以下、本発明の有機エレクトロルミネッ� ��ンス素子をその好適な実施形態に即して詳� ��に説明する。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素� ��は、透明電極又は半透明電極からなる第一� ��極と、該第一電極に対向する第二電極と、� ��第一電極及び該第二電極の間に設けられた� ��なくとも1層の有機層とを備える有機エレク トロルミネッセンス素子であって、
 該第一電極に電気的に接続され、該第一電� ��と比較して電気抵抗値の低い材料からなる� ��開口部が設けられた補助電極を備え、
 該補助電極が、準周期的な2次元配列により 規定される格子点に基づいて定められる領域 が該開口部となるように、該第一電極の表面 上に形成されていることを特徴とするもので ある。

 (第一電極)
 本発明にかかる第一電極は、透明電極又は� ��透明電極からなる電極であって、本発明の� ��機エレクトロルミネッセンス素子の陽極と� ��るものである。このような第一電極として� ��、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化� ��や金属の薄膜を用いることができ、透過率� ��高いものが好適に利用でき、用いる有機層� ��より適宜選択して用いることができる。こ� ��ような第一電極の材料としては、例えば、� ��化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及び� ��れらの複合体であるインジウム・スズ・オ� ��サイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイ� �等からなる導電性ガラス(NESA等)、金、白金� �銀、銅が用いられる。これらの中でも、ITO� �インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズ� �好ましい。

 このような第一電極の膜厚は、光の透過� ��と電気伝導度とを考慮して適宜選択するこ� ��ができるが、例えば10nm~10μmであり、好まし くは20nm~1μmであり、より好ましくは50nm~500nm� �ある。

 また、このような第一電極を電気的に分� ��された複数のセルに仕切る構造とする場合� ��は、隣接するセルの間の間隔は1~50μmであり 、好ましくは5~30μmである。隣接するセルの� �の間隔が前記下限未満では、第一電極の面� �向に導波する光を十分に抑制することがで� �ない傾向にあり、他方、前記上限を超える� �、実際の発光面積が小さくなるため、発光� �率が低下する傾向にある。

 さらに、このように電気的に分離された� ��数のセルの形状としては、特に限定されず� ��例えば、ストライプ状、三角形状、四角形� ��等の矩形状が挙げられる。また、このよう� ��複数のセルの形状は、隣接するセルの間の� ��気的な接続をより確実にするという観点か� ��、後述する補助電極の開口部の形状と相似� ��る形状とすることが好ましい。なお、この� ��うな第一電極を電気的に分離された複数の� ��ルに仕切る構造とする場合においては、本� ��明の有機エレクトロルミネッセンス素子を� ��製するにあたり、このような第一電極を形� ��した後に形成されるもの(例えば、補助電極 、有機層)の材料が隣接するセルの間に充填� �れることとなる。

 以上説明したような第一電極を形成させ� ��方法としては、真空蒸着法、スパッタリン� ��法、イオンプレーティング法、メッキ法等� ��挙げられる。また、このような第一電極を� ��気的に分離された複数のセルに仕切る方法� ��しては、例えば、第一電極を形成した後に� ��フォトレジストを用いたエッチング法によ� ��パターン形成する方法が挙げられる。

 なお、このような第一電極として、ポリ� ��ニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェ� ��若しくはその誘導体等の有機物の透明導電� ��を用いてもよい。また、有機層への電荷注� ��を容易にするという観点から、このような� ��一電極の有機層側の表面上に、フタロシア� ��ン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の導電� ��高分子、Mo酸化物、アモルファスカーボン� �フッ化カーボン、ポリアミン化合物等の1~200 nmの層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、� ��機絶縁材料等からなる平均膜厚10nm以下の層 を設けてもよい。

 (補助電極)
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素� ��においては、前記第一電極に電気的に接続� ��れ、開口部が設けられた補助電極を備える� ��とが必要である。そして、このような補助� ��極が、準周期的な2次元配列により規定され る格子点に基づいて定められる領域が前記開 口部となるように、前記第一電極の表面上に 形成されていることが必要である。本発明に おいては、このような補助電極を備えること により、透明電極又は半透明電極の抵抗によ る電圧低下を軽減して均一に発光させること が可能となり、さらに外光反射時の色付きや 干渉によるモアレ縞の発生を十分に抑制する ことが可能となる。

