以下、添付図面を参照しつつ本発明の実� ��形態を説明する。

 図1は本発明に係る記憶媒体駆動装置の一 具体例すなわちハードディスク駆動装置(HDD)1 1の内部構造を概略的に示す。このHDD11は筐体 すなわちハウジング12を備える。ハウジング1 2は箱形のベース13およびカバー(図示されず)� ��ら構成される。ベース13は例えば平たい直� �体の内部空間すなわち収容空間を区画する� �ベース13は例えばアルミニウムといった金属 材料から鋳造に基づき成形されればよい。カ バーはベース13の開口に結合される。カバー� ��ベース13との間で収容空間は密閉される。� �バーは例えばプレス加工に基づき1枚の板材� ��ら成形されればよい。

 収容空間には、記憶媒体としての1枚以上 の磁気ディスク14が収容される。磁気ディス� ��14はスピンドルモータ15に装着される。スピ ンドルモータ15は例えば3600rpmや4200rpm、5400rpm� ��7200rpm、10000rpm、15000rpmといった高速度で磁� �ディスク14を回転させることができる。

 収容空間にはキャリッジ16がさらに収容� �れる。キャリッジ16はキャリッジブロック17� ��備える。キャリッジブロック17は、垂直方� �に延びる支軸18に回転自在に連結される。キ ャリッジブロック17には支軸18から水平方向� �延びる複数のキャリッジアーム19が区画され る。キャリッジブロック17は例えば押し出し� ��型に基づきアルミニウムから成型されれば� ��い。

 個々のキャリッジアーム19の先端にはヘ� �ドサスペンション21が取り付けられる。ヘッ ドサスペンション21はキャリッジアーム19の� �端から前方に延びる。ヘッドサスペンショ� �21には後述のフレキシャが貼り付けられる。 フレキシャ上には浮上ヘッドスライダ22が支� ��される。フレキシャに基づき浮上ヘッドス� ��イダ22はヘッドサスペンション21に対して姿 勢を変化させることができる。浮上ヘッドス ライダ22には磁気ヘッドすなわち電磁変換素� ��が搭載される。

 磁気ディスク14の回転に基づき磁気ディ� �ク14の表面で気流が生成されると、気流の働 きで浮上ヘッドスライダ22には正圧すなわち� ��力および負圧が作用する。浮力および負圧� ��ヘッドサスペンション21の押し付け力とが� �り合うことで磁気ディスク14の回転中に比較 的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ22は浮上� ��続けることができる。

 こういった浮上ヘッドスライダ22の浮上� �にキャリッジ16が支軸18回りで回転すると、� ��上ヘッドスライダ22は磁気ディスク14の半径 線に沿って移動することができる。その結果 、浮上ヘッドスライダ22上の電磁変換素子は� ��内周記録トラックと最外周記録トラックと� ��間でデータゾーンを横切ることができる。� ��うして浮上ヘッドスライダ22上の電磁変換� �子は目標の記録トラック上に位置決めされ� �。

 キャリッジブロック17には例えばボイス� �イルモータ(VCM)23といった動力源が接続され� ��。このボイスコイルモータ23の働きでキャ� �ッジブロック17は支軸18回りで回転すること� ��できる。こうしたキャリッジブロック17の� �転に基づきキャリッジアーム19およびヘッド サスペンション21の揺動は実現される。

 図1から明らかなように、キャリッジブロ ック17上にはフレキシブルプリント基板ユニ� ��ト25が配置される。フレキシブルプリント� �板ユニット25はフレキシブルプリント基板26� ��備える。フレキシブルプリント基板26には� �ッドIC(集積回路)27が実装される。磁気情報� �読み出し時には、このヘッドIC27から電磁変� ��素子の読み出しヘッド素子に向けてセンス� ��流は供給される。同様に、磁気情報の書き� ��み時には、ヘッドIC27から電磁変換素子の書 き込みヘッド素子に向けて書き込み電流は供 給される。ヘッドIC27には、収容空間内に配� �される小型の回路基板28や、ベース13の底板� ��裏側に取り付けられるプリント配線基板(図 示されず)からセンス電流や書き込み電流は� �給される。

