Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die Anordnung anorganisches Halbleitermaterial und organisches Material aufweist. Eine entsprechende Anordnung ist beispielsweise in der Druck ^¬ schrift "Dual luminescence from organic/inorganic hybrid p-n- junction light-emitting diodes" (Jong H. Na, M. Kitamura, M. Arita, Y . Arakawa; Applied Physics Letters, 94, 213302, 2009) beschrieben .

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung anzugeben, bei der ein sehr hoher Wirkungsgrad erreicht wird, also das Verhältnis zwischen der erzeugten elektromagnetischen Strahlungsenergie und der zum Anregen dafür nötigen elektrischen Energie möglichst groß ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Halb ^¬ leiterzylinder aus anorganischem Halbleitermaterial und eine in dem Halbleiterzylinder befindliche Ladungsträgerinjekti ^¬ onszone, wobei die Ladungsträgerinjektionszone an die Mantel- fläche des Halbleiterzylinders angrenzt, das organische Mate ^¬ rial geeignet ist, im Falle einer Ladungsträgerrekombination elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und das organische Material auf demjenigen Abschnitt der Mantelfläche des Halbleiterzylinders, an den die Ladungsträgerinjektionszone angrenzt, mittelbar oder unmittelbar aufliegt und Elektron- Lochpaare aus der Ladungsträgerinjektionszone des Halbleiter ^¬ zylinders in das organische Material eintreten und dort die Emission elektromagnetischer Strahlung durch Rekombination anregen können.

Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung ist darin zu sehen, dass Ladungsträger mit einem sehr hohen Wirkungsgrad in das optisch aktive organische Material (z. B. organisches Halbleitermaterial) eindringen und dort unter E- mission elektromagnetischer Strahlung rekombinieren können, da das optisch aktive Material außen auf der Mantelfläche des Halbleiterzylinders aufliegt und somit Elektron-Lochpaare aus der Ladungsträgerinjektionszone des Halbleiterzylinders sehr effizient in das organische Material übertreten können.

Zwischen der Ladungsträgerinjektionszone und der Mantelfläche des Halbleiterzylinders bzw. zwischen der Ladungsträgerinjektionszone und dem organischen Material kann ein direkter e- lektronischer Kontakt bestehen, jedoch ist dies nicht zwingend nötig. Es ist ausreichend, wenn die Ladungsträgerinjek ^¬ tionszone und das organische Material mittelbar in Kontakt stehen und die Ladungsträger aufgrund ihrer Diffus ionslänge die Möglichkeit haben, die Nähe der Mantelfläche und des or ^¬ ganischen Materials durch Diffusion zu erreichen und durch nicht strahlenden Energietransfer in das organische Material einzudringen .

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Anordnung ist vorgesehen, dass die Ladungsträgerinjektionszone durch eine quer zur Zylinderlängsachse des Halbleiterzylinders angeordnete Zylinderschicht gebildet ist und das organische Material ei- nen optisch aktiven Ring bildet, der radial außen an dieser Zylinderschicht des Halbleiterzylinders, mindestens in Höhe der Ladungsträgerinjektionszone, aufliegt. Vorzugsweise weist der Halbleiterzylinder mindestens eine Zy ^¬ linderschicht aus p-dotiertem anorganischen Material und mindestens eine Zylinderschicht aus n-dotiertem anorganischen Material auf, und die Ladungsträgerinjektionszone liegt vor- zugsweise zwischen der p-dotierten und der n-dotierten Zylinderschicht. Eine solche pn-Struktur ermöglicht die Injektion von Ladungsträgern durch das Anlegen einer Flussspannung.

Auch wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Halbleiter- zylinder mindestens eine schwach dotierte oder undotierte Zy ^¬ linderschicht aufweist und die Ladungsträgerinjektionszone in der schwach dotierten oder undotierten Zylinderschicht liegt. Beispielsweise kann die Ladungsträgerinjektionszone in dem i- Gebiet einer pin-Diode angeordnet sein bzw. können die p- dotierte, die n-dotierte und die schwach oder undotierte Zy ^¬ linderschicht eine pin-Diode bilden.

Das organische Material besteht vorzugsweise aus einem konju ^¬ gierten Polymer oder konjugierten Molekülen oder weist ein solches bzw. solche zumindest auch auf. Die konjugierten Po ^¬ lymere oder die konjugierten Moleküle können beispielsweise Monomere oder kovalent verknüpfte Einheiten aus Thiophen, Phenylen, Pheylenvinylen, Fluoren, Quinoxalin, Arylamin, Pyridin bzw. organische Übergangs- oder Schwermetallkomplexe enthalten.

