Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
高周波基体、高周波パッケージおよび高周波モジュール
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018074100
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の高周波基体は、絶縁基体と、第１線路導体と、第２線路導体とを備えている。絶縁基体は、上面に凹部を有する。第１線路導体は、絶縁基体の上面に位置している。第２線路導体は、絶縁基体の上面に位置するとともに、平面視において第１線路導体と間が空いており第１線路導体と並行に延びている。凹部は、第１線路導体と第２線路導体との間に位置しているとともに、凹部は絶縁基体よりも誘電率が低い。

More Like This:
JP2007234999WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD
JP3127557Chip mounting structure
JPH05330964METHOD FOR FABRICATING SINTERED COMPACT OF ALUMINUM NITRIDE
Inventors:
Yoshinori Kawagashira
Application Number:
JP2018546188A
Publication Date:
August 15, 2019
Filing Date:
September 11, 2017
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
Kyocera Corporation
International Classes:
H01L23/12; H01L23/02; H01L23/13
Domestic Patent References:
JPH11214556A1999-08-06
JPS56112969U1981-08-31
JP2012227887A2012-11-15
JP2003152124A2003-05-23
Foreign References:
US20080048796A12008-02-28



 
Previous Patent: A wafer zipper for vacuum probers, and a vacuum prober unit

Next Patent: A zipper table of a processing device