以下、本発明の実施の形態を、図面を参� ��にして説明する。なお、本明細書及び図面� ��おいて、実質的に同一の機能構成を有する� ��成要素については、同一の符号を付するこ� ��により重複説明を省略する。

 図3は本発明の実施の形態にかかる太陽電池 特性測定用の疑似太陽光生成装置1の説明図� �ある。
 図3に示すように、疑似太陽光生成装置1は� �商用電源11、充電電源12、電気二重層蓄電器� ��よび電力制御回路20、スイッチング方式昇� �電源回路30、D級アンプ回路40、アンプ出力制 御回路45、フラッシュランプ50、電流検出器60 、制御回路70、発光光量検出センサー80から� �成されている。

 ここで、スイッチング方式昇圧電源回路3 0は、昇圧用インダクター32、逆流防止ダイオ ード34、スイッチング用素子36、負荷用平滑� �ンデンサー38により構成されている。また、 制御回路70は、充放電・電圧・電流および光� ��を制御する回路である。

 以下、疑似太陽光生成装置1の構成について 説明する。
 商用電源11は充電電源12に接続しており、ま た、充電電源12は電気二重層蓄電器および電� ��制御回路20に接続している。電気二重層蓄� �器および電力制御回路20にはフラッシュラン プ50が接続され、電流が流れることにより点� ��する。ここで、フラッシュランプ50を点灯� �せるための電気回路上にはスイッチング方� �昇圧電源回路30、D級アンプ回路40、電流検出 器60が設けられている。なお、D級アンプ回路 40はフラッシュランプ50の上流部(下流部でも� ��い)、電流検出器60はフラッシュランプ50の� �流部(上流部でもよい)にそれぞれ設けられ、 スイッチング方式昇圧電源回路30は電気二重� ��蓄電器および電力制御回路20の上流部及び� �流部に接続するよう設けられている。

 また、図3の点線矢印で示すように、制御 回路70は、充電電源12の充電制御、電気二重� �蓄電器および電力制御回路20の放電制御、ス イッチング方式昇圧電源回路30を制御してい� ��。一方、アンプ出力制御回路45は、電気二� �層蓄電器および電力制御回路20から出力され る電圧値、スイッチング方式昇圧電源回路30� ��ら出力される電圧値、フラッシュランプ50� �電圧値、発光光量検出センサー80から出力さ れる光量情報により、D級アンプ回路40を制御 する構成となっている。なお、本発明は、フ ラッシュランプ50の点灯時、つまりフラッシ� ��ランプ50がアーク放電の維持を行っている� �合に関するため、アーク放電への移行を行� �イグナイタ(フラッシュランプ点灯用トリガ� ��回路)については図示しない。

 以上のように構成される疑似太陽光生成装� ��1において、以下に説明するように疑似太陽 光が生成される。
 まず、制御回路70の充電制御により、商用� �源11に接続される充電電源12から、電気二重� ��蓄電器および電力制御回路20に電力が供給� �れ、充電が行われる。そして、電気二重層� �電器および電力制御回路20の充電が完了した 後、制御回路70によってスイッチング方式昇� ��電源回路30を制御し、所定の電圧を平滑コ� �デンサー38に蓄電させ、フラッシュランプ50� ��点灯準備が完了する。

 そして、フラッシュランプ50の点灯が起� �されると、フラッシュランプ50の状態は、図 示しないイグナイタによるアーク放電への移 行からアーク放電の維持へと遷移する。ここ で、アーク放電の維持への遷移は、制御回路 70の制御によって、電気二重層蓄電器および� ��力制御回路20から放電される電流によって� �われる。さらに、アーク放電の維持を継続� �るために、フラッシュランプ50に供給される 電流値を測定する電流検出器60の測定値を随� ��測定し、制御回路70が受け取るその電流測� �値が下がった場合には、制御回路70によって スイッチング用素子36を制御することでフラ� ��シュランプ50へ流れる電流を上昇させ、定� �流となるように制御が行われる。なお、本� �施の形態においては、過渡応答に対応する� �めにD級アンプ回路40をスイッチング方式昇� �電源回路30とフラッシュランプ50の間に設け� ��こととしている。

 また、制御回路70は、発光光量検出センサ� �80から光量情報を受け取り、その光量情報に おいてフラッシュランプ50の光量が少ないと� ��断される場合には、スイッチング用素子36� �制御することで、フラッシュランプ50の光量 が一定になるように制御を行う。
 ここで、制御回路70による上記定電流制御� �おける定電流の値は、光量制御において、� �ラッシュランプ50の光量が所定の光量となる ように定められる。