 センス電流や書き込み電流の供給にあた� ��てフレキシブルプリント基板29が用いられ� �。フレキシブルプリント基板29は一端で個々 のヘッドサスペンション21に部分的に貼り付� ��られる。フレキシブルプリント基板29はヘ� �ドサスペンション21からキャリッジアーム19� ��側縁に沿って後方に延びる。フレキシブル� ��リント基板29の後端はフレキシブルプリン� �基板26に重ね合わせられる。フレキシブルプ リント基板29はいわゆるロングテール型に構� ��される。

 フレキシブルプリント基板29の他端には� �上ヘッドスライダ22が支持される。すなわち 、フレキシブルプリント基板29はフレキシャ� ��構成する。フレキシブルプリント基板29は� �数本の配線パターン(図示されず)を備える。 配線パターンの一端は浮上ヘッドスライダ22� ��接続される。配線パターンの他端はフレキ� ��ブルプリント基板26に接続される。こうし� �浮上ヘッドスライダ22はヘッドIC27に電気接� �される。フレキシブルプリント基板29は、ス テンレス鋼板といった金属薄板と、金属薄板 上に順番に積層される絶縁層、導電層および 保護層とを備える。導電層は前述の配線パタ ーンを構成する。絶縁層および保護層には例 えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用い られればよい。

 図2は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ 22を示す。この浮上ヘッドスライダ22は、例� �ば平たい直方体に形成される基材すなわち� �ライダ本体31を備える。スライダ本体31の空� ��流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち� ��子内蔵膜32が積層される。この素子内蔵膜32 に電磁変換素子33が組み込まれる。電磁変換� ��子33の詳細は後述される。

 スライダ本体31は例えばAl ₂ O ₃ -TiC(アルチック)といった硬質の非磁性材料か ら形成されればよい。素子内蔵膜32は例えばA l ₂ O ₃ (アルミナ)といった比較的に軟質の絶縁非磁� ��材料から形成されればよい。スライダ本体3 1は媒体対向面34で磁気ディスク14に向き合う� ��媒体対向面34には平坦なベース面35すなわち 基準面が規定される。磁気ディスク14が回転� ��ると、スライダ本体31の前端から後端に向� �って媒体対向面34には気流36が作用する。

 媒体対向面34には、前述の気流36の上流側 すなわち空気流入側でベース面35から立ち上� ��る1筋のフロントレール37が形成される。フ� ��ントレール37はベース面35の空気流入端に沿 ってスライダ幅方向に延びる。同様に、媒体 対向面34には、気流の下流側すなわち空気流� ��側でベース面35から立ち上がるリアレール38 が形成される。リアレール38はスライダ幅方� ��の中央位置に配置される。

 媒体対向面34には、空気流出側でベース� �35から立ち上がる左右1対の補助リアレール39 、39がさらに形成される。補助リアレール39� �39はベース面35の左右の縁に沿ってそれぞれ� ��置される。その結果、補助リアレール39、39 同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置さ れる。補助リアレール39、39同士の間にリア� �ール38は配置される。

 フロントレール37、リアレール38および補 助リアレール39、39の頂上面にはいわゆる空� �軸受け面(ABS)41、42、43が規定される。空気軸 受け面41、42、43の空気流入端は段差44、45、46 でレール37、38、39の頂上面に接続される。磁 気ディスク14の回転に基づき生成される気流3 6は媒体対向面34に受け止められる。このとき 、段差44、45、46の働きで空気軸受け面41、42� �43には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生 成される。しかも、フロントレール37の後方� ��なわち背後には大きな負圧が生成される。� ��れら浮力および負圧のバランスに基づき浮� ��ヘッドスライダ22の浮上姿勢は確立される� �なお、浮上ヘッドスライダ22の形態はこうい った形態に限られるものではない。

