次に、図面を用いて、本発明の実施形態� ��ついて説明する。以下の図面の記載におい� ��、同一又は類似の部分には、同一又は類似� ��符号を付している。ただし、図面は模式的� ��ものであり、各寸法の比率等は現実のもの� ��は異なることに留意すべきである。従って� ��具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判� ��すべきものである。又、図面相互間におい� ��も互いの寸法の関係や比率が異なる部分が� ��まれていることは勿論である。

 [第1実施形態]
 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第1実施形態に係る 太陽電池の構成について、図1を参照しなが� �説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係 る太陽電池10の断面図である。

 図1に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 基板1は、透光性を有し、ガラス、プラス チック等の透光性材料により構成される。

 受光面電極層2は、基板1上に積層されてお� �、導電性及び透光性を有する。受光面電極� �2としては、酸化錫(SnO ₂ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム(In ₂ O ₃ )、又は酸化チタン(TiO ₂ )などの金属酸化物を用いることができる。� �、これらの金属酸化物に、フッ素(F)、錫(Sn)� ��アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、ガリウム(Ga)、ニ� ��ブ(Nb)などがドープされていてもよい。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32とを含む。第1光電変換部31� ��び反射層32は、受光面電極層2側から順に積� ��される。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。また、第1光電変換部31は、反射層32から反� ��される光により光生成キャリアを生成する� ��第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン半導 体と、i型非晶質シリコン半導体と、n型非晶� ��シリコン半導体とが基板1側から積層された pin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31を透過した� �の一部を第1光電変換部31側に反射する。反� �層32は、第1層32aと、第2層32bとを含む。

 第1層32aと第2層32bとは、第1光電変換部31� �から順に積層される。従って、第1層32aは、� ��1光電変換部31に接触しており、第2層32bは、 第1光電変換部31に接触していない。

 第2層32bは、樹脂などにより構成されるバイ ンダーと、透光性導電材料と、屈折率調整材 とを含む。バインダーとしては、シリカなど を用いることができる。また、透光性導電材 料としては、ZnO、ITOなどを用いることができ る。また、屈折率調整材としては、第1層32a� �りも低い屈折率を有する材料が用いられる� �例えば、屈折率調整材としては、気泡、あ� �いはSiO ₂ ,Al ₂ O ₃ ,MgO,CaF ₂ ,NaF,CaO,LiF,MgF ₂ ,SrO,B ₂ O ₃ などにより構成される微粒子を用いることが できる。従って、第2層32bとしては、例えば� �シリカ系バインダー中に、ITO粒子と気泡と� �含む層を用いることができる。第2層32bに上� ��のような屈折率調整材が含まれることによ� ��、第2層32b全体としての屈折率は、第1層32a� �屈折率よりも低くなる。

 第1層32aとしては、第1光電変換部31との間 のコンタクト抵抗値が、第2層32bを構成する� �料と第1光電変換部31との間のコンタクト抵� �値よりも小さい材料が用いられる。

 即ち、第1層32aを構成する材料は、第1光� �変換部31と第1層32aとのコンタクト抵抗(接触� ��抗)値が、第1光電変換部31と第2層32bとを直� �接触させた場合のコンタクト抵抗値未満と� �るように選択されることが好ましい。

 第1層32aとしては、例えば、ZnO、ITOなどを 用いることができる。

 尚、本発明の第1実施形態にあっては、第 1層32aが本発明の「コンタクト層」に相当す� �。また、第2層32bが、本発明の「低屈折率層� ��に相当する。

 また、第1層32aを構成する材料は、第1層32 aを含む積層体3の両端の抵抗値が、第1層32aを 含まない積層体3の両端の抵抗値よりも小さ� �なるように選択されることが好ましい。

 裏面電極層4は、導電性を有している。裏 面電極層4としては、ZnO、銀(Ag)などを用いる� ��とができるが、これに限るものではない。� ��面電極層は、ZnOを含む層と、Agを含む層と� �、積層体3側から積層した構成を有していて� ��よい。また、裏面電極層4は、Agを含む層の� ��を有していてもよい。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第1実施形態に係る太陽電池10にお� ��て、反射層32は、屈折率調整材を含む第2層3 2bと、第2層32bと第1光電変換部31との間のコン タクト抵抗値よりも第1光電変換部31との間の コンタクト抵抗値が小さい材料からなる第1� �32aとを含む。第1層32a及び第2層32bは、第1光� �変換部31側から順に積層される。