 以上述べた工程において、アーク放電の� ��持が継続している間において、フラッシュ� ��ンプ50は所定の時間点灯し、その所定の時� �経過後には電気二重層蓄電器および電力制� �回路20からの電力供給は制御回路70によって� ��止され、フラッシュランプ50の点灯が完了� �る。フラッシュランプ50の点灯時には、太陽 電池特性測定が行われる。その後、上述した 工程を再度繰り返すことで、太陽電池特性測 定が再度行われる。

 ここで、以下にD級アンプ回路40について� ��面を参照して説明する。フラッシュランプ5 0の上流(スイッチング方式昇圧電源回路30の� �流)に設けられたD級アンプ回路40は、スイッ� ��ング方式電源の過渡応答が遅いことへの対� ��として設けられているものである。

一般的に、スイッチング方式電源は、過渡 特性がさほど問題とならない用途に使われて いる。そこで、本実施の形態において、大電 力動作を必要とするにもかかわらず、D級ア� �プ回路40が設けられていない場合、スイッチ ング方式電源の過渡応答が遅いことにより、 スイッチング方式昇圧電源回路30の負荷用コ� ��デンサー38の電荷がフラッシュランプ50(負� �)に流入し、過大電流が流れてしまう恐れが� ��る。定電流動作時には、負荷電圧が低い状� ��から高い状態(負荷インピーダンス上昇)と� �り、電圧の上昇が遅くなる。また、定電圧� �作時には、負荷電流が急に減少した時は、� �大電圧が生じてしまう。さらに、過渡時に� �ける大エネルギーが負荷を破壊、劣化させ� �恐れや、不安定にさせてしまう恐れがある� �

 そこで、図3に示すように、本実施の形態 では、D級アンプ回路40をスイッチング方式昇 圧電源回路30とフラッシュランプ50(負荷)の間 に設け過渡応答に対応することとしている。 また、D級アンプ回路40を設けたことに伴い、 D級アンプ回路40の出力を制御するアンプ出力 制御回路45が設けられる。

 図4はD級アンプ回路40の構成を説明する説明 図である。図4に示すように、D級アンプ回路4 0はGATE-DRIVE AMPLIFIER42と二つのMOSFET43によって� ��成される。
 D級アンプ回路40は上述した問題点を解消す� ��ため、スイッチング方式昇圧電源回路30か� �出力される電圧を入力し、アンプ出力制御� �路45からの制御に従ってフラッシュランプ50� ��の電圧を制御する。

 ここで、アンプ出力制御回路45は、フラ� �シュランプ50(負荷)に過大電流、過大電圧が� ��からないように、D級アンプ回路40の出力を� ��御する回路であり、一般的に広く知られて� ��るデジタルシグナルプロセッサのようなマ� ��クロプロセッサで構成することもできる。� ��体的制御としては、電気二重層蓄電器およ� ��電力制御回路20から出力される電圧値、ス� �ッチング方式昇圧電源回路30から出力される 電圧値、フラッシュランプ50の電圧値、発光� ��量検出センサー80から出力される光量情報� �ら、過渡応答を予測し、D級アンプ回路40の� �力を制御することとなる。

 アンプ出力制御回路45がスイッチング方式� �源の過渡応答を部分的に受け持つことで、D� ��アンプ回路40の電力消費を最小限にし、ス� �ッチング方式電源を、過渡特性をさほど問� �とすることなく使用することができる。
これによりD級アンプ回路40に吐き出しと吸い 込み定電流特性を持たせることで、負荷用平 滑コンデンサー38の電荷が負荷への突入電流� ��防止でき、また、電流の吸い込み性がある� ��め、オーバーシュートを抑えることができ� ��。負荷用平滑コンデンサー38を、目的とす� �最大電圧にし、D級アンプ回路40で吸い込み� �ある1、2、3象限型定電圧定電流特性で安定� �た制御が行われる。
負荷変動とその応答は、非線形であり、アナ ログ制御方式では目的とする特性を達成でき ないので、DSP等を使用し、デジタルで過渡応 答を予測的に制御することで、応答特性を最 適に制御できる。

 以上、本発明の実施の形態の一例を説明� ��たが、本発明は図示の形態に限定されない� ��当業者であれば、特許請求の範囲に記載さ� ��た思想の範疇内において、各種の変更例ま� ��は修正例に想到し得ることは明らかであり� ��それらについても当然に本発明の技術的範� ��に属するものと了解される。