Um eine Diffusion aller in die Ladungsträgerinjektionszone injizierten Ladungsträger zur Mantelfläche und anschließenden Energietransfer in das organische Material hinein zu ermögli- chen, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Zylinderdurchmesser des Halbleiterzylinders kleiner als die Diffusi ^¬ onslänge von in der Ladungsträgerinjektionszone befindlichen Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) ist. Mit Blick auf eine Emission sichtbaren Lichts wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Bandlücke des anorganischen Halbleitermaterials in der Ladungsträgerinjektionszone zwi- sehen 2,5 und 3,3 eV liegt.

Beispielsweise kann es sich bei dem Halbleitermaterial um ein ( In, Ga) -Material handeln. Zur Ladungsträgerbündelung kann der Halbleiterzylinder eine

Quantum-Well-Struktur mit zumindest einer Zylinder Schicht mit kleiner Bandlücke und zumindest zwei benachbarten Zylinderschichten mit demgegenüber größerer Bandlücke aufweisen; in diesem Fall wird das organische Material vorzugsweise einen optisch aktiven Ring bilden, der an zumindest einer Zylinderschicht mit geringer Bandlücke radial außen aufliegt.

Eine solche Quantum-Well-Struktur kann beispielsweise aus ei ^¬ nem ( In, Ga) /GaN-Halbleitermaterial bestehen.

Auch ist es möglich, dass das organische Material die gesamte Mantelschicht des Halbleiterzylinders bedeckt. Eine Emission elekromagnetischer Strahlung wird in diesem Fall überwiegend bzw. ausschließlich in dem Bereich bzw. in den Bereichen auf- treten, der bzw. die an eine Ladungsträgerinjektionszone an ^¬ grenzen, weil die Ladungsträgerinjektionszonen Ladungsträger zur Rekombination zur Verfügung stellen.

Die Grund- und Deckfläche des Halbleiterzylinders kann belie- big geformt sein, beispielsweise kreisförmig, oval, quadra ^¬ tisch, rechteckig oder vieleckig. Durch den Halbleiterzylinder wird vorzugsweise ein Hauptstrompfad gebildet, der sich längs der Zylinderlängsrichtung erstreckt und Ladungsträger in die Ladungsträgerinjektionszo ^¬ ne injiziert; in der Ladungsträgerinjektionszone wird sich dadurch ein Ladungsträgerdiffusionspfad bilden, der senkrecht zu dem Hauptstrompfad verläuft und Elektron-Lochpaare in die Nähe des organischen Materials transportiert werden und an ^¬ schließend in dieses durch nicht strahlenden Energietransfer übergehen.

Die Erfindung bezieht sich darüber hinaus auf ein Verfahren zum Herstellen einer Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, bei dem anorganisches Halbleitermaterial und organisches Material verwendet werden. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass ein Halbleiterzylinder aus anorganischem

Halbleitermaterial mit einer darin befindlichen Ladungsträ ^¬ gerinjektionszone gebildet wird, wobei die Ladungsträgerin ^¬ jektionszone an die Mantelfläche des Halbleiterzylinders an ^¬ grenzt, und organisches Material, das bei Ladungsträgerrekom- bination elektromagnetische Strahlung emittieren kann, mittelbar oder unmittelbar zumindest auf dem Abschnitt der Mantelfläche aufgebracht wird, an den die Ladungsträgerinjekti ^¬ onszone angrenzt. Bezüglich der Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sei auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Anordnung verwiesen, da die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens denen der erfindungsgemäßen Anordnung im Wesentlichen entsprechen.

Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, dass auf einem Substrat eine Keimfläche (Wachstums ^¬ keimfläche) aufgebracht wird und der Halbleiterzylinder auf der Keimfläche durch Abscheiden - beispielsweise im Rahmen eines selbstorganisierten Nanodraht-Wachstumsmechanismus - aufgewachsen wird. Bevorzugt wird der Halbleiterzylinder auf der Keimfläche mittels eines MBE-Verfahrens (MBE: Moleku- larstrahlepitaxie) aufgewachsen.

Die Mantelfläche des Halbleiterzylinders kann beispielsweise ganzflächig mit einer Schicht aus dem organischen Material bedeckt werden.

