触性を適切に維持するこ� ��ができる。また、接触子23の側部には、外� �切り込み部24と内側切り込み部25が形成され� ��いるので、検査時に上述のように梁部22が� �直方向に撓むと同時に、接触体23が水平方向 に撓むことができる。接触体23が撓むと、接� ��子23を水平方向に移動させる力が先端部26に かかる摩擦に負けるため、従来のように切り 込み部24、25がない場合に比べて、オーバー� �ライブによる先端部26の移動が摩擦によって 停止しやすくなる。これによって、先端部26� ��移動長さが従来よりも短くなり、また、移� ��する深さも浅くなり、接触子23によって削� �取られるウェハWの電極Pのアルミニウム及び 不純物が少なくなる。したがって、接触子23� ��クリーニングの頻度を減少させ、プローブ1 0の耐久性を向上させることができる。以上� �ように、ウェハWの電子回路の電気的特性の� ��査において、梁部22が垂直方向に撓み、か� �、接触子23が水平方向に撓むことによって、 プローブ10とウェハWとの接触性を適切に維持 し、かつウェハWの損傷を抑制しつつ、プロ� �ブ10の耐久性を向上させることができる。

 また、以上の実施の形態によれば、ウェ� ��Wを下降させる際、接触子23は、暫く停止状� ��を維持した後、移動を開始するので、先端� ��26の底面にかかる接触圧力が小さくなって� �ら、先端部26を移動させることができる。す なわち、移動中の接触子23の先端部26にかか� �接触圧力(摩擦)が小さくなる。さらに、撓み が戻った状態にある接触子23の先端部26の底� �は、図8に示すように、外側Aと内側Bは平行� �態に近い。一方、従来においては、図10に示 すように、接触子103の先端部104の底面は内側 Dが外側Cより低くなるように傾斜しているた� ��、先端部104にかかる接触圧力は内側Dが外側 Cに比べて高くなる。そして、ウェハWを下降� ��せる際、図11に示すように、この内側Dに強� ��圧力がかかった傾斜状態を維持したまま接� ��子103は内側に移動する。すなわち、高い接� ��圧力の状態から移動するので、内側Dでアル ミニウムを削り取る量は多くなる。したがっ て、本実施の形態かかる先端部26の底面にか� ��る接触圧力は、従来の先端部104の底面及び� ��側Dにかかる接触圧力より小さくなるので、 ウェハWを下降させる際に、接触子23によって 削り取られる不純物の量を少なくすることが できる。

 以上の実施の形態では、接触子23の側部� �は外側切り込み部24と内側切り込み部25が形� ��されていたが、いずれか一方のみが形成さ� ��ていてもよい。すなわち、接触子23の側部� �は、外側切り込み部24のみが複数個所に形成 されていてもよく、あるいは内側切り込み部 25のみが複数個所に形成されていてもよい。

 以上の実施の形態では、接触子23の先端� �26は接触子23の中心よりも内側に設けられて� ��たが、先端部26は接触子23の中心よりも外側 に設けられていてもよく、あるいは接触子23� ��中心に設けられていてもよい。

 以上、添付図面を参照しながら本発明の� ��適な実施の形態について説明したが、本発� ��はかかる例に限定されない。当業者であれ� ��、特許請求の範囲に記載された思想の範疇� ��において、各種の変更例または修正例に想� ��し得ることは明らかであり、それらについ� ��も当然に本発明の技術的範囲に属するもの� ��了解される。本発明はこの例に限らず種々� ��態様を採りうるものである。本発明は、基� ��がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプ レイ)、フォトマスク用のマスクレチクルな� �の他の基板である場合にも適用できる。