次に、図面を用いて、本発明の実施形態� ��ついて説明する。以下の図面の記載におい� ��、同一又は類似の部分には、同一又は類似� ��符号を付している。ただし、図面は模式的� ��ものであり、各寸法の比率等は現実のもの� ��は異なることに留意すべきである。従って� ��具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判� ��すべきものである。又、図面相互間におい� ��も互いの寸法の関係や比率が異なる部分が� ��まれていることは勿論である。

 (プラズマ処理装置の構成)
 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置1 00の構成について、図1を参照しながら説明す る。図1は、プラズマ処理装置100の概略図で� �る。

 本実施形態では、プラズマ処理装置の一� ��として、PECVD(plasma enhanced chemical vapor depos ition)法を用いて基板Sに成膜処理を施すプラ� �マ処理装置100について説明する。

 プラズマ処理装置100は、真空チャンバー1 、下部電極10、上部電極20、給気通路30及び排 気通路40を備える。

 真空チャンバー1は、例えばアルミニウム などによって筒状に成形された処理容器であ る。

 下部電極10は、基板Sが載置される載置面1 0Aを有する載置台として機能する。下部電極1 0は、支持部11によって上下動可能に支持され る。

 また、下部電極10は、支持部11を介して接 地されており、アノード電極として機能する 。下部電極10の内部には、例えばモリブデン� ��などによって構成される加熱機構(不図示)� �設けられる。基板Sにプラズマ処理を施す場� ��、下部電極10は、加熱機構によって昇温さ� �る。下部電極10は、カーボン、グラファイト 、或いはアルミニウムなどの一般的な導電材 料によって構成される。

 上部電極20は、対向部22、外周部24及び複� ��の凸部26を備える。上部電極20は、支持部21� ��よって真空チャンバー1の天井に支持される 。下部電極10と上部電極20との間には、プラ� �マが生成される処理空間Iが形成される。

 対向部22は、下部電極10に対向して配置さ れており、下部電極10の載置面10Aと対向する� ��向面22Aを有する。対向面22Aの略全域には、� ��述する複数の凸部26が形成される。対向部22 の内部には、成膜用ガスやプラズマ生成用ガ スを供給する給気通路30が設けられる。

 外周部24は、対向部22の側方を取り囲むよ うに設けられる。外周部24は、対向部22の対� �面22Aの外周に繋がる平坦面24Aを有する。平� �面24Aは、平坦に形成されており、下部電極10 が有する載置面10Aと略平行である。

 なお、外周部24は、対向部22と一体であっ てもよいし、別体であってもよい。外周部24� ��対向部22とは別体とする場合には、導電性� �取付け具(例えば、ボルトなど)を用いて、外 周部24を対向部22に固定する。

 複数の凸部26は、対向面22A上に形成され� �。凸部26は、下部電極10側に向かってテーパ� ��状に形成される。凸部26には、凸部26の先端 から対向部22の内部に向かって給気孔26Hが形� ��される。給気孔26Hは、給気通路30に繋がれ� �おり、成膜用ガスやプラズマ生成用ガスは� �凸部26の先端から処理空間Iに供給される。� �お、複数の凸部26は、対向部22と一体的に形� ��されていてもよいし、別体であってもよい� ��

 このような上部電極20には、図示しない� �源装置によって、バイアス電圧としての直� �電圧または高周波電圧が印加される。すな� �ち、上部電極20は、下部電極10より電位の高� ��カソード電極として機能する。これにより� ��処理空間Iにはプラズマが生成される。特に 、複数の凸部26の内部で形成される電界勾配� ��従って、凸部の周囲に位置する電子が加速� ��れるため、処理空間Iに高密度のプラズマが 生成される。

 上部電極20は、カーボン、グラファイト� �或いはアルミニウムなどの一般的な導電材� �によって構成される。また、対向面22A、平� �面24A及び凸部26の表面には、アルミナなどの アルミニウム系絶縁膜やシリコン系絶縁膜が 形成されていてもよい。

 ここで、図2は、下部電極10の載置面10Aに� ��平行な投影面上に、下部電極10及び上部電� �20(対向部22、外周部24及び複数の凸部26)を投� ��した投影図である。