Auch können auf dem Substrat zwei oder mehr Halbleiterzylinder hergestellt werden und der Bereich zwischen den Halbleiterzylindern mit dem organischen Material gefüllt werden.

Alternativ können die Mantelflächen der Halbleiterzylinder ganzflächig mit einer Schicht aus dem organischen Material bedeckt werden und der Bereich zwischen den bedeckten Halbleiterzylindern mit einem transparenten Füllmaterial gefüllt werden .

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie ^¬ len näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft

Figur 1 erstes Ausführungsbeispiel für eine erfin

dungsgemäße Anordnung mit zwei Halbleiterzylindern, deren Mantelfläche jeweils von einem tisch aktiven Ring radial eingeschlossen wird,

Figur 2 zweites Ausführungsbeispiel für eine erfin dungsgemäße Anordnung, bei der organisches Mate- die gesamte Mantelfläche der Halbleiterzy linder bedeckt, Figur 3 ein drittes Ausführungsbeispiel für eine erfin ^¬ dungsgemäße Anordnung, bei der zwischen Halblei ^¬ terzylindern und Substrat eine Pufferschicht an ^¬ geordnet ist,

Figur 4 ein viertes Ausführungsbeispiel für eine erfin ^¬ dungsgemäße Anordnung, bei der organisches Mate ^¬ rial ganzflächig auf den Mantelflächen der Halbleiterzylinder befindlich ist und zwischen Halb- leiterzylindern und Substrat eine Pufferschicht vorhanden ist, und

Figur 5 ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum

Herstellen einer erfindungsgemäßen Anordnung.

Der Übersicht halber werden in den Figuren für identische o der vergleichbare Komponenten stets dieselben Bezugszeichen verwendet . In der Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eine Anordnung 10 zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung dargestellt. Man erkennt ein Substrat 20, auf dem eine Vielzahl an Halb ^¬ leiterzylindern angeordnet ist, von denen in der Figur 1 beispielhaft zwei gezeigt und mit den Bezugszeichen 30 und 40 gekennzeichnet sind.

Die beiden Halbleiterzylinder 30 und 40 können beispielsweise baugleich sein, so dass nachfolgend beispielhaft ausschließ ^¬ lich der in der Figur 1 linke Halbleiterzylinder 30 näher beschrieben wird.

Man erkennt in der Figur 1 eine Ladungsträgerinjektionszone 50, die durch eine schwach- oder undotierte Zylinderschicht 60 des Halbleiterzylinders 30 gebildet ist. Die Zylinder ^¬ schicht 60 wird von zwei hoch- oder zumindest höher-dotierten Zylinderschichten 70 und 80 eingeschlossen. Die Zylinderschicht 70 kann beispielsweise p-dotiert und die Zylinder- schicht 80 n-dotiert sein, so dass die drei Zylinderschichten 60, 70 und 80 eine Pin-Diodenstruktur bilden.

Um eine hohe Ladungsträgerdichte in der Ladungsträgerinjekti ^¬ onszone 50 bzw. der Zylinderschicht 60 zu erreichen, ist der Bandabstand in der Zylinderschicht 60 vorzugsweise kleiner als der Bandabstand in den benachbarten Zylinderschichten 70 und 80. Beispielsweise bestehen die Zylinderschichten 70 und 80 aus Galliumnitrid (GAN) und die Zylinderschicht 60 aus In ^¬ diumgalliumnitrid (InGaN).

In der Figur 1 lässt sich darüber hinaus ein optisch aktiver Ring 100 erkennen, der aus einem optisch aktiven organischen Material (z. B. organischen Halbleitermaterial) besteht und radial außen auf der Mantelfläche 110 des Halbleiterzylinders 30 aufliegt. Die Position des optisch aktiven Rings 100 ist vorzugsweise derart gewählt, dass dieser zumindest ab ^¬ schnittsweise außen auf der Ladungsträgerinjektionszone 50 bzw. der Zylinderschicht 60 aufliegt. Der Durchmesser D des Halbleiterzylinders 30 ist vorzugsweise derart gewählt, dass er kleiner als die Diffusionslänge von in die Ladungsträgerinjektionszone 50 injizierten Ladungsträ ^¬ gern ist. Eine solche Dimensionierung des Halbleiterzylinders 30 führt dazu, dass bei Anlegen einer elektrischen Spannung an die durch die Zylinderschichten 60, 70 und 80 gebildete