 図3は電磁変換素子33の様子を詳細に示す� ��電磁変換素子33は、書き込みヘッド素子す� �わち単磁極ヘッド51と読み出しヘッド素子52� ��を備える。単磁極ヘッド51および読み出し� �ッド素子52は素子内蔵膜32内に埋め込まれる� ��素子内蔵膜32内で単磁極ヘッド51は読み出し ヘッド素子52よりも空気流出側に配置される� ��単磁極ヘッド51は、周知の通り、例えば磁� �コイルで生起される磁界を利用して磁気デ� �スク14に2値情報を書き込むことができる。� �み出しヘッド素子52には例えばトンネル接合 磁気抵抗効果(TMR)素子が用いられる。読み出� ��ヘッド素子52は、周知の通り、磁気ディス� �14から作用する磁界に応じて変化する抵抗に 基づき2値情報を検出することができる。

 読み出しヘッド素子52では、磁気抵抗効� �膜53が上下1対の導電層すなわち下部シール� �層54および上部シールド層55に挟み込まれる� ��下部シールド層54および上部シールド層55は 例えばFeNやNiFeといった磁性材料から構成さ� �ればよい。下部シールド層54および上部シー ルド層55同士の間隔は磁気ディスク14上で記� �トラックの線方向に磁気記録の分解能を決� �する。

 単磁極ヘッド51は、空気軸受け面42で露出 する主磁極56および補助磁極57を備える。主� �極56および補助磁極57は例えばFeNやNiFeといっ た磁性材料から構成されればよい。図4を併� �て参照し、主磁極56および補助磁極57の間で� ��気コイルすなわち薄膜コイル58が形成され� �。主磁極56の後端は薄膜コイル58の中心位置� ��補助磁極57に連結片59で磁気的に連結される 。こうして主磁極56、補助磁極57および連結� �59は、薄膜コイル58の中心位置を貫通する磁� ��コアを形成する。

 下部シールド層54には第1配線パターン61� �接続される。上部シールド層55には第2配線� �ターン62が接続される。第1配線パターン61お よび第2配線パターン62は素子内蔵膜32に埋め� ��まれる。第1配線パターン61および第2配線パ ターン62は協働でセンス電流の流通路を確立� ��る。センス電流は例えば第1配線パターン61� ��ら下部シールド層54を介して磁気抵抗効果� �53に流入する。センス電流は磁気抵抗効果膜 53から上部シールド層55を介して第2配線パタ� ��ン62から取り出される。第1および第2配線パ ターン61、62は例えばCuやAuといった導電材料� ��ら構成される。

 素子内蔵膜32内には、読み出しヘッド素� �52およびスライダ本体31の間にスイッチ素子6 3が埋め込まれる。スイッチ素子63の詳細は後 述される。スイッチ素子63には1対のスイッチ 用配線パターン64、64が接続される。一方の� �イッチ用配線パターン64は第1配線パターン61 に接続される。他方のスイッチ用配線パター ン64は第2配線パターン62に接続される。スイ� ��チ用配線パターン64の働きでスイッチ素子63 にはセンス電流が供給される。スイッチ用配 線パターン64は例えばCuやAuといった導電材料 から構成されればよい。

 図5に示されるように、下部シールド層54� ��よび上部シールド層55には磁気抵抗効果膜53 に並列に第3配線パターン65が接続される。こ うして第3配線パターン65は磁気抵抗効果膜53� ��並列に第1および第2配線パターン61、62に接� ��される。第3配線パターン65は素子内蔵膜32� �埋め込まれる。第3配線パターン65には前述� �スイッチ素子63が挿入される。スイッチ素子 63および第3配線パターン65は分岐回路を構成� ��る。第3配線パターン65は例えばCuやAuといっ た導電材料から構成されればよい。なお、素 子内蔵膜32、読み出しヘッド素子52、スイッ� �素子63および第3配線パターン65は本発明のヘ ッドユニットを構成する。