 図2に示すように、対向部22は下部電極10� �略同寸法であるため、対向部22の外周は、下 部電極10の外周と重なる。また、外周部24の� �周は、対向部22及び下部電極10の外周を取り� ��む。なお、下部電極10、上部電極20の平面形 状は、矩形に限らず円形などであってもよい 。

 給気通路30は、成膜ガスやプラズマ生成� �ガスを真空チャンバー1内に給気するための� ��気管である。図1では、1本の給気通路30を示 しているが、成膜ガスを給気する給気通路と プラズマ生成用ガスを給気する給気通路とが 分離されていてもよい。

 排気通路40は、真空チャンバー1内の気体� ��排気するための排気管であり、真空チャン� ��ー1内を真空状態にすることができる。

 (処理空間に形成される電界)
 次に、処理空間Iに形成される電界について 、図3を参照しながら説明する。図3は、下部� ��極10、上部電極20(対向部22、外周部24、複数� ��凸部26)及び処理空間Iの模式図である。

 複数の凸部26と下部電極10とによって、図3� �示す処理空間I ₁ に電界強度の大きな電界が形成される。複数 の凸部26と下部電極10とによって形成される� �界強度は、載置面10Aの中央部上よりも載置� �10Aの端部上の方が弱い。

 また、外周部24と下部電極10とによって、図 3に示す処理空間I ₂ 及び処理空間I ₃ に電界が形成される。すなわち、外周部24と� ��部電極10とによって、載置面10Aの端部上に� �界が形成される。

 このように、複数の凸部26と下部電極10と によって載置面10Aの中央部上に電界が形成さ れるとともに、外周部24と下部電極10とによ� �て載置面10Aの端部上に電界が形成される。

(作用及び効果)
 本実施形態に係る上部電極20は、載置面10A� �対向する対向面22Aを有する対向部22と、対向 面22Aの外周に繋がる平坦面24Aを有する外周部 24と、対向面22A上に形成された複数の凸部26� �を含む。載置面10Aに略平行な投影面上にお� �て、対向部22の外周は、下部電極10の外周と� ��なり、外周部24の外周は、対向部22の外周を 取り囲む。

 従って、複数の凸部26と下部電極10とによっ て、載置面10Aの中央部上(図3に示す処理空間I ₁ )に電界を形成するとともに、外周部24と下部 電極10とによって、載置面10Aの端部上(図3に� �す処理空間I ₂ 及び処理空間I ₃ )に電界を形成することができる。これによ� �、載置面10A上の全域で均一にプラズマを生� �することができるため、基板Sに対して均一� ��プラズマ処理を施すことができる。特に、� ��実施形態に係るプラズマ処理装置100によれ� ��、基板Sに対して均一な膜厚及び膜質で成膜 を行うことができる。

 ここで、外周部24を備えない従来のプラ� �マ処理装置では、載置面の端部上で十分に� �ラズマが生成できないため、基板Sの寸法を� ��置面の寸法より相当程度小さくする必要が� ��った。一方、本実施形態に係るプラズマ処� ��装置100によれば、基板Sを載置面10Aと略同寸 法にした場合であっても、基板S上に均一な� �厚及び膜質で成膜することができる。

(その他の実施形態)
 本発明は上記の実施形態によって記載した� ��、この開示の一部をなす論述及び図面はこ� ��発明を限定するものであると理解すべきで� ��ない。この開示から当業者には様々な代替� ��施形態、実施例及び運用技術が明らかとな� ��う。

 例えば、上記実施形態では、プラズマ処� ��装置100を用いて基板Sに成膜処理を施す場合 について説明したが、プラズマ処理装置100は 、プラズマエッチング処理などの他のプラズ マ処理にも適用することができる。

 また、上記実施形態では、下部電極10を� �地することにより、下部電極10の電位を接地 電位としたが、下部電極10の電位は上部電極2 0の電位に対して負であればよい。

 また、上記実施形態では、本発明の第1電 極及び第2電極の一例として下部電極10及び上 部電極20について説明したが、第1電極及び第 2電極の配置はこれに限られない。すなわち� �第1電極及び第2電極は、水平面に対して略垂 直に立てられてもよいし、第1電極は第2電極� ��上方に配置されてもよい。

 また、上記実施形態では、平坦面24Aを載� ��面10Aと略平行としたが、平坦面24Aは、載置� ��10Aに対して傾いていてもよい。