 本発明にかかる準周期的な2次元配列とは 、周期配列とは異なる種類の秩序配列のこと をいい、例えば、フィボナッチ配列を挙げる ことができる。また、このようなフィボナッ チ配列とは、フィボナッチ数列に相似若しく は類似して配列されている配列のことをいい 、ひまわりの種や松ぼっくりの配列等に例え られ、図1に示すような略々渦巻状を呈する� �列のことをいう。なお、本発明においてフ� �ボナッチ配列により規定される格子点には� �フィボナッチ数列による配列から一部の格� �点を抜いたもの等も含まれるものとする。

 また、フィボナッチ配列は、整数nに対して 、
(x,y)=(√n×cos((137.5×nπ)/180)、√n×sin((137.5×nπ)/ 180))からなる数列のことをいい、この整数nを フィボナッチ数列における次数と称する。

 このようなフィボナッチ配列においては� ��フィボナッチ数列における次数が大きくな� ��とフィボナッチ配列により規定される格子� ��の粗密が大きくなる。そのため、補助電極� ��設けられる開口部の間隔の粗密も大きくな� ��、補助電極間の配線抵抗が大きくなるとい� ��問題が生じる可能性がある。

 本発明においては、上記のような観点か� ��、本発明にかかる準周期的な2次元配列は、 前記格子点の平均格子間距離が10~30μm(より好 ましくは、10~20μm)の範囲となるように前記フ ィボナッチ配列から抽出された単位配列を有 し、且つ前記単位配列がそれぞれ重なり合わ ないように敷き詰められた配列であることが 好ましい。このような準周期的な2次元配列� �より規定される格子点に基づいて定められ� �領域に補助電極の開口部を設けることによ� �、補助電極間の配線抵抗の増大を抑制しつ� �、補助電極に設けられた開口部の周期的な� �則性を解消することができる。また、前記� �子点の平均格子間距離が前記下限未満では� �開口率が低下するため、発光輝度が十分に� �られない傾向にあり、他方、前記上限を超� �ると補助電極間の配線抵抗が大きくなるた� �に発光輝度のムラを十分に抑制できない傾� �にある。なお、前記フィボナッチ配列によ� �規定される格子点のうちの最も近接してい� �格子点どうしの格子間距離、すなわち最近� �格子間距離は5~15μmの範囲であることが好ま� ��い。

 また、前記フィボナッチ配列から抽出さ� ��る単位配列の形状としては特に制限はない� ��、単位配列をそれぞれ重なり合わないよう� ��敷き詰めるという観点から、多角形状が好� ��しく、三角形、正方形、長方形、正六角形� ��がより好ましい(図2~4参照)。図2~4中、Aはフ� ��ボナッチ数列における次数300以下の領域を� ��Bはフィボナッチ数列における次数1000以下� �領域を表す。

 さらに、このような単位配列は、前記フ� ��ボナッチ数列における次数が300~1000(より好� ��しくは、500~800)の範囲となるように前記フ� �ボナッチ配列から抽出された配列であるこ� �が好ましい。前記フィボナッチ数列におけ� �次数が上記の範囲となる場合には、一つの� �位配列により規定される格子点の格子点間� �離の分散を抑制することができ、補助電極� �の配線抵抗のバラツキや開口部の密度(開口� ��)の偏りによる発光輝度のムラをより確実に 抑制することができる。

 また、このような単位配列は、一つの単� ��配列により規定される格子点の数が50~200(よ り好ましくは、50~100)の範囲となるように前� �フィボナッチ配列から抽出された配列であ� �ことが好ましい。さらに、本発明において� �、補助電極に設けられた開口部の周期的な� �則性をより確実に解消するという観点から� �前記フィボナッチ配列のうちの異なる箇所� �ら抽出された複数の異なる単位配列をそれ� �れ重なり合わないように敷き詰めることが� �ましい。