 従って、第2層32bは、第1光電変換部31に直 接接触していないので、太陽電池10の光電変� ��効率を向上させることができる。この効果� ��ついて、以下に詳説する。

 本発明の第1実施形態に係る太陽電池10で� ��、反射層32に含まれる第2層32bが、従来から� ��射層の主体として用いられていたZnOよりも� ��い屈折率を有する材料により構成される屈� ��率調整材を含む。このような第2層32b全体と しての屈折率は、ZnOにより構成される層の屈 折率よりも低くなる。そのため、このような 第2層32bが反射層32に含まれることにより、ZnO を主体とする従来の反射層よりも、反射層32� ��反射率を高めることができる。

 ここで、反射層32が、第1層32aを有しない� ��合や、第1層32a及び第2層32bが裏面電極層4側� ��ら順に積層されている場合、屈折率調整材� ��含む第2層32bが、第1光電変換部31に直接接触 することとなる。屈折率調整材を含む第2層32 bと、シリコンを主体とする第1光電変換部31� �のコンタクト抵抗値は非常に高い値である� �め、第2層32bが第1光電変換部31に直接接触す� ��場合、太陽電池10全体におけるシリーズ抵� �(直列抵抗)値が増大する。従って、太陽電池 10において発生する短絡電流は、反射層32の� �射率が高められることによって増加する。� �方、太陽電池10の曲線因子(F.F.)は、シリーズ 抵抗値の増大によって減少する。そのため、 太陽電池10の光電変換効率の充分な向上を図� ��ことができない。

 そこで、本発明の第1実施形態に係る太陽 電池10では、第1層32a及び第2層32bを第1光電変� ��部31側から順に積層することで、屈折率調� �材を含む第2層32bが、第1光電変換部31に直接� ��触することを回避している。このような構� ��によれば、太陽電池10全体におけるシリー� �抵抗値の増大により太陽電池10の曲線因子(F. F.)が低下することを抑制しつつ、反射層32の� ��射率を高めることができる。その結果、太� ��電池10の光電変換効率を向上させることが� �きる。

 [第2実施形態]
 以下において、本発明の第2実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第1実施形態と第2実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第1実施形態におい て、積層体3は、第1光電変換部31と、反射層32 とを含む。これに対して、第2実施形態にお� �て、積層体3は、第1光電変換部31及び反射層3 2に加えて第2光電変換部33を含む構造、いわ� �るタンデム構造を有している。

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第2実施形態に係る 太陽電池の構成について、図2を参照しなが� �説明する。

 図2は、本発明の第2実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図2に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。

 第1光電変換部31、第2光電変換部33、及び� ��射層32は、受光面電極層2側から順に積層さ� ��る。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン半� �体と、i型非晶質シリコン半導体と、n型非晶 質シリコン半導体とが基板1側から積層され� �pin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31側から入射� �た光の一部を第1光電変換部31側に反射する� �反射層32は、第1層32aと、第2層32bとを含む。� ��1層32aと第2層32bとは、第1光電変換部31側か� �順に積層される。従って、第1層32aは、第2光 電変換部33に接触しており、第2層32bは、第2� �電変換部33に接触していない。

 第2光電変換部33は、入射する光により光� ��成キャリアを生成する。第2光電変換部33は� ��p型結晶質シリコン半導体と、i型結晶質シ� �コン半導体と、n型結晶質シリコン半導体と� ��基板1側から積層されたpin接合を有する(不� �示)。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第2実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32に含まれる第1層32a及び第2層32b が、第1光電変換部31側から順に積層される。

 このような構成によれば、太陽電池10が� �ンデム構造を有していても、太陽電池10全体 におけるシリーズ抵抗値の増大を抑制しつつ 、反射層32の反射率を高めることができる。� ��って、太陽電池10の光電変換効率を向上さ� �ることができる。