 図6は回路図を示す。スイッチ素子63には� ��イッチ用配線パターン64を介して例えば第1� ��線パターン61からセンス電流が供給される� �センス電流はスイッチ素子63の制御信号とし て機能する。センス電流の供給の有無に基づ きスイッチ素子63の開閉が実現される。スイ� ��チ素子63は開閉に基づき第3配線パターン65� �導通および非導通を切り替える。第3配線パ� ��ーン65の導通に基づき磁気抵抗効果膜53は短 絡する。ここでは、スイッチ素子63および第3 配線パターン65で構成される分岐回路の抵抗� ��磁気抵抗効果膜53の抵抗よりも十分に小さ� �設定される。

 図7は具体例1に係るスイッチ素子63を示す 。スイッチ素子63は、スライダ本体31の空気� �出側端面に積層形成される第1非磁性膜67お� �び第2非磁性膜68の間に形成される空洞69に配 置される。第1非磁性膜67上には前述の第3配� �パターン65、65が形成される。第3配線パター ン65、65はスイッチ片71で接続される。スイッ チ片71は導電片72を備える。導電片72は例えば CuやAuといった導電材料から形成される。導� �片72の基部端は一方の第3配線パターン65に接 合される。導電片72の先端は他方の第3配線パ ターン65に受け止められる。こうして第3配線 パターン65の導通は確立される。

 導電片72の内向き面には収縮膜73が取り付け られる。収縮膜73は例えばITO(酸化インジウム スズ)やTiN、Al ₂ O ₃ から構成される。収縮膜73の収縮応力に基づ� ��導電片72は湾曲する。湾曲に基づき導電片72 の先端と他方の第3配線パターン65との接触が 実現される。導電片72の外向き面には低熱膨� ��材74が取り付けられる。低熱膨張材74の熱膨 張率は導電片72の熱膨張率よりも小さく設定� ��れる。低熱膨張材74には発熱体すなわちヒ� �タ75が向き合わせられる。ヒータ75には例え� ��電熱線が用いられればよい。電熱線は例え� ��W(タングステン)から構成されればよい。ヒ� ��タ75は第2非磁性膜68に取り付けられる。ヒ� �タ75およびスイッチ片71の間には所定の間隔� ��確保される。

 ヒータ75には前述のスイッチ用配線パタ� �ン64が接続される。スイッチ用配線パターン 64から供給される制御信号すなわちセンス電� ��に基づきヒータ75は発熱する。ヒータ75の熱 は導電片72および低熱膨張材74に伝達される� �低熱膨張材74の熱膨張率は導電片72の熱膨張� ��よりも小さく設定されることから、低熱膨� ��材74よりも導電片72は大きく膨張する。その 結果、図8に示されるように、バイモルフ効� �の働きで導電片72の先端は他方の第3配線パ� �ーン65から離れる。こうして第3配線パター� �65の非導通が確立される。こうして磁気抵抗 効果膜53にセンス電流が供給される時にのみ� ��3配線パターン65の非導通は確立される。

 以上のような浮上ヘッドスライダ22では� �スイッチ素子63は第3配線パターン65の導通を 確立する。分岐回路の抵抗は磁気抵抗効果膜 53の抵抗よりも十分に小さく設定される。こ� ��した分岐回路は素子内蔵膜32に埋め込まれ� �。分岐回路は磁気抵抗効果膜53にできる限り 近づくことができる。したがって、例えばESD (静電気放電)に基づき例えばヘッドサスペン� ��ョン21上のフレキシブルプリント基板26で過 電流が発生しても、過電流は第1配線パター� �61から第3配線パターン65を経由して第2配線� �ターン62に流通する。磁気抵抗効果膜53に過� ��流の流通はできる限り回避される。磁気抵� ��効果膜53の破壊はより確実に防止される。