 本発明にかかる補助電極は、以上説明し� ��ような準周期的な2次元配列により規定され る格子点に基づいて定められる領域が開口部 となるように形成される。そして、このよう な領域は、前記格子点を母点とするボロノイ 分割、ドロネー三角形分割等により定めるこ とができる。

 ボロノイ分割とは、いくつかの点(母点)� �配置された平面を、隣り合う任意の母点間� �垂直2等分線を結んで形成される領域(ボロノ イ領域)に分割することをいう。なお、ボロ� �イ領域の境目の線をボロノイ境界という。� �のようなボロノイ分割により前記領域を定� �る場合においては、本発明にかかる補助電� �は、前記格子点を母点とするボロノイ分割� �よるボロノイ領域が開口部となるように、� �記ボロノイ分割によるボロノイ境界上に(に� ��って)形成される。

 ドロネー三角形分割とは、いくつかの点( 母点)が配置された平面を、隣り合うボロノ� �領域の母点どうしをつなぐ線(ドロネー辺)を 結んで形成される三角形の領域(ドロネー三� �形の領域)に分割することをいう。このよう� ��ドロネー三角形分割により前記領域を定め� ��場合においては、本発明にかかる補助電極� ��、前記格子点を母点とするドロネー三角形� ��割によるドロネー三角形の領域が開口部と� ��るように、前記ドロネー三角形分割による� ��ロネー辺上に(に沿って)形成される。

 このような補助電極の線幅は、光の利用� ��率の観点から、1~200μmの範囲であることが� �ましく、10~100μmの範囲であることがより好� �しい。

 このような補助電極の材料としては、前記� ��一電極の材料より電気伝導度が高ければ(電 気抵抗値が低ければ)特に制限はないが、通� �は10 ⁷ S/cm以上の電気伝導度を有する導電材料が使� �され、アルミニウム、銀、クロム、金、銅� �タンタル等の金属材料が好適に利用される� �これらの中でも、電気伝導度の高さ、材料� �ハンドリングの容易さの観点から、アルミ� �ウム、クロム、銅、銀がより好ましい。

 また、補助電極の材料として金属を用い� ��場合には、後述する有機層からの光が遮断� ��れることから、素子の発光する面積に対す� ��補助電極で被われる面積の割合は、20~90%の� ��囲であることが好ましく、30~80%の範囲であ� ��ことがより好ましい。

 さらに、このような補助電極の厚みは、� ��抵抗が所望の値となるように適宜選択する� ��とができるが、例えば10~500nmであり、好ま� �くは20~300nmであり、より好ましくは50~150nmで� ��る。

 また、このような補助電極は、前記第一� ��極の表面のうち、有機層側の表面上に配置� ��れていてもよいが、第一電極と補助電極と� ��電気的な接続をより確実にするという観点� ��ら、有機層と反対側の表面上に配置されて� ��ることが好ましい。

 以上説明したような補助電極を形成させ� ��方法としては、例えば、真空蒸着法、スパ� ��タリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラ� ��ネート法等により補助電極の材料の膜を形� ��した後に、フォトレジストを用いたエッチ� ��グ法によりパターン形成する方法が挙げら� ��る。

 (第二電極)
 本発明にかかる第二電極は、前記第一電極� ��対向して配置される電極であって、本発明� ��有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極� ��なるものである。このような第二電極の材� ��としては、仕事関数の小さい材料が好まし� ��、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウ� ��、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マ� ��ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、� ��リウム、アルミニウム、スカンジウム、バ� ��ジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム� ��セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テ� ��ビウム、イッテルビウム等の金属、及びそ� ��らのうちの2つ以上の合金;或いはそれらの� �ちの1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガ� ��、チタン、コバルト、ニッケル、タングス� ��ン、錫のうちの1つ以上との合金;グラファ� �ト又はグラファイト層間化合物が用いられ� �。これらの合金としては、マグネシウム-銀� ��金、マグネシウム-インジウム合金、マグネ シウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合� ��、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-� �グネシウム合金、リチウム-インジウム合金� ��カルシウム-アルミニウム合金等が挙げられ る。