 例えば、上述した本実施の形態では、フラ� ��シュランプ50に供給される電流およびフラ� �シュランプ50の光量の値によってスイッチン グ方式昇圧電源回路30を制御し、フラッシュ� ��ンプ50の光量を一定に制御することとして� �る。
 しかし、フラッシュランプ50の光の放射照� �は、照射全域で比例していない。これは発� �光量検出センサー80がフラッシュランプ50の� ��射光の一部しか検出していないためである� ��そこで、上記本発明の実施の形態において� ��フラッシュランプ50の照射全域の光量に比� �した信号で光量全体を制御し、放射照度の� �定度をさらに高めることがより望ましい。

 図5は上記実施の形態において、低反射率ミ ラー92および集光レンズ94を設けた場合を説� �する説明図である。このとき、低反射率ミ� �ー92は、例えば表面反射ミラーである。
 図5に示すように、低反射率ミラー92はフラ� ��シュランプ50と太陽電池90の間に設けられ、 また、低反射率ミラー92と発光光量検出セン� ��ー80との間には集光レンズ94が設けられてい る。

フラッシュランプ50から照射される照射全域� ��光は、低反射率ミラー92により反射され、� �光レンズ94において集光され、発光光量検出 センサー80において光量が検出される。検出� ��れた光量情報は制御回路70へ送られ、光量� �報に基づいて、フラッシュランプ50の光量は 一定に制御される。
なお、特に積分レンズ等を使用して、全体を 均一化しているソーラーシミュレータの場合 は、局部の小さい変動があり、光量検出を照 射全域の光から行う効果は大きい。

 また、フラッシュランプ50のスペクトル� �布は、時間的に変動する。この変動は全領� �負帰還でも安定させることはできない。そ� �ため、太陽電池出力に変動が生じてしまう� �れがある。そこで、光量検出の際の分光感� �と、測定対象物(ここでは太陽電池90)の分光� ��度とをほぼ同等にし、負帰還をかけること� ��よりスペクトル変動の影響を最小限にする� ��とが好ましい。

 具体的な方法としては、上記実施の形態に� ��いて、発光光量検出センサー80の代わりに� �陽電池90と類似の分光感度を有する分光感度 センサーを用いることが考えられる。この場 合、両者のスペクトル分布は、ほぼ同じにな るため、スペクトル変動の影響を最小限に抑 えることが可能となる。
 また、発光光量検出センサー80において検� �する光のスペクトル分布を太陽電池90のスペ クトル分布と同じにするためのフィルターを 発光光量検出センサー80の検出部に設けるこ� ��も考えられる。この場合に、発光光量検出� ��ンサー80は、該フィルターを介して太陽電� �90のスペクトル分布と同じスペクトルの範囲 だけにおいて光量を検出するため、スペクト ル変動の影響を最小限に抑えることが可能と なる。

 一方、フラッシュランプ50から放射される� �は、反射屈折を利用して光学的に照射領域� �導かれる。そのため、照射域に導くことが� �難な光束が無駄となってしまう。そこで、� �駄になってしまう光束を光ファイバーに集� �して光路を変えることで照射域へと導くこ� �が望ましい。以下図面を参照して説明する� �
 図6は光ファイバーを用いた光量検出方法の 説明図である。フラッシュランプ50と太陽電� ��90の間には反射集光ミラー110が設けられ、� �た、フラッシュランプ50の反射集光ミラー110 と反対側には、光ファイバー120が接続される 集光器125が設けられている。なお、反射集光 ミラー110の中央部はフラッシュランプ50の光� ��透過させる構造となっており、また、光フ� ��イバーの先端出力方向は、太陽電池90の方� �である。

 フラッシュランプ50から太陽電池90へ向かう 光200(図6における点線矢印)の照射については 、上記述べてきた実施の形態と同じである。 一方フラッシュランプ50からの照射域を導く� ��とが困難な光束202(図6における一点鎖線矢� �)は反射集光ミラー110によって反射し、その� ��束202はファイバー受光器125へ集光される。� ��ァイバー受光器125には光ファイバー120が接� ��されており、集光された光は、光ファイバ� ��120の先端より出力される。光ファイバー120� ��ら出力される光の方向は制御可能であり、� ��の光は太陽電池90において照射光量の少な� �部分に向けて照射される。
 従って、太陽電池90に対するフラッシュラ� �プ50からの光の照射照度の場所むらを改善す ることが可能となる。