 従来の分岐回路にはスイッチ素子が組み� ��まれない。分岐回路には例えば磁気抵抗効� ��膜の抵抗値の約100倍の抵抗値の抵抗が組み� ��まれる。その結果、読み出し動作時に分岐� ��路に電流が流通してしまう。読み出し信号� ��S/N比は劣化してしまう。その一方で、前述� ��れるように、本発明ではスイッチ素子63の� �きで読み出し動作時に分岐回路に電流は流� �しない。したがって、分岐回路の抵抗は磁� �抵抗効果膜53に比べて十分に小さく設定され ることができる。ESDの発生時に分岐回路に流 れる電流量を増大させることができる。

 その他、読み出しヘッド素子52にはCPP(Curr ent Perpendicular to Plane)素子が用いられてもよ い。スイッチ素子63の制御信号としてセンス� ��流に代えてゲート信号が用いられてもよい� ��

 次に素子内蔵膜32の製造方法を簡単に説明� �る。図9に示されるように、スライダ本体31� �空気流出側端面に第1非磁性膜67が積層形成� �れる。第1非磁性膜67はAl ₂ O ₃ から構成される。第1非磁性膜67上には導電材 料77が積層形成される。積層形成にあたって� ��っきや蒸着、スパッタリングが実施されれ� ��よい。導電材料77はCuやAuから構成される。� ��電材料77上には所定のパターンでレジスト� �78が形成される。レジスト膜78は前述の第3配 線パターン65の輪郭を象る。レジスト膜78に� �づき導電材料77にエッチング処理が施される 。エッチング処理にあたってドライエッチン グ処理およびウェットエッチング処理のいず れかが実施されればよい。その結果、図10に� ��されるように、レジスト膜78の外側で導電� �料77は削り出される。レジスト膜78は除去さ� ��る。こうして第1非磁性膜67上には第3配線パ ターン65が形成される。

 図11に示されるように、第1非磁性膜67上に� �第3配線パターン65に覆い被さるレジスト膜79 が形成される。図12に示されるように、レジ� ��ト膜79には空隙81が形成される。空隙81内に� ��方の第3配線パターン65が露出する。図13に� �されるように、空隙81内には導電材料82が積� ��形成される。積層形成にあたってめっきや� ��着、スパッタリングが実施されればよい。� ��電材料82はCuやAuから構成される。その後、� ��14に示されるように、レジスト膜79上には所 定のパターンでレジスト膜83が形成される。� ��ジスト膜83には空隙84が形成される。空隙84� ��収縮膜73の輪郭を象る。空隙84内でレジスト 膜79が露出する。図15に示されるように、空� �84内には所定の膜厚で収縮膜73が形成される� ��形成にあたって例えばスパッタリングが実� ��される。例えば熱に基づく膜収縮の作用で� ��縮膜73には収縮応力が蓄積される。収縮膜73 はITOやTiN、Al ₂ O ₃ から構成される。図16に示されるように、収� ��膜73の形成後、レジスト膜83は除去される。

 図17に示されるように、レジスト膜79上に は所定のパターンでレジスト膜85が形成され� ��。レジスト膜85には所定の空隙86が形成され る。空隙86は導電片72の輪郭を象る。空隙86内 に収縮膜73が配置される。図18に示されるよ� �に、空隙86内に導電片72が積層形成される。� ��電片72はCuやAuから構成される。その後、図1 9に示されるように、レジスト膜85上には所定 のパターンでレジスト膜87が形成される。レ� ��スト膜87には空隙88が形成される。空隙88は� ��熱膨張材74の輪郭を象る。空隙88内で導電片 72が部分的に露出する。図20に示されるよう� �、空隙88内に低熱膨張材74が積層形成される� ��

 図21に示されるように、レジスト膜87上には レジスト膜89が形成される。図22に示される� �うに、レジスト膜89上に所定のパターンでレ ジスト膜91が形成される。レジスト膜91には� �隙92が形成される。空隙92はヒータ75の輪郭� �象る。空隙92にはヒータ75が積層形成される� ��ヒータ75はWから構成される。図23に示され� �ように、レジスト膜91上には第2非磁性膜68が 形成される。第2非磁性膜68はAl ₂ O ₃ から構成される。その後、図24に示されるよ� ��に、レジスト膜79、85、87、89、91は除去され る。除去にあたって例えばウェットエッチン グ処理が施されればよい。こうして第1およ� �第2非磁性膜67、68の間に空洞69が形成される� ��空洞69にはスイッチ素子63が形成される。レ ジスト膜79、85、87、89、91の除去に基づき収� �膜73の収縮応力が解放される。その結果、収 縮応力は導電片72の湾曲を引き起こす。湾曲� ��基づき導電片72の他端は他方の第3配線パタ� ��ン65に接触する。

 その後、第2非磁性膜68上には読み出しヘ� ��ド素子52および単磁極ヘッド51が順番に積層 形成される。こうして素子内蔵膜32が形成さ� ��る。読み出しヘッド素子52の形成時に第3配� ��パターン65は磁気抵抗効果膜53に並列に第1� �よび第2配線パターン61、62に接続される。読 み出しヘッド素子52の形成時にすでに導電片7 2は第3配線パターン65の導通を確立すること� �ら、読み出しヘッド素子52の形成と同時に分 岐回路は磁気抵抗効果膜53を短絡する。例え� ��ヘッドサスペンション21上に浮上ヘッドス� �イダ22が取り付けられる際に過電流が生じて も、磁気抵抗効果膜53の破壊はより確実に防� ��される。しかも、スイッチ素子63は素子内� �膜32の製造過程で同時に形成される。スイッ チ素子63は比較的に簡単に形成される。

 図25に示されるように、スイッチ用配線� �ターン64にはアンプ回路93が接続されてもよ� ��。アンプ回路93にはアンプ回路93に電源供給 する電源用配線パターン93a、93aが接続される 。電源用配線パターン93から供給される電流� ��基づきアンプ回路93は例えば第1配線パター� ��61から供給されるセンス電流を増幅するこ� �ができる。増幅されたセンス電流はスイッ� �用配線パターン64からヒータ75に供給される� ��こうして第3配線パターン65の導通および非� ��通が切り替えられればよい。その他、前述� ��均等な構成や構造には同一の参照符号が付� ��れる。

 図26に示されるように、スイッチ用配線� �ターン64にはヘッドICから個別に制御信号す� ��わち電流が供給されてもよい。図27に示さ� �るように、浮上ヘッドスライダ22すなわち素 子内蔵膜32の空気流出側端面には第1~第6導電� ��子すなわち第1~第6電極端子94~99が形成され� �。第1電極端子94には前述の第1配線パターン6 1が接続される。第2電極端子95には前述の第2� ��線パターン62が接続される。第3および第4電 極端子96、97にはスイッチ用配線パターン64が 接続される。第5および第6電極端子98、99には 単磁極ヘッド51の薄膜コイル58に接続される� �き込み用配線パターン(図示されず)が接続さ れる。

 第1~第6電極端子94~99にはフレキシブルプ� �ント基板26上を延びる配線パターンが接続さ れる。こうして第1配線パターン61には例えば 第1電極端子94からセンス電流が供給される。 センス電流は第2電極端子95から取り出される 。その一方で、ヒータ75やアンプ回路93には� �えば第3電極端子96から電流が供給される。� �うした電流は第4電極端子97から取り出され� �。ただし、前述されるように、スイッチ用� �線パターン64が第1および第2配線パターン61� �62に接続される場合には第3および第4電極端� ��96、97の形成は省略されればよい。