 このような第二電極の膜厚は、電気伝導� ��や耐久性を考慮して、適宜選択することが� ��きるが、例えば10nm~10μmであり、好ましくは 20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmで� �る。

 以上説明したような第二電極を形成させ� ��方法としては、真空蒸着法、スパッタリン� ��法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート� ��等が挙げられる。なお、このような第二電� ��を2層以上の積層構造としてもよい。また、 第二電極と有機層との間に、導電性高分子か らなる層、或いは金属酸化物や金属フッ化物 、有機絶縁材料等からなる平均膜厚10nm以下� �層を設けてもよい。

 (有機層)
 本発明にかかる有機層は、前記第一電極及� ��前記第二電極の間に設けられた層である。
このような有機層は、通常、少なくとも1層� �発光材料を含有する層であればよいが、複� �の層により構成されていてもよい。有機エ� �クトロルミネッセンス素子の動作は、本質� �に、電子及び正孔を電極から注入する過程� �、電子及び正孔が有機層を移動する過程と� �電子及び正孔が再結合し、一重項励起子又� �三重項励起子を生成する過程と、その励起� �が発光する過程とからなるが、有機層が複� �の層により構成される場合には、各過程に� �いて要求される機能を複数の材料に分担さ� �るとともに、それぞれの材料を独立して最� �化できる。また、このような有機層の発光� �としては、赤、青、緑の3原色の発光以外に� ��中間色や白色の発光が例示される。フルカ� ��ー素子には、3原色の発光色が、平面光源で は白色や中間色の発光が好ましい。

 また、本発明においては、このような有� ��層に用いられる発光材料として、低分子型� ��光材料(i)だけでなく、高分子型発光材料(ii) を用いることができる。そして、このような 発光材料の種類によっては、有機層に用いら れる他の材料が異なるので、以下低分子型発 光材料(i)を用いる場合と高分子発光材料(ii)� �用いる場合とに分けてそれぞれ説明する。

 (i)低分子型発光材料を用いる場合
 低分子型発光材料を用いる場合における有� ��層の材料としては、「有機ELディスプレイ� �(時任静夫、安達千波矢、村田英幸 共著 株 式会社オーム社 平成16年刊 第1版第1刷発行) 17~48頁、83~99頁、101~120頁に記載の蛍光や燐光� ��光材料、正孔輸送材料、電子ブロック材料� ��正孔ブロック材料、電子輸送材料が挙げら� ��る。具体的には、正孔輸送材料としては、� ��開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開� �2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号� �報、同2-311591号公報、同3-37992号公報、同3-152 184号公報、同11-35687号公報、同11-217392号公報� ��特開2000-80167号公報に記載されているもの等 が例示される。

 さらに、低分子型発光材料(三重項発光錯体 )としては、例えば、イリジウムを中心金属� �するIr(ppy) ₃ 、Btp ₂ Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロ� �ウムを中心金属とするEu(TTA) ₃ phenが挙げられる。具体的には、Nature,(1998),395 ,151、Appl.Phys.Lett.(1999),75(1),4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt .Eng.(2001),4105(Organic Light-Emitting Materials and De vicesIV),119、J.Am.Chem.Soc.,(2001),123,4304、Appl.Phys.Le tt.,(1997),71(18),2596、Syn.Met.,(1998),94(1),103、Syn.Met .,(1999),99(2),1361、Adv.Mater.,(1999),11(10),852、Jpn.J.A ppl.Phys.,34,1883(1995)等に記載されているもの等� ��例示される。

 これらの有機層の材料を含有する層の厚� ��としては、発光効率や駆動電圧が所望の値� ��なるように適宜選択されるが、5~200nmが一般 的である。また、正孔輸送層の厚みは、例え ば10~100nmであり、好ましくは20~80nmである。発 光層の厚みは、例えば10~100nmであり、好まし� ��は20~80nmである。正孔ブロック層の厚みは、 例えば5~50nmであり、好ましくは10~30nmである� �電子注入層の厚みは、例えば10~100nmであり、 好ましくは20~80nmである。

