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Patent Searching and Data


Title:
A semiconductor memory device and a continuation read-out method
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6232109
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 ページの連続読出しの高速化を図る半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ１００は、メモリセルアレイ１１０と、メモリセルアレイ１１０のページを選択し、選択ページのデータをページバッファ／センス回路１８０に読み出すページ読出し手段と、連続読出しの範囲に関するページ情報を格納するページ情報格納部１６０と、ページの連続読出しを制御する制御部１５０とを有する。制御部１５０は、ページ情報に基づき連続読出しを継続させるか否かを判定し、継続すると判定した場合には、チップセレクト信号がトグルされても、ページデータ読出し命令およびページアドレスの入力なしに連続読出しを可能にする。【選択図】 図４

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Inventors:
Kaminaga Yudai
Katsutoshi Mizuto
Application Number:
JP2016187885A
Publication Date:
November 15, 2017
Filing Date:
September 27, 2016
Export Citation:
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Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G11C16/26; G06F12/00; G06F12/02; G06F12/06; G11C7/10; G11C8/18
Domestic Patent References:
JP2006286179A2006-10-19
JP2006331408A2006-12-07
JP2008134736A2008-06-12
JP2006286179A2006-10-19
JP2006331408A2006-12-07
JP2008134736A2008-06-12
JP2013235642A2013-11-21
JP2013118031A2013-06-13
JP2013235642A2013-11-21
JP2013118031A2013-06-13
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose



 
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