Pin-Diode in die Ladungsträgerzone 50 Ladungsträger injiziert werden, die innerhalb der Ladungsträgerinjektionszone 50 senkrecht zum Hauptstrompfad P diffundieren und den optisch aktiven Ring 100 erreichen können. Dies ermöglicht es den in die Ladungsträgerzone 50 injizierten Ladungsträgern, durch nicht strahlenden Energietransfer in das organische Material 130 des optisch aktiven Ringes 100 einzutreten und dort unter Emission elektromagnetischer Strahlung zu rekombinieren. Im Falle einer solchen Rekombination wird der optisch aktive Ring einen Strahlungsring bilden, der in der Figur 1 mit dem Bezugszeichen 140 gekennzeichet ist. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 ist die Ladungsträ ^¬ gerinjektionszone 50 durch eine einzige schwach- oder undo ^¬ tierte Zylinderschicht 60 gebildet, deren Bandabstand kleiner als der Bandabstand der beiden benachbarten Zylinderschichten 70 und 80 ist. Die drei Zylinderschichten 60, 70 und 80 bil- den somit eine Quantum-Well-Struktur mit einer einzigen

Schicht geringeren Bandabstands. Alternativ kann die Ladungs ^¬ trägerinjektionszone 50 auch durch eine Multi-Quantum-Well- Struktur gebildet sein, bei der eine Mehrzahl an Schichten unterschiedlicher Bandabstände aneinandergrenzen, um eine be- sonders effiziente Ladungsträgerbündelung entlang der Hauptstromrichtung P im Bereich des optisch aktiven Ringes 100 zu erreichen .

Die Figur 2 zeigt beispielhaft ein Ausführungsbeispiel für eine Anordnung 10 zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, bei der optisch aktives organisches Material 130 ganzflächig auf der Mantelfläche 110 der Halbleiterzylinder 30 und 40 aufgetragen ist. Im Übrigen entspricht die Anordnung 10 gemäß Figur 2 der Anordnung gemäß Figur 1.

Im Betrieb der Anordnung 10 werden durch Anlegen einer elektrischen Spannung an die durch die Zylinderschichten 60, 70 und 80 gebildete Pin-Diodenstruktur Ladungsträger in die La- dungsträgerinj ektionszone 50 injiziert, die lateral - senk ^¬ recht zur Hauptstrompfadrichtung P - nach außen diffundieren und in das organische Material 130 durch nicht strahlenden Energietransfer eintreten und dort unter Emission elektromag- netischer Strahlung rekombinieren.

Da aufgrund der Ladungsträgerbündelung in der Ladungsträgerinjektionszone 50 die Ladungsträgerpaare vornehmlich im Be ^¬ reich der Ladungsträgerzone 50 durch die Mantelfläche 110 hindurch in das organische Material 130 eindringen werden, wird dort die Ladungsträgerdichte besonders groß und die E- mission elektromagnetischer Strahlung besonders groß sein. Es wird sich somit in dem optisch aktiven organischen Material 130 ein Strahlungsring bilden, der die elektromagnetische Strahlung ausstrahlt. Der Strahlungsring ist in der Figur 2 mit dem Bezugszeichen 140 gekennzeichnet.

Obwohl also bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 die ge ^¬ samte Mantelfläche 110 der Halbleiterzylinder 30 und 40 mit optisch aktivem organischem Material 130 bedeckt ist, wird nur ein relativ kleiner Abschnitt der auf der Mantelfläche 110 befindlichen Schicht tatsächlich elektromagnetische

Strahlung erzeugen. In der Figur 3 ist beispielhaft eine Anordnung 10 zum Erzeu ^¬ gen elektromagnetischer Strahlung gezeigt, bei der auf der Mantelfläche 110 der Halbleiterzylinder 30 und 40 jeweils ein optisch aktiver Ring 100 aus optisch aktivem organischen Material 130 gebildet ist. Im Unterschied zu dem Ausführungs- beispiel gemäß Figur 1 sind die Halbleiterzylinder 30 und 40 nicht unmittelbar auf dem Substrat 20 aufgesetzt, sondern von dem Substrat 20 durch eine Pufferschicht 200 getrennt. Die Funktion einer solchen Pufferschicht kann beispielsweise dazu dienen, als Keimfläche während eines Abscheidungsprozesses zu wirken, durch den die Halbleiterzylinder 30 und 40 auf dem Substrat 20 aufgewachsen werden. Im Übrigen entspricht das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3 dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1.