 これらの層を形成させる方法としては、� ��空蒸着、クラスター蒸着、分子線蒸着等の� ��空プロセス以外に、これらの層を構成する� ��料が溶解性をもつものやエマルジョンを形� ��できるものであれば、後述するコーティン� ��法や印刷法にて製膜する方法が挙げられる� ��

 (ii)高分子型発光材料を用いる場合
 高分子型発光材料を用いる場合における有� ��層の材料としては、「高分子EL材料」(大西� ��博、小山珠美 共著 共立出版 2004年刊 初� ��版第1刷発行)33~58頁に記載の材料が挙げられ 、電荷注入層や電荷輸送層と積層した構造で 有機エレクトロルミネッセンス素子を構築す ることができる。より具体的には、高分子化 合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び 発光材料としては、WO99/13692公開明細書、WO99/ 48160公開明細書、GB2340304A、WO00/53656公開明細� �、WO01/19834公開明細書、WO00/55927公開明細書、 GB2348316、WO00/46321公開明細書、WO00/06665公開明� ��書、WO99/54943公開明細書、WO99/54385公開明細� �、US5777070、WO98/06773公開明細書、WO97/05184公開 明細書、WO00/35987公開明細書、WO00/53655公開明� ��書、WO01/34722公開明細書、WO99/24526公開明細� �、WO00/22027公開明細書、WO00/22026公開明細書、 WO98/27136公開明細書、US573636、WO98/21262公開明� �書、US5741921、WO97/09394公開明細書、WO96/29356公 開明細書、WO96/10617公開明細書、EP0707020、WO95/ 07955公開明細書、特開2001-181618号公報、特開20 01-123156号公報、特開2001-3045号公報、特開2000-3 51967号公報、特開2000-303066号公報、特開2000-299 189号公報、特開2000-252065号公報、特開2000-13637 9号公報、特開2000-104057号公報、特開2000-80167� �公報、特開平10-324870号公報、特開平10-114891� �公報、特開平9-111233号公報、特開平9-45478号� �報等に開示されているポリフルオレン、そ� �誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、そ� �誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニ� �ン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミ� �及びその誘導体の(共)重合体が挙げられる。 これらの高分子型発光材料や電荷輸送材料に は、前述した低分子型発光材料を用いる場合 に有機層に用いられる発光材料や電荷輸送材 料を混合して用いてもよい。また、これらの 高分子型発光材料や電荷輸送材料においては 、前述した低分子型発光材料がこれらの材料 の構造に含まれていてもよい。

 電荷注入層の具体的な例としては、導電� ��高分子を含む層又は前記第一電極と正孔輸� ��層との間に設けられ、前記第一電極の材料� ��正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との� ��間の値のイオン化ポテンシャルを有する材� ��を含む層、前記第二電極と電子輸送層との� ��に設けられ、前記第二電極の材料と電子輸� ��層に含まれる電子輸送性材料との中間の値� ��電子親和力を有する材料を含む層等が挙げ� ��れる。

 また、このような電荷注入層が導電性高分� ��を含む層である場合、導電性高分子を含む� ��は少なくとも一方の電極(第一電極、第二電 極)と発光層との間に電極に隣接して設けら� �る。
 このような導電性高分子の電気伝導度は、1 0 ^-7 S/cm以上であり且つ10 ³ S/cm以下であることが好ましく、発光画素間� �リーク電流を小さくするためには、10 ^-5 S/cm以上であり且つ10 ² S/cm以下であることがより好ましく、10 ^-5 S/cm以上であり且つ10 ¹ S/cm以下であることが特に好ましい。また、� �常はこのような導電性高分子の電気伝導度� �10 ^-5 S/cm以上であり且つ10 ³ S/cm以下とするために、このような導電性高� �子に適量のイオンをドープする。

 ドープするイオンとしては、正孔注入層� ��あればアニオン、電子注入層であればカチ� ��ンが用いられる。アニオンの例としては、� ��リスチレンスルホン酸イオン、アルキルベ� ��ゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イ� ��ン等が挙げられ、カチオンの例としては、� ��チウムイオン、ナトリウムイオン、カリウ� ��イオン、テトラブチルアンモニウムイオン� ��が挙げられる。