 図28に示されるように、浮上ヘッドスラ� �ダ22には前述のTMR素子に代えてCIP(Current In P lane)型の巨大磁気抵抗効果(GMR)素子が用いら� �てもよい。このGMR素子では、磁気抵抗効果� �53aは下部シールド層54および上部シールド層 55の間に配置される。第3配線パターン65は磁� ��抵抗効果膜53aに並列に第1および第2配線パ� �ーン61、62に接続される。その他、前述と均� ��な構成や構造には同一の参照符号が付され� ��。

 こうした構成によれば、センス電流は例� ��ば第1配線パターン61から磁気抵抗効果膜53a� ��供給される。センス電流は第2配線パターン 62で取り出される。前述と同様に、センス電� ��の非供給時に第3配線パターン65の導通が確� ��される。導通の確立時、過電流は第1配線パ ターン61から第3配線パターン65を経由して第2 配線パターン62に流通する。磁気抵抗効果膜5 3aに過電流の流通はできる限り回避される。� ��気抵抗効果膜53aの破壊はより確実に防止さ� ��る。

 図29に示されるように、第3配線パターン6 5には例えば上部シールド層55が接続されても よい。こうしてスイッチ素子63および上部シ� ��ルド層55は直列に接続される。その他、前� �と均等な構成や構造には同一の参照符号が� �される。こうした構成によれば、第3配線パ� ��ーン65の導通時、過電流は第1配線パターン6 1から第3配線パターン65を経由して第2配線パ� ��ーン62に流通する。磁気抵抗効果膜53に過電 流の流通はできる限り回避される。磁気抵抗 効果膜53の破壊はより確実に防止される。

 図30に示されるように、浮上ヘッドスラ� �ダ22には、前述のスイッチ素子63に代えてス� ��ッチ素子63aが組み込まれてもよい。このス� ��ッチ素子63aでは前述の低熱膨張材74および� �ータ75の形成が省略される。第1非磁性膜67上 には発熱体すなわち高熱膨張材101が配置され る。高熱膨張材101は例えばCuやAuから構成さ� �ればよい。高熱膨張材101には前述のスイッ� �用配線パターン64が接続される。こうした高 熱膨張材101は収縮膜73に向き合わせられる。� ��電片72の先端は収縮膜73の収縮応力に基づき 他方の第3配線パターン65に接触する。その他 、前述のスイッチ素子63と均等な構成や構造� ��は同一の参照符号が付される。

 こうしたスイッチ素子63aでは、高熱膨張� ��101に電流が供給されると高熱膨張材101は膨� ��する。膨張に基づき高熱膨張材101は収縮膜7 3に接触する。その結果、図31に示されるよう に、高熱膨張材101は収縮膜73の収縮応力に抗� ��て導電片72を押し上げる。導電片72の先端は 他方の第3配線パターン65から離れる。こうし て第3配線パターン65の導通および非導通が切 り替えられる。前述と同様に、センス電流の 非供給時に第3配線パターン65の導通が確立さ れる。磁気抵抗効果膜53(53a)に過電流の流通� �できる限り回避される。磁気抵抗効果膜53(53 a)の破壊はより確実に防止される。

 次に素子内蔵膜32の製造方法を簡単に説� �する。図32に示されるように、スライダ本体 31の空気流出側端面に第1非磁性膜67が積層形� ��される。第1非磁性膜67上には導電材料102が� ��層形成される。積層形成にあたってめっき� ��蒸着、スパッタリングが実施されればよい� ��導電材料102はCuやAuから構成される。導電材 料102上には所定のパターンでレジスト膜103が 形成される。レジスト膜103は第3配線パター� �65および高熱膨張材101の輪郭を象る。レジス ト膜103に基づき導電材料102にエッチング処理 が施される。エッチング処理にあたってドラ イエッチング処理およびウェットエッチング 処理のいずれかが実施されればよい。その結 果、図33に示されるように、レジスト膜103の� ��側で導電材料102は削り出される。レジスト� ��103は除去される。こうして第1非磁性膜67上� ��は高熱膨張材101および第3配線パターン65が� ��成される。