 [第3実施形態]
 以下において、本発明の第3実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第1実施形態と第3実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第1実施形態におい て、積層体3は、第1光電変換部31と、反射層32 とを含む。これに対して、第3実施形態にお� �て、積層体3は、第1光電変換部31及び反射層3 2に加えて第2光電変換部33を含む構造、いわ� �る、タンデム構造を有している。さらに、� �3実施形態において、反射層32は、第1層32a及� ��第2層32bに加えて第3層32cを含む。

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第3実施形態に係る 太陽電池の構成について、図3を参照しなが� �説明する。

 図3は、本発明の第3実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図3に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。

 第1光電変換部31、反射層32、及び第2光電� ��換部33は、受光面電極層2側から順に積層さ� ��る。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。また、第1光電変換部31は、反射層32から反� ��される光により光生成キャリアを生成する� ��第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン半導 体と、i型非晶質シリコン半導体と、n型非晶� ��シリコン半導体とが基板1側から積層された pin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31を透過した� �の一部を第1光電変換部31側に反射する。反� �層32は、第1層32aと、第2層32bと、第3層32cとを 含む。

 第1層32a、第2層32b及び第3層32cは、第1光電 変換部31側から順に積層されている。従って� ��第1層32aは、第1光電変換部31に接触しており 、第3層32cは、第2光電変換部33に接触してい� �。第2層32bは、第1光電変換部31及び第2光電変 換部33のいずれにも接触していない。

 第2層32bは、樹脂などにより構成されるバイ ンダーと、透光性導電材料と、屈折率調整材 とを含む。バインダーとしては、シリカなど を用いることができる。また、透光性導電材 料としては、ZnO、ITOなどを用いることができ る。また、屈折率調整材としては、第1層32a� �屈折率及び第3層32cの屈折率よりも低い屈折� ��を有する材料が用いられる。例えば、屈折� ��調整材としては、気泡、あるいはSiO ₂ ,Al ₂ O ₃ ,MgO,CaF ₂ ,NaF,CaO,LiF,MgF ₂ ,SrO,B ₂ O ₃ などにより構成される微粒子を用いることが できる。従って、第2層32bとしては、例えば� �シリカ系バインダー中に、ITO粒子と気泡と� �含む層を用いることができる。第2層32bに上� ��のような屈折率調整材が含まれることによ� ��、第2層32b全体としての屈折率は、第1層32a� �屈折率及び第3層32cの屈折率よりも低くなる� ��

 第1層32aとしては、第1光電変換部31との間 のコンタクト抵抗値が、第2層32bを構成する� �料と第1光電変換部31との間のコンタクト抵� �値よりも小さい材料が主体として用いられ� �。また、第3層32cとしては、第2光電変換部33� ��の間のコンタクト抵抗値が、第2層32bを構成 する材料と第1光電変換部31との間のコンタク ト抵抗値よりも小さい材料が主体として用い られる。

 即ち、第1層32aを構成する材料は、第1光� �変換部31と第1層32aとのコンタクト抵抗値が� �第1光電変換部31と第2層32bとを直接接触させ� ��場合のコンタクト抵抗値未満となるように� ��択されることが好ましい。また、第3層32cを 構成する材料は、第3層32cと第2光電変換部33� �のコンタクト抵抗値が、第2層32bと第2光電変 換部33とを直接接触させた場合のコンタクト� ��抗値未満となるように選択されることが好� ��しい。

 また、第1層32aを構成する材料及び第3層32 cを構成する材料は、第1層32a及び第3層32cを含 む積層体3の両端の抵抗値が、第1層32a及び第3 層32cを含まない積層体3の両端の抵抗値より� �小さくなるように選択されることが好まし� �。

 第1層32a又は第3層32cとしては、例えば、Zn O、ITOなどを用いることができる。尚、第1層3 2aを構成する材料と、第3層32cを構成する材料 とは、同一であってもよく、異なっていても よい。