 電荷注入層に用いる材料としては、電極� ��隣接する層の材料との関係で適宜選択すれ� ��よいが、ポリアニリン及びその誘導体、ポ� ��チオフェン及びその誘導体、ポリピロール� ��びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及� ��その誘導体、ポリチエニレンビニレン及び� ��の誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、� ��リキノキサリン及びその誘導体、芳香族ア� ��ン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導� ��性高分子;金属フタロシアニン(銅フタロシ� �ニン等);カーボン等が挙げられる。

 また、電荷注入を容易にする目的で、前� ��第一電極及び/又は前記第二電極に隣接して 厚みが10nm以下の絶縁層を設けてもよい。こ� �ような絶縁層の材料としては、金属フッ化� �、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられ� �アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金� �フッ化物や金属酸化物が好ましい。

 また、第二電極に近い側の有機層に含有さ� ��る電子輸送性高分子材料としては、電極か� ��電子が注入され、輸送する高分子材料であ� ��ばよく特に制限はされないが、π及びσ共役 系高分子や電子輸送性の基を高分子中に含む 高分子材料を適宜使用することができる。
さらに、低分子の電子輸送性材料を併用する こともできる。

 これらの正孔輸送性材料や電子輸送性材� ��は電荷の輸送以外に、発光機構を有してい� ��ものも好適に利用できるが、本発明におい� ��は、前記発光材料をこれらの層にドーピン� ��して用いることもできる。

 以上説明したような有機層の材料を含有� ��る層の厚みは、用いる材料によって最適値� ��異なるが、駆動電圧と発光効率が適度な値� ��なるように適宜選択することができる。ま� ��、発光層の厚みは、例えば5~300nmであり、好 ましくは30~200nmであり、さらに好ましくは40~1 50nmである。電荷注入層の厚みは、例えば1nm~1 00nmであり、好ましくは2nm~10nmである。電子輸 送性層の厚みは、例えば1nm~1μmであり、好ま� ��くは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200 nmである。

 また、ここまで述べてきた有機層の材料� ��うちの高分子材料を含有する層(発光層、電 荷輸送層、電荷注入層)を形成させる方法と� �ては、例えば、溶液からのコーティング法� �印刷法にて製膜する方法が挙げられる。な� �、このような方法は、前記高分子材料を含� �しない層(発光層、電荷輸送層、電荷注入層) を形成させる方法としても採用することがで きる。このような方法によれば、溶液を塗布 後乾燥することにより溶媒を除去するだけで よく、また電荷輸送材料や発光材料を混合し た場合においても同様な手法が適用でき、製 造上非常に有利である。このようなコーティ ング法及び印刷法としては、スピンコート法 、キャスティング法、マイクログラビアコー ト法、グラビアコート法、バーコート法、ロ ールコート法、ワイアーバーコート法、ディ ップコート法、スプレーコート法、スクリー ン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷 法、キャピラリーコート法、ノズルコート法 、インクジェットプリント法等の塗布法が挙 げられる。また、電荷注入材料は、エマルジ ョン状で水やアルコールに分散させたものを 溶液と同様な方法で、製膜することができる 。

 このようなコーティング法や印刷法にお� ��て、有機層の材料に用いる溶媒としては特� ��限定されないが、前記高分子材料を溶解又� ��均一に分散できるものが好ましい。前記高� ��子材料が非極性溶媒に可溶なものである場� ��において、このような溶媒としては、例え� ��、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロ� ��タン等の塩素系溶媒;テトラヒドロフラン等 のエーテル系溶媒;トルエン、キシレン、テ� �ラリン、アニソール、n-ヘキシルベンゼン、 シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素 系溶媒;デカリン、ビシクロヘキシル等の脂� �族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチル� ��トン、2-ヘプタノン等のケトン系溶媒;酢酸� ��チル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセ� ��ート、プロピレングリコールモノメチルエ� ��テルアセテート等のエステル系溶媒が挙げ� ��れる。

