半導体不揮発性記憶装置 - 株式会社日立製作所

Title:

半導体不揮発性記憶装置

Document Type and Number:

Japanese Patent JPWO2002082460

Kind Code:

A1

Abstract:

本発明の半導体不揮発性記憶装置は、メモリセルで直接駆動するのはローカルビット線までとする。そして、ローカルビット線の出力は、別途設けた信号増幅トランジスタのゲート電極で受け、負荷容量の大きなグローバルビット線の駆動は、信号増幅トランジスタで行なう構成とする。メモリセルよりも駆動力を高くした増幅トランジスタでグローバルビット線の寄生容量を駆動するので、メモリセルに格納された情報の高速読出しが可能となる。そのため、マイクロコンピュータ等を制御するためのプログラム・コードを格納する用途に用いて、システム性能の向上が図れる。

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Inventors:

松崎望
倉田英明
河原尊之

Application Number:

JP2002580340A

Publication Date:

July 29, 2004

Filing Date:

April 02, 2001

Export Citation:

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Assignee:

株式会社日立製作所

International Classes:

G11C16/06; G11C7/06; G11C7/18; G11C11/34; G11C16/24; G11C16/26; G11C16/28; H01L27/02; H01L27/10; H01L27/105; H01L27/115; H01L29/788; H01L29/792

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