 尚、本発明の第1実施形態にあっては、第 3層32cが本発明の「他のコンタクト層」に相� �する。

 第2光電変換部33は、入射する光により光� ��成キャリアを生成する。第2光電変換部33は� ��p型結晶質シリコン半導体と、i型結晶質シ� �コン半導体と、n型結晶質シリコン半導体と� ��基板1側から積層されたpin接合を有する(不� �示)。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第3実施形態に係る太陽電池10にお� ��て、反射層32は、屈折率調整材を含む第2層3 2bと、第2層32bと第1光電変換部31との間のコン タクト抵抗値よりも第1光電変換部31との間の コンタクト抵抗値が小さい材料からなる第1� �32aと、第2層32bと第2光電変換部33との間のコ� ��タクト抵抗値よりも第2光電変換部との間の コンタクト抵抗値が小さい材料からなる第3� �32aとを含む。第1層32a、第2層32b及び第3層32c� �、第1光電変換部31側から順に積層される。� �って、屈折率調整材を含む第2層32bは、第1光 電変換部31及び第2光電変換部33のいずれにも� ��触していない。

 このような構成によれば、太陽電池10全� �におけるシリーズ抵抗値の増大を抑制しつ� �、反射層32の反射率を高めることができる。 そのため、第1光電変換部31において吸収され る光の量を増加させることができる。

 さらに、屈折率調整材を含む第2層32bを含 む反射層32は、ZnOを主体とする従来の反射層� ��りも、長波長領域(1000nm付近)の光を吸収し� �くい。そのため、第2光電変換部33において� �収される光の量を増加させることができる� �従って、太陽電池10の光電変換効率を向上さ せることができる。

 [第4実施形態]
 以下において、本発明の第4実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第3実施形態と第4実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第3実施形態におい て、太陽電池10は、基板1と、受光面電極層2� �、積層体3と、裏面電極層4とを備えている。 これに対して、第4実施形態において、太陽� �池10は、受光面電極層2、積層体3及び裏面電� ��層4をそれぞれ備える複数の太陽電池素子10a を、基板1上に備えている。

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第4実施形態に係る 太陽電池の構成について、図4を参照しなが� �説明する。図4は、本発明の第4実施形態に係 る太陽電池10の断面図である。

 図4に示すように、太陽電池10は、基板1と 、複数の太陽電池素子10aとを備える。

 複数の太陽電池素子10aのそれぞれは、基� ��1上に形成される。複数の太陽電池素子10aは 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とをそれぞれ備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。反射層32は、第1層32aと、第2層32bと、第3� �32cとを含む。

 第1層32a、第2層32b及び第3層32cは、第1光電 変換部31側から順に積層されている。従って� ��第1層32aは、第1光電変換部31に接触しており 、第3層32cは、第2光電変換部33に接触してい� �。第2層32bは、第1光電変換部31及び第2光電変 換部33のいずれにも接触していない。第1層32a 及び第3層32cの厚さは、極力小さいことが好� �しい。

 裏面電極層4は、複数の太陽電池素子10aに 含まれる一の太陽電池素子10aに隣接する他の 太陽電池素子10aの受光面電極層2に向かって� �在する延在部4aを有する。

 延在部4aは、一の太陽電池素子10aに含ま� �る積層体3の側面に沿って形成される。延在� ��4aは、一の太陽電池素子10aに含まれる積層� �3の側面に露出した反射層32に接している。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第4実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32の反射率を高めることに加え� �太陽電池10の曲線因子(FF)の低下を抑制する� �とができるので、太陽電池10の光電変換効率 を向上させることができる。この効果につい て、以下に詳説する。

 従来から反射層の主体として用いられてい� ��ZnOは、そのシート抵抗値が1.0×10 ² ~5.0×10 ² ω/□程度である。そのため、ZnOを主体とする 従来の反射層を用いた場合、太陽電池素子10a において発生した電流の一部が、当該反射層 に沿って延在部4aへと流れてリーク電流が発� ��する。このようなリーク電流が複数の太陽� ��池素子10aそれぞれにおいて大きくなると、� ��陽電池10の曲線因子(F.F.)が低下する。