 また、複数の層を積層する場合において� ��、上下の層の混合を防止するために、最初� ��形成された層を不溶化することが好ましい� ��このように不溶化する方法としては、可溶� ��の前駆体や可溶基を有する高分子を用いて� ��熱処理により、前駆体を共役系高分子に転� ��したり、可溶基を分解することで溶解性を� ��下させることで不溶化する方法や、架橋基� ��分子内に有する正孔輸送性高分子を用いる� ��法、或いは、熱、光、電子線等により架橋� ��応を生ずるモノマーやマクロマーを混合す� ��方法等が挙げられる。

 このような架橋基としては、側鎖にビニ� ��基、(メタ)アクリレート基、オキセタン基� �シクロブタジエン基、ジエン基等を有する� �分子が例示される。これらの基の導入率は� �電子輸送性高分子の製膜時に使用する溶媒� �対して不溶化すれば特に制限はないが、例� �ば0.01~30質量%であり、好ましくは0.5~20質量%� �あり、より好ましくは1~10質量%である。

 また、架橋反応を生ずるモノマーやマク� ��マーとしては、ポリスチレン換算の重量平� ��分子量2000以下の化合物で、ビニル基、(メ� �)アクリレート基、オキセタン基、シクロブ� ��ジエン基、ジエン基等の基を二つ以上有す� ��ものが挙げられる。さらに、酸無水物基や� ��皮酸のように分子間で架橋反応し得る化合� ��も例示される。これらの例としては、「UV� �EB硬化技術の現状と展望」(市村國宏 監修 � ��式会社シーエムシー出版 2002年刊 第1版第1 刷発行 第2章)に記載のものが好適に使用で� �る。

 さらに、高分子化合物を有機層の材料と� ��て用いる場合には、その純度が電荷輸送特� ��や発光特性等の素子の性能に影響を与える� ��め、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、� ��結晶等、カラムクロマトグラフィーの方法� ��精製した後に重合することが好ましい。ま� ��重合後、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水� ��浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽� ��、カラムクロマトグラフィー、透析などの� ��用の分離操作、精製操作、乾燥、その他の� ��作による純化処理をすることが好ましい。

 (有機エレクトロルミネッセンス素子)
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素� ��は、通常、前述した第一電極、第二電極、� ��助電極、及び有機層を支持基板上に形成さ� ��ることにより作製することができる。この� ��うな支持基板としては、有機エレクトロル� ��ネッセンス素子を作製する際に変化しない� ��のであればよく、例えば、ガラス、プラス� ��ック、高分子フィルム、シリコン等の基板� ��挙げられる。なお、このような支持基板側� ��ら前記有機層からの光を取り出す場合には� ��支持基板として透明なものを用いることが� ��ましい。また、本発明の有機エレクトロル� ��ネッセンス素子の素子構造は特に限定され� ��、トップエミッション型であってもよく、� ��トムエミッション型であってもよい。また� ��このような素子構造に応じて上記支持基板� ��に前記第一電極等を形成させる順番を適宜� ��択することができる。さらに、本発明の有� ��エレクトロルミネッセンス素子においては� ��必要に応じて保護層を設けてもよい。この� ��うな保護層の材料としては、ガラス、プラ� ��チック、高分子フィルム、シリコンの他に� ��アクリル系樹脂等の光硬化性樹脂が挙げら� ��る。これらの保護層の材料は、1種を単独で 又は2種以上を組み合わせて使用することが� �きる。なお、このような保護層側から前記� �機層からの光を取り出す場合には、保護層� �材料として透明なものを用いることが好ま� �い。

 以上説明したような本発明の有機エレク� ��ロルミネッセンス素子は、液晶ディスプレ� ��のバックライト又は照明用としての曲面状� ��平面状の面状光源;インテリアや広告に用い られるセグメント表示装置、ドットマトリッ クス表示装置、液晶表示装置等に用いられる 発光素子として好適に用いることができ、照 明用としての曲面状や平面状の面状光源とし て特に好適に用いることができる。