Die Figur 4 zeigt beispielhaft ein Ausführungsbeispiel für eine Anordnung 10 zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, bei dem das optisch aktive organische Material 130 auf der gesamten Mantelfläche 110 der Halbleiterzylinder 30 und 40 aufgebracht ist und bei dem zusätzlich zwischen den Halblei ^¬ terzylindern 30 und 40 und dem Substrat 20 eine Pufferschicht 200 vorhanden ist. Die Pufferschicht 200 fördert - ebenso wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3 - ein Wachstum der Halbleiterzylinder 30 und 40 auf dem Substrat 20. Im Übrigen wird auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit der Figur 2 verwiesen. In der Figur 5 ist beispielhaft ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung 10 gemäß Figur 4 dargestellt. Man erkennt ein Substrat 20, auf dessen Oberfläche 300 zunächst eine Wachs ^¬ tumskeimschicht aufgebracht wird. Die Wachstumskeimschicht wird strukturiert, so dass Wachstumskeimflächen 310 gebildet werden, auf denen das Wachstum der aufzuwachsenden Halbleiterzylinder 30 und 40 erfolgen soll. Die Funktion der Wachstumskeimflächen 310 besteht darin, ein selbst organisiertes Nanodrahtwachstum während eines MBE-Abscheidungsprozesses auf dem Substrat 20 zu ermöglichen (vgl. "Axial and radial growth of Ni-induced GaN nanowires", L. Geelhaar, C. Cheze, W. M.

Weber, R. Averbeck, H. Riechert, Th. Kehagias, Ph. Komninou, G. P. Dimitrakopulos , Th. Karakostas, , Appl . Phys . Lett. 91 (2007) 093113; "Ferromagnet-semiconductor nanowire coaxial heterostructures grown by molecular-beam epitaxy", M. Hilse, Y. Takagaki, J. Herfort, M. Ramsteiner, C. Herrmann, S. Breuer, L. Geelhaar, H. Riechert, Appl . Phys . Lett. 95 (2009) 133126) .

In einem nachfolgenden Prozessschritt wird anorganisches Halbleitermaterial, beispielsweise n-dotiertes Galliumnitrid auf dem Substrat 20 aufgewachsen, dabei kommt es auf den Wachstumskeimflächen 310 zu einem besonders schnellen Wachs- tum und zur Ausbildung zylindrischer Strukturen.

Nachfolgend werden weitere Zylinderschichten, beispielsweise eine schwach- oder undotierte Zylinderschicht 60 aus Indium ^¬ galliumnitrid und eine p-dotierte Zylinderschicht 70 aus p- dotiertem Galliumnitrid im Rahmen des bereits erwähnten selbst-organisierten Nanonadelwachstumsmechanismus abgeschie ^¬ den. Es bildet sich somit die in der Figur 5 (obere Darstel ^¬ lung) gezeigte Struktur. Anschließend wird optisch aktives organisches Material 130 ganzflächig auf dem Substrat 20 sowie den beiden Halbleiterzylindern 30 und 40 abgeschieden; die resultierende Struktur ist in der Figur 5 (Mitte) dargestellt. Danach werden die Halbleiterzylinder 30 und 40 mit elektrischen Kontakten 500, 510 und 520 kontaktiert, um eine elekt ^¬ rische Ansteuerung der Halbleiterzylinder 30 und 40 und eine Ladungsträgerinjektion in die Zylinderschicht 60 zu vereinfa ^¬ chen.

Der zwischen den Halbleiterzylindern 30 und 40 vorhandene Bereich kann beispielsweise mit einem transparenten Füllmaterial 530 gefüllt werden. Das transparente Füllmaterial 530 kann beispielsweise mit dem organischen Material 130 identisch sein .

Bezugs zeichenliste

10 Anordnung

20 Substrat

30 Halbleiterzylinder

40 Halbleiterzylinder

50 Ladungsträgerinj ektionszone

60 Zylinderschicht

70 Zylinderschicht

80 Zylinderschicht

100 Ring

110 Mantelfläche

130 organisches Material

140 Strahlungsring

200 Pufferschicht

300 Oberfläche

310 Wachstumskeimfläche

500 Kontakt

510 Kontakt

520 Kontakt

530 Füllmaterial

D Durchmesser

P Hauptstrom fad