 これに対し、屈折率調整材を含む第2層32bの シート抵抗値は、1.0×10 ⁶ ω/□以上である。従って、本発明の第4実施� �態に係る太陽電池10では、屈折率調整材を含 む第2層32bを反射層32に含めることにより、反 射層32におけるシート抵抗値を、ZnOを主体と� ��る従来の反射層におけるシート抵抗値より� ��大幅に高くすることができる。そのため、� ��発明の第4実施形態に係る太陽電池10では、� ��陽電池素子10aにおいて発生した電流が反射� ��32に沿って延在部4aに到達することを抑制す ることができる。従って、第2層32bを含む反� �層32を用いることにより、ZnOを主体とする従 来の反射層を用いた場合よりも、太陽電池10� ��曲線因子(FF)の低下を抑制することができる 。以上より、太陽電池10の光電変換効率を向� ��させることができる。

 また、第1層32a(コンタクト層)は、第2層32b (低屈折率層)と第1光電変換部31との間のコン� ��クト抵抗値を低減し、第3層32c(他のコンタ� �ト層)は、第2層32b(低屈折率層)と第2光電変換 部33との間のコンタクト抵抗値を低減するも� ��であるから、第1層32a及び第3層32cの厚さを� �さくすることができる。

 第1層32aの厚さを小さくした場合、第1層32 aのシート抵抗値を増大することができる。� �た、第3層32cの厚さを小さくした場合、第3層 32cのシート抵抗値を増大することができる。 ここで、第1層32aの厚さを小さくした場合で� �っても、第2層32b(低屈折率層)と第1光電変換� ��31との間のコンタクト抵抗値については充� �に低減できる。また、第1層32aの厚さを小さ� ��した場合であっても、第2層32b(低屈折率層)� ��第1光電変換部31との間のコンタクト抵抗値� ��ついては充分に低減できる。そのため、第1 層32a及び第3層32cの厚さを極力小さくするこ� �により、第1層32a及び第3層32cに沿って延在部 4aへと流れるリーク電流を低減することがで� ��る。

 〈その他の実施形態〉
 本発明は上記の実施形態によって記載した� ��、この開示の一部をなす論述及び図面はこ� ��発明を限定するものであると理解すべきで� ��ない。この開示から当業者には様々な代替� ��施形態、実施例及び運用技術が明らかとな� ��う。

 例えば、上述した第1実施形態では、積層 体3に含まれる光電変換部が1つ(第1光電変換� �31)であり、第2実施形態及び第3実施形態では 、積層体3に含まれる光電変換部が2つ(第1光� �変換部31及び第2光電変換部33)であるが、こ� �に限定されるものではない。具体的には、� �層体3には、3つ以上の光電変換部が含まれて いてもよい。このような場合、反射層32は、� ��意の隣接する2つの光電変換部の間に設ける ことができる。

 また、上述した第1実施形態では、第1光� �変換部31は、p型非晶質シリコン半導体と、i� ��非晶質シリコン半導体と、n型非晶質シリコ ン半導体とが基板1側から積層されたpin接合� �有するが、これに限定されるものではない� �具体的には、第1光電変換部31は、p型結晶質� ��リコン半導体と、i型結晶質シリコン半導体 と、n型結晶質シリコン半導体とが基板1側か� ��積層されたpin接合を有していてもよい。尚� ��結晶質シリコンには、微結晶シリコンや多� ��晶シリコンが含まれるものとする。

 また、上述した第1実施形態~第4実施形態� ��は、第1光電変換部31及び第2光電変換部33は� ��pin接合を有するが、これに限定されるもの� ��はない。具体的には、第1光電変換部31及び� ��2光電変換部33の少なくとも一方が、p型シリ コン半導体と、n型シリコン半導体とが基板1� ��から積層されたpn接合を有していてもよい� �

 また、上述した第1実施形態~第4実施形態� ��は、太陽電池10は、基板1上に、受光面電極� ��2と、積層体3と、裏面電極層4とが順に積層� ��れた構成を有しているが、これに限定され� ��ものではない。具体的には、太陽電池10は� �基板1上に、裏面電極層4と、積層体3と、受� �面電極層2とが順に積層された構成を有して� ��てもよい。

 このように、本発明はここでは記載して� ��ない様々な実施形態等を含むことは勿論で� ��る。従って、本発明の技術的範囲は上記の� ��明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特� ��事項によってのみ定められるものである。