 図34に示されるように、第1非磁性膜67上� �は第3配線パターン65および高熱膨張材101に� �い被さるレジスト膜104が形成される。レジ� �ト膜104には、空隙105が形成される。図35に示 されるように、空隙105内には導電材料106が積 層形成される。その後、図36に示されるよう� ��、レジスト膜104上に所定のパターンでさら� ��レジスト膜107が形成される。レジスト膜107� ��は空隙108が形成される。空隙108は収縮膜73� �輪郭を象る。図37に示されるように、空隙108 内に収縮膜73が積層形成される。形成にあた� ��て例えばスパッタリングが実施される。例� ��ば熱に基づく膜収縮の作用で収縮膜73には� �縮応力が蓄積される。

 図38に示されるように、レジスト膜107は� �り除かれる。図39に示されるように、レジス ト膜104上には所定のパターンでレジスト膜109 が形成される。レジスト膜109には空隙111が形 成される。空隙111は導電片72の輪郭を象る。� ��40に示されるように、空隙111内に導電片72が 積層形成される。その後、レジスト膜109上に はレジスト膜112が形成される。レジスト膜112 上には第2非磁性膜68が形成される。

 図41に示されるように、レジスト膜104、10 9、112は除去される。除去にあたって例えば� �ェットエッチング処理が施されればよい。� �うして第1および第2非磁性膜67、68の間に空� �69が形成される。空洞69にはスイッチ素子63a� ��形成される。レジスト膜104、109、112の除去� ��基づき収縮膜73の収縮応力が解放される。� �の結果、収縮応力は導電片72の湾曲を引き起 こす。湾曲に基づき導電片72の先端は他方の� ��3配線パターン65に接触する。

 第2非磁性膜68上には読み出しヘッド素子5 2および単磁極ヘッド51が順番に積層形成され る。こうして素子内蔵膜32が積層形成される� ��読み出しヘッド素子52の形成時に磁気抵抗� �果膜53(53a)に並列に第1および第2配線パター� �61、62に接続される。読み出しヘッド素子52� �形成時にすでに導電片72は第3配線パターン65 の導通を確立する。その結果、読み出しヘッ ド素子52の形成と同時に分岐回路は磁気抵抗� ��果膜53(53a)を短絡する。ヘッドサスペンショ ン21上に浮上ヘッドスライダ22が取り付けら� �る際に過電流が生じても、磁気抵抗効果膜53 (53a)の破壊はより確実に防止される。しかも� ��スイッチ素子63aは素子内蔵膜32の製造過程� �同時に形成される。スイッチ素子63aは比較� �に簡単に形成される。

 図42に示されるように、スイッチ素子63(63 a)は素子内蔵膜32の空気流出側端面に配置さ� �てもよい。図42から明らかなように、第1~第4 電極端子94~97の配置は変更されればよい。こ� ��では、例えば第3および第4電極端子96、97の� ��に第1および第2電極端子94、95が配置されれ� ��よい。第1および第2電極端子94、95に第3配線 パターン65が接続される。第3配線パターン65� ��はスイッチ素子63(63a)が接続される。スイッ チ用配線パターン64は第3および第4電極端子96 、97に接続される。その他、前述と均等な構� ��や構造には同一の参照符号が付される。こ� ��した浮上ヘッドスライダ22では、スイッチ� �子63(63a)は素子内蔵膜32の形成と同時に形成� �れる。スイッチ用配線パターン64が第1およ� �第2配線パターン61、62に接続される場合には 、図43に示されるように、第3および第4電極� �子96、97の形成は省略されればよい。